电子设备制造技术

本公开的实施例涉及电子设备。该电子设备包括撑构件；第一电子部件，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一电子部件被布置在支撑构件上，其中第二表面面向支撑构件，其中第一电子部件具有在相对的第一表面与第二表面之间的第一厚度；衬底；第二电子部件，被安装在衬底上，其中衬底被布置在支撑构件上，衬底具有与第二电子部件相对的、并且面向支撑构件的衬底表面，其中被组合的衬底、以及被安装在衬底上的第二电子部件具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度；以及封装模制材料，封装模制材料包封第二电子部件，但使第一电子部件的相对的第一表面和第二表面、以及衬底的衬底表面暴露。本公开的实施例能够实现较薄的总封装厚度。本公开的实施例能够实现较薄的总封装厚度。本公开的实施例能够实现较薄的总封装厚度。

【技术实现步骤摘要】
电子设备


[0001]本描述涉及电子设备。
[0002]一个或多个实施例可以被应用于诸如微机电系统(MEMS)类型传感器的传感器。

技术介绍

[0003]现今，包括微机电系统(MEMS)传感器和相关联的“辅助”(companion)芯片(诸如专用集成电路(ASIC))的电子设备在本领域中是常见的，其中MEMS部件被安装在辅助集成电路(IC)芯片上、或与辅助IC芯片布置于相同衬底上。
[0004]这种设备可以被封装在全模制封装中，全模制封装的厚度由衬底和模制框(mold chase)限定。
[0005]减小总的设备封装厚度是期望的目标，这可以通过如下方式来达到：通过改进工艺公差来减小衬底厚度和/或减小框厚度。
[0006]在该方向上的另一选项可以涉及移动到芯片级封装(CSP)工艺。注意，由于相关联的前端(FE)工艺的特定特征，CSP方案可能不适用于MEMS和其他传感器结构。
[0007]暴露半导体(硅)衬底的“顶”侧也已经被提出，主要目的是打开例如压力传感器或光学设备中的感测口。暴露衬底的“底”侧也已经被提出，以便改进来自封装的热耗散。
[0008]注意，这样的方案的限制因素与围绕(例如，嵌入)整个设备的衬底、框架和/或模制料的使用有关。
[0009]本领域中需要提供一种克服了前述缺点的解决方案。

技术实现思路

[0010]本申请人已经发现，常规的电子设备的封装厚度需要减小。
[0011]为了克服上述问题，本技术因此提供了一种电子设备。
>[0012]在一个方面中，提供了一种电子设备，其特征在于，包括：支撑构件；第一电子部件，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一电子部件被布置在支撑构件上，其中第二表面面向支撑构件，其中第一电子部件具有在相对的第一表面与第二表面之间的第一厚度；衬底；第二电子部件，被安装在衬底上，其中衬底被布置在支撑构件上，衬底具有与第二电子部件相对的、并且面向支撑构件的衬底表面，其中被组合的衬底、以及被安装在衬底上的第二电子部件具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度；以及封装模制材料，封装模制材料包封第二电子部件，但使第一电子部件的相对的第一表面和第二表面、以及衬底的衬底表面暴露。
[0013]在一些实施例中，该电子设备还包括在第二电子部件与衬底之间的导电构造，其中封装模制材料包封导电构造。
[0014]在一些实施例中，该电子设备还包括在第一电子部件与衬底之间的导电构造，其中封装模制材料包封导电构造。
[0015]在一些实施例中，该电子设备还包括在第一电子部件与第二电子部件之间的导电
构造，其中封装模制材料包封导电构造。
[0016]在一些实施例中，该电子设备还包括电磁屏蔽件，电磁屏蔽件在第一电子部件的相对的第一表面和第二表面中的至少一项之上。
[0017]在一些实施例中，其中第一电子部件包括压力传感器，并且其中压力口被提供在相对的第一表面和第二表面中的一项或多项处。
[0018]在一些实施例中，其中第一电子部件包括传感器，并且第二电子部件包括半导体集成电路芯片。
[0019]在一些实施例中，其中传感器是微机电系统传感器，并且其中半导体集成电路芯片是专用集成电路。
[0020]本公开的实施例能够实现较薄的总封装厚度。
附图说明
[0021]现在将参考附图仅通过示例的方式描述一个或多个实施例，其中：
[0022]图1A至图1E示出了用于制作一个实施例的方法步骤，
[0023]图2A至图2E示出了用于制作一个实施例的方法步骤，
[0024]图3A和3B示出了可能的变型，以及
[0025]图4A和4B示出了另一可能的变型。
具体实施方式
[0026]一个或多个实施例涉及将传感器部件(例如，MEMS部件)、以及被安装在相关联衬底上的辅助芯片(例如，ASIC)并排布置在支撑表面(例如，诸如条带)上。在提供传感器部件与辅助芯片之间电耦合之后，封装料被上模制在组件上。支撑条带被移除，使得所得的封装展现出与传感器部件的(单个)厚度基本对应的最终厚度。
[0027]在随后的描述中，一个或多个具体细节被说明，目的是提供对本描述示例实施例的深入理解。实施例可以在没有一个或多个具体细节的情况下，或者利用其他方法、组件、材料等获得。在其他情况下，已知的结构、材料或操作未被详细说明或描述，使得实施例的某些方面将不被模糊。
[0028]在本描述的框架中提及“实施例”或“一个实施例”意在指示与该实施例有关的所描述的特定配置、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，可能出现在本描述的一个或多个点中的诸如“在实施例中”或“在一个实施例中”的短语，并不一定指代相同实施例。而且，特定构造、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何适当的方式组合。
[0029]本文使用的附图标记仅出于方便而被提供，并且因此不限定保护范围或实施例的范围。
[0030]如本文所例示的一个或多个实施例便于提供一种用于电子设备的全模制封装，其适合于通过采用标准的和通常可用的技术来产生，同时追求所得设备总厚度的减小。
[0031]一个或多个实施例可以被应用于例如包括以下各项的电子设备10：
[0032]-至少一个第一电子部件12，诸如传感器(MEMS传感器是例示性的这种部件)，以及
[0033]-至少一个第二电子部件14，诸如被安装在相应衬底16上的相关联的辅助半导体集成电路芯片或裸片(ASIC是例示性的这种半导体IC芯片或裸片)。
[0034]名称“相应”强调了以下事实：在本文所例示的一个或多个实施例中，衬底16(其可以被认为是类似于印刷电路板或PCB)被配置为(仅)支撑半导体芯片14，而不支撑传感器部件12，使得衬底16的厚度不被添加到传感器12的厚度。
[0035]如本文所例示的，第一部件12将展现出前或“顶”表面12a、以及后或“底”表面12b，其中部件12的厚度由表面12a、12b之间的距离来标识。
[0036]如先前所讨论的，需要通过使这种厚度基本上由部件12(例如，诸如MEMS的传感器)部件的厚度来确定，来减小设备10的总厚度，可能地使部件12的两个表面或两侧(即，前表面12a和背表面12b)在封装表面处暴露。
[0037]在如图1A至图1E中的第一示例性序列的工艺步骤所描绘的一个或多个实施例中，(牺牲的)载体20(图1A)被提供，部件12(例如，传感器)和辅助部件14(例如，半导体芯片)并排布置在该载体20上，其中部件14安装在衬底16上。这可以经由如本领域中的常规的凸块18进行。
[0038]图1B至图1D是制造工艺中的示例性工艺步骤，该工艺步骤可以对被布置在条带状载体20上的多个相似结构或组件执行，这些结构最终在如图1D所例示的“切割”步骤中被分离，以提供单独的设备10(图1E)。
[0039]在一个或多个实施例中，载体20可以包括在集成电路(IC)的制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，其特征在于，包括：支撑构件；第一电子部件，具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第一电子部件被布置在所述支撑构件上，其中所述第二表面面向所述支撑构件，其中所述第一电子部件具有在相对的所述第一表面与所述第二表面之间的第一厚度；衬底；第二电子部件，被安装在所述衬底上，其中所述衬底被布置在所述支撑构件上，所述衬底具有与所述第二电子部件相对的、并且面向所述支撑构件的衬底表面，其中被组合的所述衬底、以及被安装在所述衬底上的所述第二电子部件具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；以及封装模制材料，所述封装模制材料包封所述第二电子部件，但使所述第一电子部件的相对的所述第一表面和所述第二表面、以及所述衬底的所述衬底表面暴露。2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，还包括在所述第二电子部件与所述衬底之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。3.根据权利要求1所述的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：