发光二极管显示器制造技术

一种发光二极管显示器，具有多个子像素区。各子像素区包括基板、第一电极与第二电极、发光二极管以及至少一挡墙。基板具有有源元件。第一电极与第二电极分别配置于基板上。第一电极电性连接至有源元件，且第一电极与第二电极之间的水平距离为W1。发光二极管配置于基板上，包括半导体迭层、第一接垫以及第二接垫。第一接垫接触第一电极，第二接垫接触第二电极，且半导体迭层的最大厚度为H1。挡墙配置于基板上且位于第一接垫与第二接垫之间，以避免第一接垫与第二接垫接触。挡墙的高度为H2且宽度为W2。H2≦1/2H1，且W2≦W1。且W2≦W1。且W2≦W1。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管显示器


[0001]本专利技术是有关于一种发光二极管显示器，且特别是有关于一种发光二极管显示器，其具有位于第一接垫与第二接垫之间的挡墙。

技术介绍

[0002]随着科技的进步，许多光电元件的体积逐渐往小型化发展，因而也会面临有许多的问题。目前，在发光二极管显示器的领域中，将倒片封装的发光二极管接合至基板的制程，通常是利用在高温、高压的环境下，使发光二极管上的两接垫熔融并分别接合至基板上的电极。然而，在将小型化的发光二极管(例如：微型发光二极管)接合至基板的过程中，常会因为微型发光二极管上的相邻两接垫的距离过近以及毛细现象的原因，导致熔融的两接垫连接在一起，进而使得接合至基板上的微型发光二极管发生短路。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种发光二极管显示器，可避免发光二极管上的两接垫于接合至基板时连接在一起，具有较佳的可靠度。
[0004]本专利技术的发光二极管显示器，具有多个子像素区。各子像素区包括基板、第一电极与第二电极、发光二极管以及至少一挡墙。基板具有有源元件。第一电极与第二电极分别配置于基板上。第一电极电性连接至有源元件，且第一电极与第二电极之间的水平距离为W1。发光二极管配置于基板上，包括半导体迭层、第一接垫以及第二接垫。第一接垫与第二接垫分别配置于半导体迭层上。第一接垫接触第一电极，第二接垫接触第二电极，且半导体迭层的最大厚度为H1。挡墙配置于基板上且位于第一接垫与第二接垫之间，以避免第一接垫与第二接垫接触。挡墙的高度为H2且宽度为W2。H2≦1/2H1，且W2≦W1。
[0005]在本专利技术的一实施例中，上述的挡墙位于第一电极与第二电极之间。挡墙于基板上的正投影、第一电极于基板上的正投影以及第二电极于基板上的正投影不重叠。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管显示器更包括：至少一隔板。隔板配置于发光二极管的至少一侧边，并位于相邻的子像素区之间。隔板具有反射性质。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管显示器于俯视时，挡墙的形状包括实心长条形、空心长方形、空心三角形、ㄑ字形、ㄈ字形以及日字形。
[0008]在本专利技术的一实施例中，当挡墙的形状为实心长条形时，挡墙的长度大于发光二极管的短边的长度。
[0009]在本专利技术的一实施例中，当挡墙的形状为实心长条形、ㄑ字形以及ㄈ字形时，挡墙的两端点皆位于发光二极管外。
[0010]在本专利技术的一实施例中，当挡墙的形状为空心长方形或空心三角形时，挡墙围绕第一接垫或第二接垫
[0011]在本专利技术的一实施例中，当挡墙的形状为ㄑ字形或ㄈ字形时，挡墙部分围绕第一接垫或第二接垫。
[0012]在本专利技术的一实施例中，当挡墙的形状为日字形时，挡墙包括第一空心区以及第二空心区。第一接垫位于第一空心区，且第二接垫位于第二空心区。
[0013]在本专利技术的一实施例中，上述的至少一挡墙为多个挡墙，且发光二极管显示器于俯视时，各挡墙的形状包括实心长条形、空心长方形、空心三角形、ㄑ字形以及ㄈ字形。
[0014]基于上述，在本专利技术的实施例的发光二极管显示器中，借由将挡墙配置于基板上，并使挡墙配置于第一接垫与第二接垫之间，以避免发光二极管上的第一接垫与第二接垫于接合至基板上时连接在一起而造成短路。如此一来，使得本专利技术的实施例的发光二极管显示器具有较佳的可靠度。
[0015]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0016]图1A为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的俯视示意图。
[0017]图1B为图1A的发光二极管显示器沿剖面线
Ⅰ-Ⅰ’
的剖面示意图。
[0018]图2A为本专利技术另一实施例的发光二极管显示器的俯视示意图。
[0019]图2B为图2A的发光二极管显示器沿剖面线
Ⅱ-Ⅱ’
的剖面示意图。
[0020]图3A至图3D为本专利技术多个实施例的发光二极管显示器的俯视示意图。
[0021]图4A至图4E为本专利技术多个实施例的发光二极管显示器的俯视示意图。
[0022]图5为本专利技术另一实施例的发光二极管显示器的剖面示意图。
[0023]其中，附图标记：
[0024]10、10a、10b:发光二极管显示器
[0025]100:子像素区
[0026]110:基板
[0027]110a:上表面
[0028]111:基底
[0029]112:有源元件
[0030]113:介电层
[0031]120:第一电极
[0032]121:第二电极
[0033]130:发光二极管
[0034]131、131c:半导体迭层
[0035]131a:第一表面
[0036]131b:第二表面
[0037]131d:第三表面
[0038]132、132a、132b、132c、132d、132e、132f、132g、132h:第一接垫
[0039]133、133a、133b、133c、133d、133e、133f、133g、133h:第二接垫
[0040]134:短边
[0041]140、140a、140b、140c1、140c2、140d1、140d2、140e、140f、140g、140h1、140h2、140i1、140i2、140j:挡墙
[0042]141、141j:顶表面
[0043]142、142j:底表面
[0044]143、143a、143b、143c1、143c2、143d1、143d2、144、144a、144b、144c1、144c2、144d1、144d2:端点
[0045]145e、145f、145g1、145g2、145h1、145h2:空心区
[0046]150:隔板
[0047]H1:最大厚度
[0048]H2、H3:高度
[0049]L1、L2:长度
[0050]W1:水平距离
[0051]W2:宽度
具体实施方式
[0052]下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：
[0053]在下文中将参照附图更全面地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本专利技术的精神或范围。
[0054]在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理和/或电性连接。再者，「电性连接」或「耦合」系可为二元件间存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管显示器，其特征在于，具有多个子像素区，且各该些子像素区包括：一基板，具有一有源元件；一第一电极与一第二电极，分别配置于该基板上，其中该第一电极电性连接至该有源元件，且该第一电极与该第二电极之间的水平距离为W1；一发光二极管，配置于该基板上，包括一半导体迭层、一第一接垫以及一第二接垫，其中该第一接垫与该第二接垫分别配置于该半导体迭层上，该第一接垫接触该第一电极，该第二接垫接触该第二电极，且该半导体迭层的最大厚度为H1；以及至少一挡墙，配置于该基板上且位于该第一接垫与该第二接垫之间，以避免该第一接垫与该第二接垫接触，其中该至少一挡墙的高度为H2且宽度为W2，其中H2≦1/2H1，且W2≦W1。2.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，该至少一挡墙位于该第一电极与该第二电极之间，且该至少一挡墙于该基板上的正投影、该第一电极于该基板上的正投影以及该第二电极于该基板上的正投影不重叠。3.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，更包括：至少一隔板，配置于该发光二极管的至少一侧边，并位于相邻的该些子像素区之间，其中该至少一隔板具有反射性质。4.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其特征在于，该发光二极管显...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝伊奋，吴宗典，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：