具有偏置机构的设备及其操作方法技术

技术编号:27095790 阅读:37 留言:0更新日期:2021-01-25 18:33
本申请涉及一种具有偏置机构的设备及其操作方法。描述与存储装置相关的方法、设备和系统。所述存储装置可以包括感测放大器,所述感测放大器被配置成同时对其中的感测节点预充电,并对其中任意晶体管之间的阈值电压失配进行补偿。所述感测放大器可以被配置成在不连接单独的预充电电压的情况下对其中的连线节点充电。点充电。点充电。

【技术实现步骤摘要】
具有偏置机构的设备及其操作方法


[0001]所公开的实施例涉及装置,尤其涉及具有自偏置机构的半导体存储装置及其操作方法。

技术介绍

[0002]设备(例如,处理器、存储系统和/或其它电子设备)可以包括配置成存储和/或处理信息的一或多个半导体电路。例如,设备可以包括存储装置,例如易失性存储装置、非易失性存储装置或组合装置。存储装置,例如动态随机存取存储器(DRAM),可以利用电能来存储和访问数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面,本申请涉及一种设备,包含:连接到第一功率节点的第一组功率晶体管;连接到第二功率节点的第二组功率晶体管;连接在所述第一和第二组功率晶体管之间的隔离晶体管,其中:所述隔离晶体管在连线节点处连接到所述第一组功率晶体管,以及所述隔离晶体管在感测节点处连接到所述第二组功率晶体管;以及至少一个均衡晶体管,位于至少一对所述连线节点之间。
[0004]在另一方面,本申请涉及一种操作设备的方法,所述方法包含:增加一或多个功率节点处的电压电平,其中感测节点与连线节点隔离,所述连线节点电耦合在一起;去激活均衡晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备,包含:连接到第一功率节点的第一组功率晶体管;连接到第二功率节点的第二组功率晶体管;连接在所述第一和第二组功率晶体管之间的隔离晶体管,其中:所述隔离晶体管在连线节点处连接到所述第一组功率晶体管,以及所述隔离晶体管在感测节点处连接到所述第二组功率晶体管;以及至少一个均衡晶体管,位于至少一对所述连线节点之间。2.根据权利要求1所述的设备,其中:所述第一组功率晶体管中的每个晶体管连接到唯一的隔离晶体管;每个所述隔离晶体管连接到所述第二组功率晶体管中的唯一晶体管;以及每个所述感测节点连接到可配置成将存储单元连接到相应感测节点的数位线。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述连线节点同与所述第一和第二功率节点以及所述感测节点分离的电压电隔离。4.根据权利要求3所述的设备,其中所述连线节点与数位线预充电电压(VBLP)隔离。5.根据权利要求1所述的设备,其中:所述均衡晶体管被配置成在激活时在所述连线节点之间提供直接电连接;以及每个所述隔离晶体管被配置成在激活时在相应的感测节点和相应的连线节点之间提供直接电连接。6.根据权利要求1所述的设备,其中:所述第一组功率晶体管包括第一组第一晶体管和第一组第二晶体管;所述第二组功率晶体管包括第二组第一晶体管和第二组第二晶体管;所述隔离晶体管包括第一隔离晶体管和第二隔离晶体管;所述连线节点包括第一连线节点和第二连线节点,其中:所述第一连线节点包括所述第一组第一晶体管和所述第一隔离晶体管之间的连接,以及所述第二连线节点包括所述第一组第二晶体管和所述第二隔离晶体管之间的连接;以及所述感测节点包括第一感测节点和第二感测节点,其中:所述第一感测节点包括所述第二组第一晶体管和所述第一隔离晶体管之间的连接,以及所述第二感测节点包括所述第二组第二晶体管和所述第二隔离晶体管之间的连接。7.根据权利要求6所述的设备,其中:所述第一连线节点包括所述第一组第一晶体管的端子、所述第一组第二晶体管的端子、所述均衡晶体管的第一端子、所述第一隔离晶体管的端子和/或所述第二组第二晶体管的端子之间的直接接触或直接电连接;以及所述第二连线节点包括所述第二组第一晶体管的端子、所述第二组第二晶体管的端子、所述均衡晶体管的第二端子、所述第二隔离晶体管的端子和/或所述第二组第一晶体管的端子之间的直接接触或直接电连接。8.根据权利要求6所述的设备,其中:
所述第一组第一晶体管包括连接到所述第一功率节点的第一端子、连接到所述第一连线节点的第二端子和连接到所述第二连线节点的控制端子;所述第一组第二晶体管包括连接到所述第一功率节点的第一端子、连接到所述第二连线节点的第二端子和连接到所述第一连线节点的控制端子;所述均衡晶体管包括连接到所述第一连线节点的第一端子和连接到所述第二连线节点的第二端子;所述第一隔离晶体管包括连接到所述第一连线节点的第一端子和连接到所述第一感测节点的第二端子;所述第二隔离晶体管包括连接到所述第二连线节点的第一端子和连接到所述第二感测节点的第二端子;所述第二组第一晶体管包括连接到所述第一感测节点的第一端子、连接到所述第二功率节点的第二端子以及连接到所述第二连线节点的控制节点;以及所述第二组第二晶体管包括连接到所述第二感测节点的第一端子、连接到所述第二功率节点的第二端子以及连接到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:李奎锡
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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