液晶显示装置和用于该液晶显示装置的光学膜组件制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括液晶显示面板和光学膜组件。所述液晶显示面板包括两个基底和置于这两个基底之间的液晶层，并且具有多个限定在单位像素中的多畴。所述光学膜组件包括双轴膜和与该双轴膜整体形成的偏振膜。此外，双轴膜被靠近液晶单元设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示装置和用于该液晶显示装置的光学膜组件。更具体地讲，本专利技术涉及一种厚度薄的液晶显示装置以及一种用于该液晶显示装置的降低了制造成本的光学膜组件。
技术介绍
例如，LCD装置可包括阵列基底(或TFT基底)，薄膜晶体管(TFT)形成在该阵列基底上，用于开关各个像素；相对的基底(或滤色器基底)，公共电极形成在该相对的基底上；液晶层，置于所述阵列基底和所述相对的基底之间。LCD装置通过向液晶层施加电压从而控制光透射率来显示图像。因为光在未被液晶阻挡的范围内传播，所以LCD装置的视角相对窄。因此，为了增大LCD装置的视角，LCD装置可采用垂直取向(VA)模式。例如，构造为采用VA模式的传统的LCD装置可包括两个基底和置于所述两个基底之间的液晶层。例如，所述液晶层可包括具有负型的介电常数各向异性的液晶材料。而且，所述液晶层的液晶分子可以以垂直取向模式取向。当没有电压施加到所述基底时，在上述传统的LCD装置的操作期间，液晶分子以垂直取向，从而显示黑色。但是，当预定的电压施加到所述基底(例如，施加到阵列基底的控制电极和滤色器基底的相关的公共电极)时，所述液晶分子以水平取向，从而显示白色。此外，当小于预定电压的电压施加到所述基底时，所述液晶分子相对于所述基底的表面倾斜，从而显示灰色。然而，对于传统的LCD装置，特别对于中小尺寸的LCD装置，会出现窄视角和梯度(gradation)反转。为了防止上面提到的窄视角和梯度反转发生，中小尺寸的LCD装置已被构造为采用图案化垂直取向(PVA)模式结构。具有PVA模式的LCD装置可包括在滤色器基底上图案化并形成的公共电极层和在阵列基底上图案化并形成的像素电极层。当形成PVA结构时，可需要包括在阵列基底和滤色器基底上将氧化铟锡(ITO)图案化的工艺。然而，为了当制造滤色器时单独对ITO层图案化，也可需要另外的工艺，诸如光刻工艺、显影工艺、刻蚀工艺和PR剥除工艺，从而也增加了制造LCD装置的成本。因此，需要改进的LCD装置，其与传统的LCD装置相比也可降低制造成本。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种具有减小了的厚度的光学膜组件，从而减小具有该光学膜的液晶显示装置的厚度，并且也降低了制造所述液晶显示装置的成本。本专利技术的实施例还提供了一种具有所述光学膜组件的液晶显示装置。根据本专利技术的实施例，提供了一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括液晶显示面板和光学膜组件。所述液晶显示面板包括两个基底和置于这两个基底之间的液晶层。此外，所述液晶显示面板具有多个限定在单位像素中的多畴。所述光学膜包括双轴膜和与双轴膜整体形成的偏振膜。所述双轴膜被靠近所述液晶显示面板设置。而且，所述光学膜组件设置在所述液晶显示面板的下方和上方。根据本专利技术的实施例，提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括液晶显示面板和光学膜组件。所述液晶显示面板包括两个基底和置于这两个基底之间的液晶层。所述液晶层中的液晶分子相对于所述基底以大约90度角取向。所述光学膜组件设置在所述液晶显示面板的下方和上方。此外，所述光学膜包括双轴膜和与双轴膜整体形成的偏振膜。所述双轴膜被相对靠近所述液晶显示面板设置。根据本专利技术的另一实施例，提供了一种光学膜组件。该光学膜组件包括双轴膜和偏振膜。光学膜组件改变所提供的穿过液晶单元的光的特性。所述双轴膜被靠近所述液晶单元设置。所述偏振膜被远离所述液晶单元设置。此外，所述偏振膜与所述双轴膜整体地形成。根据本专利技术实施例的光学膜组件和具有该光学膜组件的液晶显示装置，表面方向的延迟Ro为λ/4且厚度方向的延迟Rth为大约160nm的双轴膜被靠近液晶显示面板设置，偏振膜附于所述双轴膜，从而光学膜可变薄，并且可降低制造光学膜或液晶显示装置的成本。附图说明从下面结合附图的描述中，可更详细地理解本专利技术的示例性实施例，附图中图1是示出根据本专利技术实施例的液晶显示装置的一部分的平面图；图2是沿图1中的线I-I’截取的剖视图；图3是用于解释图1中示出的液晶显示装置的操作的剖视图；图4是示出在具有多畴的液晶显示装置中观察到的纹理(texture)的图像；图5是示出图4中的纹理被根据本专利技术实施例的光学膜组件消除的图像；图6是用来解释光学膜部分，特别是置于上基底上的上光学膜的剖视图；图7、图8和图9是用来解释具有根据本专利技术实施例的光学膜的液晶显示装置的视角特性的图；图10、图11和图12是用来解释具有根据本专利技术实施例的光学膜的液晶显示装置的视角特性的图；图13是用来解释沿着根据本专利技术实施例的双轴膜的厚度方向与厚度方向的延迟Rth为大约160nm相对应的视角特性的图；图14是用来解释沿着根据本专利技术实施例的双轴膜的厚度方向与厚度方向的延迟Rth为大约600nm相对应的视角特性的图；图15是用来解释沿着根据本专利技术实施例的双轴膜的厚度方向与厚度方向的延迟Rth为大约320nm相对应的视角特性的图；图16是根据本专利技术另一实施例的液晶显示装置的剖视图；图17是简单地示出在图16中示出的液晶层的剖视图。具体实施例方式下面，将参照附图更加全面地描述本专利技术，附图中示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以多种不同的方式实施，而不应理解为限于这里提出的实施例。图1是示出根据本专利技术实施例的液晶显示装置的一部分的平面图，图2是沿图1中的线I-I’截取的剖视图。具体地讲，图1和图2示出了一种包括阵列基底和滤色器基底(或相对的基底)的透射型液晶显示装置，所述阵列基底具有三个子电极，所述滤色器基底具有与所述子电极的各个中心部分相对应的孔。参照图1和图2，液晶显示装置包括阵列基底100、液晶层200、与阵列基底100组合以容纳液晶层200的滤色器基底300、置于阵列基底100的下方的下光学膜部分410以及置于滤色器基底300的上方的上光学膜部分420。阵列基底100包括栅极线110、栅电极112、底部图案111和栅极绝缘层113。栅极线110置于透明基底105上，且在水平方向上延伸。栅电极112从栅极线110延伸。底部图案111与栅极线110分开，并且底部图案111与单位像素区域的中心部分对应的一部分是开口的。栅极绝缘层113覆盖栅极线110和栅电极112。例如，栅极绝缘层113包括硅氮化物(SiNx)。阵列基底100还可包括半导体层114，包括半导体材料诸如非晶硅(a-Si)；杂质注入的半导体层115，包括杂质注入半导体材料诸如形成在半导体层114上的n+a-Si；源极线120，在竖向上延伸；源电极122，从源极线120延伸；漏电极124，与源电极122分隔开。栅电极112、半导体层114、杂质注入的半导体层115、源电极122和漏电极124限定薄膜晶体管(TFT)。栅极线110和源极线120可被形成为具有单层结构或双层结构。例如，当栅极线110和源极线120具有单层结构时，栅极线110和源极线120可包含铝(Al)或铝合金诸如(AlNd)。此外，例如，当栅极线110和源极线120具有双层结构时，栅极线110和源极线120包括下层和上层。所述下层可包含具有优良的物理/化学特性的材料，诸如铬(Cr)、钼(Mo)以及钼的合金膜。所述上层可包含具有低电阻率的材料，诸如铝(Al)或铝合金。阵列基底100还可包括连续沉积的钝化层130和有机绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，包括：液晶显示面板，包括两个基底和置于所述基底之间的液晶层，所述液晶显示面板具有多个限定在单位像素中的多畴；光学膜组件，设置在所述液晶显示面板的下方和上方，所述光学膜包括双轴膜和与所述双轴膜整体形成的偏振膜，所述双轴膜被靠近所述液晶显示面板设置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李宰瑛，朴源祥，尹海荣，金宰贤，林载翊，李承珪，崔智妍，吴周姬，徐惠珍，车圣恩，张瑛珠，金尚佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]