磁阻式随机存取存储器制造技术

本发明专利技术公开一种磁阻式随机存储器结构，其包括多个存储单元阵列区、多个磁阻式随机存取存储器单元设置于该存储单元阵列区中、一氮化硅衬层共形地覆盖在该多个磁阻式随机存取存储器单元之上、一原子层沉积介电层覆盖在该存储单元阵列区中的该氮化硅衬层上，其中该原子层沉积介电层的表面呈曲面型态下凹延伸至该些存储单元阵列区的边界的该氮化硅衬层处、以及一超低介电常数介电层覆盖在该原子层沉积介电层上。介电层上。介电层上。

【技术实现步骤摘要】
磁阻式随机存取存储器


[0001]本专利技术涉及一种磁阻式随机存储器结构，更具体言之，其涉及一种具有特殊介电层外形的磁阻式随机存储器结构。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义是，在有无磁场下的电阻差除以原先的电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以持续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统的电子罗盘零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有多种的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,AMR)感测元件、巨磁阻(giant magnetoresistanc本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁阻式随机存储器结构，其特征在于，包括：基底，具有多个存储单元阵列区；多个磁阻式随机存取存储器单元，设置于该存储单元阵列区中；氮化硅衬层，共形地覆盖在该基底以及该多个磁阻式随机存取存储器单元之上；原子层沉积介电层，覆盖在该存储单元阵列区中的该氮化硅衬层上，其中该原子层沉积介电层的表面呈曲面型态下凹延伸至该些存储单元阵列区的边界的该氮化硅衬层处；以及超低介电常数介电层，覆盖在该原子层沉积介电层上。2.根据权利要求1所述的磁阻式随机存储器结构，其中位于该磁阻式随机存取存储器单元上方的该氮化硅衬层从该原子层沉积介电层中裸露出来，该裸露出的氮化硅衬层与该原子层沉积介电层的表面切齐。3.根据权利要求1所述的磁阻式随机存储器结构，其中该原子层沉积介电层具有凹陷处位于该存储单元阵列区的该些磁阻式随机存取存储器单元之间。4.根据权利要求1所述的磁阻式随机存储器结构，其中该原子层沉积介电层与该超低介电常数介电层的介电常数不同。5.根据权利要求1所述的磁阻式随机存储器结构，其中每个该磁阻式随机存取存储器单元包含：下电极，位于该基底上；磁性隧穿结，位于该下电极上方；以及上电极，位于该磁性隧穿结上方。6.根据权利要求5所述的磁阻式随机存储器结构，还包含导电插塞，将该磁阻式随机存取存储器单元的该下电极连接到该基底中的金属层。7.根据权利要求1所述的磁阻式随机存储器结构，还包含四乙氧基硅烷(TEOS)层，位于该基底与该氮化硅衬层之间。8.一种磁阻式随机存储器结构，其特征在于，包括：基底，具有多个存储单元阵列区以及介于该些存储单元阵列区之间的字符线区；多个磁阻式随机存取存储器单元，设置于该基底的该些存储单元阵列区...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧琳，翁宸毅，刘盈成，李怡慧，谢晋阳，施易安，张境尹，曾奕铭，王裕平，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：