一种正交耦合器制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种正交耦合器，该正交耦合器包括：承载结构、设置于承载结构上的PCB介质基板、附着在PCB介质基板背后的局部开窗金属、附着在PCB介质基板上的第一耦合线和第二耦合线；套设于第一耦合线和第二耦合线外的PCB基片、以及设置于PCB介质基板上的第一贴片。承载结构上凹设有第一凹槽，贴合PCB基片设置，PCB基片通过设在底部的金属与第一凹槽连接；第一贴片由与PCB介质基板相同的材料和附着金属组成，置于第一耦合线和第二耦合线上；附着在PCB介质基板背后的局部开窗金属，形成第二贴片，第二贴片与第一贴片尺寸相同，且第二贴片以PCB介质基板为基础，金属附着于PCB介质基板背部。本实用新型专利技术实施例，提供一种正交耦合器，可以解决正交耦合器耦合度低、功率分配正交特性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种正交耦合器
本技术实施例涉及微波
，尤其涉及一种正交耦合器。
技术介绍
目前，随着微波技术的逐步发展，正交耦合器逐渐被应用于各个射频电路中，以将微波信号按一定的比例进行功率分配。通常，可以将无屏蔽的两个传输线贴合设置，并对该两个传输线中的一个传输线通入电信号，以使得该一个传输线产生电磁场，并通过该电磁场作用于另一个传输线，从而该两个传输线之间可以进行功率耦合，以将该电信号进行功率分配。但是，由于正交耦合器受限于耦合微带线的线宽、间距、以及辐射特性，可能会导致正交耦合器耦合度较低，如此会导致正交耦合器的耦合性能下降和功率分配正交特性变差。
技术实现思路
本技术实施例提供一种正交耦合器，可以解决正交耦合器耦合度低、功率分配正交特性差的问题。为了解决上述技术问题，本技术实施例采用如下技术方案：本技术实施例的第一方面，提供一种正交耦合器，该正交耦合器包括：承载结构、设置于承载结构上的PCB介质基板、附着在PCB介质基板背后的局部开窗金属、附着在PCB介质基板上的第一耦合线和第二耦合线；套设于第一耦合线和第二耦合线外的PCB基片、以及设置于PCB介质基板上的第一贴片。其中，承载结构上凹设有第一凹槽，贴合PCB基片设置于第一凹槽内，PCB基片通过设在底部的金属与第一凹槽连接；第一贴片由与PCB介质基板相同的材料和附着金属组成，置于第一耦合线和第二耦合线上；附着在PCB介质基板背后的局部开窗金属，形成第二贴片，第二贴片与第一贴片尺寸相同，且第二贴片以PCB介质基板为基础，金属附着于PCB介质基板背部。在本技术实施例中，该正交耦合器包括：承载结构、设置于承载结构上的PCB介质基板、附着在PCB介质基板背后的局部开窗金属、附着在PCB介质基板上的第一耦合线和第二耦合线；套设于第一耦合线和第二耦合线外的PCB基片、以及设置于PCB介质基板上的第一贴片。其中，承载结构上凹设有第一凹槽，贴合PCB基片设置，PCB基片通过设在底部的金属与第一凹槽连接；第一贴片由与PCB介质基板相同的材料和附着金属组成，置于第一耦合线和第二耦合线上；附着在PCB介质基板背后的局部开窗金属，形成第二贴片，第二贴片与第一贴片尺寸相同，且第二贴片以PCB介质基板为基础，金属附着于PCB介质基板背部。由于可以采用的微带线和上下等厚度的贴片以及结合对应的第一凹槽，可以正确的实现宽带正交耦合的特性；并且本实施例采用结构开槽添加PCB基片、PCB基板的方式，将设计的耦合微带线和下部的第二贴片在同一块PCB板上设计完成和实现，有利于对位的精确实现。附图说明图1为本技术实施例提供的一种正交耦合器的剖面图；图2为本技术实施例提供的一种正交耦合器的俯视图；图3为本技术实施例提供的一种正交耦合器的左视图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例的说明书和权利要求书中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述对象的特定顺序。例如，第一耦合线和第二耦合线等是用于区别不同的媒体文件，而不是用于描述媒体文件的特定顺序。在本技术实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指两个或两个以上。例如，多个元件是指两个元件或两个以上元件。本文中术语“和/或”，是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，显示面板和/或背光，可以表示：单独存在显示面板，同时存在显示面板和背光，单独存在背光这三种情况。本文中符号“/”表示关联对象是或者的关系，例如输入/输出表示输入或者输出。在本技术实施例中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本技术实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。本技术实施例提供一种正交耦合器，由于可以采用的微带线和上下等厚度的贴片以及结合对应的第一凹槽，正确的实现宽带正交耦合的特性；并且本实施例采用结构开槽、槽中添加PCB介质基片、覆盖PCB基板的方式，将设计的微带耦合器和下部的第二子贴片在同一块PCB板上设计完成和实现，有利于对位的精确实现。下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本技术实施例提供的一种正交耦合器进行详细地说明。本技术实施例提供的一种正交耦合器，图1至3示出了本技术实施例提供的一种正交耦合器的结构示意图。如图1至3所示，本技术实施例的正交耦合器包括：承载结构11、设置于承载结构11上的PCB介质基板14上的第一耦合线12和第二耦合线13、以及置于PCB介质基板14上且附有金属的第一贴片17。本技术实施例中，上述承载结构11上凹设有第一凹槽16，第一凹槽16内部填充有基于PCB介质基板14相同材料、底层附有金属的PCB基片18，该PCB基片18底部与第一凹槽16相连，其厚度和槽深相等。PCB介质基板14背部，即第二表面上的金属开有凹槽大小的窗口，并保留与第一贴片17尺寸相同、位置垂直对准的金属，形成第二贴片。可选的，本技术实施例中，上述承载结构11具体可以为金属材料制备而成，该金属材料可以为以下任一项：铝材料、铝合金材料和铁等金属材料。可选的，本技术实施例中，上述第一耦合线和第二耦合线具体可以由金属材料制成；该第一耦合线包括耦合微带线、参考地阶跃部分和耦合线补偿部分；该第二耦合线包括耦合微带线、参考地阶跃部分和耦合线补偿部分。可以理解，可以通过对第一耦合线的参考地阶跃部分、耦合线补偿部分进调整，以对该第一耦合线的性能进行微调；可以通过对第二耦合线的参考地阶跃部分、耦合线补偿部分进调整，以对该第二耦合线的性能进行微调。可选的，本技术实施例中，第一耦合线的耦合微带线的长度可以为L，宽度可以为W；该第一耦合线的参考地阶跃部分的长度可以为L1、宽度可以为W、耦合线补偿部分的长度可以为L2、宽度可以为W。可选的，本技术实施例中，W可以为0.8mm，L1可以为0.2mm，L2可以为0.1mm，50欧姆微带线线宽是基于低介电常数材料和板材厚度计算得到的；第一耦合线和第二耦合线之间的距离S＝0.15mm。可以理解，W可以影响正交耦合器的耦合强度，第一耦合线和第二耦合线之间的距离S的大小影响耦合器的耦合强度。可选的，本技术实施例，上述基板具体可以为低介电常数材料制备而成，该基板的厚度h1可以为0.127mm。可选的，本技术实施例中，上述第一凹槽的尺寸(例如长度或宽度)可以大于第一耦合线和第二耦合线的尺寸(例如长度或宽度)，其尺寸可以随本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正交耦合器，其特征在于，所述正交耦合器包括：/n承载结构、设置于承载结构上的PCB介质基板、附着在所述PCB介质基板背后的局部开窗金属、附着在PCB介质基板上的第一耦合线和第二耦合线；套设于所述第一耦合线和所述第二耦合线外的PCB基片、以及设置于所述PCB介质基板上的第一贴片；/n其中，承载结构上凹设有第一凹槽，贴合所述PCB基片设置，所述PCB基片通过设在底部的金属与所述第一凹槽连接；所述第一贴片由与所述PCB介质基板相同的材料和附着金属组成，置于所述第一耦合线和所述第二耦合线上；附着在所述PCB介质基板背后的局部开窗金属，形成第二贴片，所述第二贴片与所述第一贴片尺寸相同，且所述第二贴片以PCB介质基板为基础，金属附着于所述PCB介质基板背部。/n

【技术特征摘要】
1.一种正交耦合器，其特征在于，所述正交耦合器包括：
承载结构、设置于承载结构上的PCB介质基板、附着在所述PCB介质基板背后的局部开窗金属、附着在PCB介质基板上的第一耦合线和第二耦合线；套设于所述第一耦合线和所述第二耦合线外的PCB基片、以及设置于所述PCB介质基板上的第一贴片；
其中，承载结构上凹设有第一凹槽，贴合所述PCB基片设置，所述PCB基片通过设在底部的金属与所述第一凹槽连接；所述第一贴片由与所述PCB介质基板相同的材料和附着金属组成，置于所述第一耦合线和所述第二耦合线上；附着在所述PCB介质基板背后的局部开窗金属，形成第二贴片，所述第二贴片与所述第一贴片尺寸相同，且所述第二贴片以PCB介质基板为基础，金属附着于所述PCB介质基板背部。


2.根据权利要求1所述的正交耦合器，其特征在于，所述第一贴片与所述第二贴片相互平行设置。


3.根据权利要求1或2所述的正交耦合器，其特征在于，所述第一贴片PCB介质材料与耦合线基板介质材料厚度相同,第一贴片金属和所述PCB介质基板上所述第一耦合线和所述第二耦合线，以及所述第二贴片的金属之间等间隔设置。

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【专利技术属性】
技术研发人员：吴树辉，
申请(专利权)人：西安博瑞集信电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61