NB-IOT装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术的NB

【技术实现步骤摘要】
NB-IOT装置


[0001]本技术涉及物联网
，特别是涉及一种NB-IOT装置。

技术介绍

[0002]目前，物联网(The Internet of Things，简称IOT)是指通过各种信息传感器、射频识别技术、全球定位系统、红外感应器、激光扫描器等各种装置与技术，实时采集任何需要监控、连接、互动的物体或过程，采集其声、光、热、电、力学、化学、生物、位置等各种需要的信息，通过各类可能的网络接入，实现物与物、物与人的泛在连接，实现对物品和过程的智能化感知、识别和管理。
[0003]随着科技的不断发展，IOT技术出现了一个重要的分支—NB-IOT技术，采用NB-IOT技术的产品称为NB-IOT模组，又称NB-IOT装置。NB-IOT装置因其广覆盖、多连接、低速率、低成本、低功耗的优点，NB-IOT装置被广泛应用于各种领域，例如，远程抄表
；又如，智能空调控制器
；智能停车
；又如智能家居领域。然而，不管NB-IOT装置被应用于哪种领域，NB-IOT装置的部署频率是授权的，即必须由运营商来部署，每个运营商所使用的频段也是不同，因此，多数NB-IOT装置均为指定运营商的定制产品。但对于现有的NB-IOT装置，其存在主要以下几个缺点：
[0004]第一，现有的NB-IOT装置，其工作波段的覆盖率不足，通用性较差，无法实现不同运营商或者不同波段的切换，后期NB-IOT装置进行升级或者运营商变更时产生较大的影响；
[0005]第二，现有的NB-IOT装置，其每个波段都会对应一个TX/RX线路，但现有的NB-IOT装置，不同波段的TX/RX线路并非独立单元，导致现有的NB-IOT装置其抗干扰能力弱，不同频段对应的TX/RX线路会相互影响，稳定性差。

技术实现思路

[0006]本技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种能够覆盖全工作波段的，通用性好的，不同波段对应的TX/RX线路是独立设计的，抗干扰能力强的以及稳定性较佳的NB-IOT装置。
[0007]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0008]一种NB-IOT装置，包括：
[0009]电源模块，所述电源模块的输入端用于与外部电源连接；
[0010]主控芯片，所述主控芯片与所述电源模块的输出端连接；
[0011]FEM模块，所述FEM模块包括FEM芯片和天线，所述FEM芯片与所述天线连接；
[0012]TX模块，所述TX模块包括TX超低频单元、TX低频单元、开关单元和TX中频单元，所述TX超低频单元的输入端和所述TX低频单元的输入端分别与所述主控芯片连接，所述TX超低频单元的输出端和所述TX低频单元的输出端分别与所述开关单元连接，所述开关单元还分别与所述主控芯片和所述FEM芯片连接，所述TX中频单元的输入端与所述主控芯片连接，
所述TX中频单元的输出端与所述FEM芯片连接；及
[0013]RX模块，所述RX模块包括RX超低频单元、RX低频单元和RX中频单元，所述RX超低频单元的输入端、所述RX低频单元的输入端和所述RX中频单元的输入端分别与所述FEM芯片连接，所述RX超低频单元的输出端、所述RX低频单元的输出端和所述RX中频单元的输出端分别与所述主控芯片连接。
[0014]在其中一个实施方式中，所述TX超低频单元包括电容C6和电阻R3，所述电容C6的一端作为所述TX超低频单元的输入端，所述电容C6的另一端串联所述电阻R3作为所述TX超低频单元的输出端。
[0015]在其中一个实施方式中，所述TX低频单元包括电容C16和电阻R5，所述电容C16的一端作为所述TX低频单元的输入端，所述电容C16的另一端串联所述电阻R5作为所述TX低频单元的输出端。
[0016]在其中一个实施方式中，所述开关单元包括开关器Q4、电容C23、电容C24和电阻R7，所述开关器Q4的第1端与所述TX超低频单元的输出端连接，所述开关器Q4的第2端与所述TX低频单元的输出端连接，所述开关器Q4的第3端与所述FEM芯片连接，所述开关器Q4的第4端与所述主控芯片连接，所述开关器Q4的第5端顺序串联所述电容C23和所述电阻R7与所述FEM芯片连接，所述开关器Q4的第6端接地，所述电容C24的一端与所述开关器Q4的第3端连接，所述电容C24接地。
[0017]在其中一个实施方式中，所述TX中频单元包括电容C20、电感L8、电容C21和电容C22，所述电容C20的一端作为所述TX中频单元的输入端，所述电容C20的另一端与所述电感L8的一端连接，所述电感L8的另一端所述TX中频单元的输出端，所述电容C21的一端与所述电感L8的另一端连接，所述电容C21的另一端接地，所述电容C22的一端与所述电感L8的一端连接，所述电容C22的另一端接地。
[0018]在其中一个实施方式中，所述RX超低频单元包括电容C50、电感L11、电容C51和电容C52，所述电容C50的一端作为所述RX超低频单元的输入端，所述电容C50的另一端串联所述电感L11作为所述RX超低频单元的输出端，所述电容C51的一端与所述电感L11另一端连接，所述电容C51的另一端接地，所述电容C52的一端与所述电感L11的一端连接，所述电容C52的另一端接地。
[0019]在其中一个实施方式中，所述RX低频单元包括电阻R12、低通滤波器Q1、电感L3和电感L9，所述电阻R12的一端作为所述RX低频单元的输入端，所述电阻R12的另一端与所述电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端作为所述RX低频单元的输出端，所述低通滤波器Q1的第6脚与所述电阻R12的一端连接，所述低通滤波器Q1的第4脚与所述电阻R12的另一端连接，所述低通滤波器Q1的第2脚和第5脚均接地，所述电感L9的一端与所述电感L3的另一端连接，所述电感L9的另一端接地。
[0020]在其中一个实施方式中，所述RX中频单元包括电阻R13、低通滤波器Q2、电感L4和电感L10，所述电阻R13的一端作为所述RX中频单元的输入端，所述电阻R13的另一端与所述电感L4的一端连接，所述电感L4的另一端作为所述RX中频单元的输出端，所述低通滤波器Q2的第6脚与所述电阻R13的一端连接，所述低通滤波器Q2的第4脚与所述电阻R13的另一端连接，所述低通滤波器Q2的第2脚和第5脚均接地，所述电感L10的一端与所述电感L4的另一端连接，所述电感L10的另一端接地。
[0021]在其中一个实施方式中，所述电源模块包括降压器Q3、电容C7、电感L7和电容C5，所述降压器Q3的第1脚作为所述电源模块的输入端，所述降压器Q3的第2脚和第5脚分别与所述降压器Q3的第1脚连接，所述降压器Q3的第3脚和第4脚分别所述主控芯片连接，所述降压器Q3的第6脚与所述电感L7的一端连接，所述电感L7的另一端作为所述电源模块的输出端，所述降压器Q3的第7脚与所述电感L7的另一端连接，所述降压器Q3的第8脚接地，所述电容C5的一端与所述电感L7的另一端连接，所述电容C5的另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NB-IOT装置，其特征在于，包括：电源模块，所述电源模块的输入端用于与外部电源连接；主控芯片，所述主控芯片与所述电源模块的输出端连接；FEM模块，所述FEM模块包括FEM芯片和天线，所述FEM芯片与所述天线连接；TX模块，所述TX模块包括TX超低频单元、TX低频单元、开关单元和TX中频单元，所述TX超低频单元的输入端和所述TX低频单元的输入端分别与所述主控芯片连接，所述TX超低频单元的输出端和所述TX低频单元的输出端分别与所述开关单元连接，所述开关单元还分别与所述主控芯片和所述FEM芯片连接，所述TX中频单元的输入端与所述主控芯片连接，所述TX中频单元的输出端与所述FEM芯片连接；及RX模块，所述RX模块包括RX超低频单元、RX低频单元和RX中频单元，所述RX超低频单元的输入端、所述RX低频单元的输入端和所述RX中频单元的输入端分别与所述FEM芯片连接，所述RX超低频单元的输出端、所述RX低频单元的输出端和所述RX中频单元的输出端分别与所述主控芯片连接。2.根据权利要求1所述的NB-IOT装置，其特征在于，所述TX超低频单元包括电容C6和电阻R3，所述电容C6的一端作为所述TX超低频单元的输入端，所述电容C6的另一端串联所述电阻R3作为所述TX超低频单元的输出端。3.根据权利要求1所述的NB-IOT装置，其特征在于，所述TX低频单元包括电容C16和电阻R5，所述电容C16的一端作为所述TX低频单元的输入端，所述电容C16的另一端串联所述电阻R5作为所述TX低频单元的输出端。4.根据权利要求1所述的NB-IOT装置，其特征在于，所述开关单元包括开关器Q4、电容C23、电容C24和电阻R7，所述开关器Q4的第1端与所述TX超低频单元的输出端连接，所述开关器Q4的第2端与所述TX低频单元的输出端连接，所述开关器Q4的第3端与所述FEM芯片连接，所述开关器Q4的第4端与所述主控芯片连接，所述开关器Q4的第5端顺序串联所述电容C23和所述电阻R7与所述FEM芯片连接，所述开关器Q4的第6端接地，所述电容C24的一端与所述开关器Q4的第3端连接，所述电容C24接地。5.根据权利要求1所述的NB-IOT装置，其特征在于，所述TX中频单元包括电容C20、电感L8、电容C21和电容C22，所述电容C20的一端作为所述TX中频单元的输入端，所述电容C20的另一端与所述电感L8的一端连接，所述电感L8的另一端所述TX中频单元的输出端，所述电容C21的一端与所述电感L8的另一端连接，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱文燕，郑伟，范海涛，李建军，
申请(专利权)人：惠州高盛达科技有限公司，
类型：新型
国别省市：