在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法技术

技术编号:27097331 阅读:41 留言:0更新日期:2021-01-25 18:36
一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素,硫族前体可以包括硫族元素。素。素。

【技术实现步骤摘要】
在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法


[0001]本公开涉及形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法。

技术介绍

[0002]过渡金属二硫族化物(TMD)是具有半导体特性的二维材料。过渡金属二硫族化物包括:两个硫族化物原子层,每个硫族化物原子层具有二维六边形蜂窝结构;以及一个金属原子层,插置在所述两个硫族化物原子层之间。
[0003]过渡金属二硫族化物是可以应用于各种器件的材料,因为它具有优良的电性能、其特性即使当其厚度减小到纳米尺度时也不发生很大变化并且它具有高迁移率。

技术实现思路

[0004]一个或更多个实施方式提供了形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法。
[0005]根据一实施方式,提供了一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法。该方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体包括过渡金属元素,硫族前体包括硫族元素。
[0006]额外的方面将在以下描述中部分地阐述且将部分地自该描述明显,或者可以通过本公开所呈现的实施方式的实践而被了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法,所述方法包括:用金属有机材料处理所述衬底;以及在所述衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在所述衬底上合成过渡金属二硫族化物,所述过渡金属前体包括过渡金属元素,所述硫族前体包括硫族元素。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属有机材料包括用于诱导所述过渡金属前体和所述硫族前体吸附到所述衬底上的金属。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属有机材料包括Al、Ti和Ni中的至少一种。4.根据权利要求3所述的方法,其中所述金属有机材料包括三甲基铝、三(脱甲基酰氨基)铝、三异丁基铝、钛异丙氧化物、四(二甲基酰氨基)钛、双(环戊二烯基)镍和双(乙基环戊二烯基)镍中的至少一种。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述过渡金属二硫族化物由下面的式1表示:M
1-a
M
a
'X
2(1-b)
X
2b
'
………
<式1>其中,在式1中,M和M'是彼此不同的过渡金属元素,X和X'是彼此不同的硫族元素,0≤a<1,并且0≤b<1。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述过渡金属元素包括Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Tc、Re、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Zn和Sn中的至少一种,以及所述硫族元素包括S、Se和Te中的至少一种。7.根据权利要求1所述的方法,其中所述过渡金属前体包括过渡金属卤化物。8.根据权利要求7所述的方法,其中所述过渡金属卤化物包括MoF3、MoF6、MoF4、Mo4F
20
、MoCl2、MoCl3、MoCl6、MoCl4、MoCl5、MoBr3、MoBr4、MoI2、MoI3、MoI4、WF6、WF4、[WF5]4、WCl2、WCl6、WCl4、[WCl5]2、[W6Cl
12
]Cl6、WBr3、WBr6、WBr4、WBr5、W6Br
14
、WI2、WI3、WI4、VF2、VF3、VF4、VF5、VCl2、VCl3、VCl4、VBr2、VBr3、VBr4、VI2、VI3、VI4、NbCl3、NbCl4、NbCl5、NbBr4、NbBr5、NbI3、NbI4、NbI5、TaF3、[TaF5]4、TaCl3、TaCl4、TaCl5、TaBr3、TaBr4、TaBr5、TaI4、TaI5、TiF2、TiF3、TiF4、TiCl4、TiCl3、TiCl2、TiBr3、TiBr4、HfCl4、HfBr2、HfBr4、HfI3、HfI4、ZrF4、ZrCl2、ZrCl3、ZrCl4、ZrBr3、ZrBr4、ZrI2、ZrI3、ZrI4、TcF6、TcF5、TcCl4、TcCl6、TcBr4、ReF6、ReF4、ReF5、ReF7、Re3Cl9、ReCl5、ReCl4、ReCl6、ReBr3、ReBr4、ReBr5、ReI3、ReI4、CoF2、CoF3、CoF4、CoCl2、CoCl3、CoBr2、CoI2、RhF3、RhF6、RhF4、[RhF5]4、RhCl3、RhBr3、RhI3、IrF3、IrF6、IrF4、[IrF5]4、IrCl2、IrCl3、IrCl4、IrBr2、IrBr3、IrBr4、IrI2、IrI3、IrI4、NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2、PdF2、PdF4、PdCl2、PdBr2、PdI2、PtF6、PtF4、[PtF5]4、PtCl2、PtCl3、PtCl4、Pt6Cl
12
、PtBr2、PtBr...

【专利技术属性】
技术研发人员:卞卿溵金亨燮朴台镇金会俊申铉振安元植M林赵连柱
申请(专利权)人:成均馆大学校产学协力团
类型:发明
国别省市:

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