一种容性耦合装置及滤波器制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种容性耦合装置及滤波器。它至少包括相互连接的第一介质谐振器和第二介质谐振器，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置的本体表面上设有第一隔断层，所述第一隔断层为设有开口的环形圈，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间设有连接段，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间通过所述第一隔断层和连接段实现负耦合。本实用新型专利技术在两个介质谐振器之间的表面上设置开口的环形的隔断层，通过该隔断层及两个介质谐振器之间的连接段实现两个介质谐振器之间的负耦合，结构简单，加工更方便；同时也可以在隔断层的内侧或外侧设置负耦合盲孔来配合调节耦合量，设计更合理。

【技术实现步骤摘要】
一种容性耦合装置及滤波器
本技术属于通信
，具体涉及一种容性耦合装置及滤波器。
技术介绍
在通信领域，随着技术的发展，对于系统内滤波器的性能要求越来越高。随着要求的提高，基站端大功率微波滤波器呈现出指标高，体积小，低成本的特征。在实现这些高性能滤波器的时候，受限于腔体尺寸，滤波器需要使用新的材料或技术实现。受限于介质滤波器的材料特性，一般在设计滤波器时需要加入传输零点。而介质滤波器，在实现容性交叉耦合时，相较于金属滤波器更加困难。现有设计中，专利号201310688407.3公开了三种可行的方案，其一为零腔设计实现容性交叉耦合的方案；其二为采用两个腔进行180度相位翻转实现容性交叉耦合的方案；其三为在介质耦合窗口上打孔(孔内不设置电磁屏蔽层)，螺杆深入孔中距离孔底约2mm以内，然后采用盖板或螺杆套方式固定，从而实现容性交叉耦合的方案。容性耦合装置对于方案一和方案二，每实现一个容性交叉耦合，就需要在水平方向多占用一个腔的空间；对于方案三，为了使极性翻转，需要增加螺杆套或盖板，也需要在垂直方向增加高度空间，从而不利于空间比较严苛的介质滤波器设计，为此需要对现有技术进行改进。现有设计中，专利号201811036762.1公开了一种可行的方案，一种容性耦合装置，包括多个实心的介质单体，所述相邻的介质单体之间拼接连接，至少一个相邻介质单体的拼接面上设置有容性耦合结构，所述容性耦合结构包括第一盲孔和表面未金属化的第一空气耦合窗口，所述相邻介质单体的拼接面的一侧沿竖向对应位置处设有相匹配的半凹槽，两个相匹配的半凹槽拼接后形成所述第一盲孔，所述第一盲孔的深度大于等于所述空气耦合窗口深度的1/2且小于第一空气耦合窗口深度，所述第一盲孔的内壁和底部上设置有金属屏蔽层，所述第一空气耦合窗口设置于第一盲孔的两侧及底部。多个介质单体需拼接连接，生产难度大，需进一步优化改进设计。也有是在两个谐振器之间设置一个通孔或者盲孔形式的负耦合盲孔实现两个谐振器之间的负耦合，受布置位置的限制，这种形式的负耦合引起的二次谐波距离滤波器通带较近，带外抑制有一定影响。
技术实现思路
本技术的目的就是为了解决上述
技术介绍
存在的不足，提供一种结构简单、耦合强度高的容性耦合装置及滤波器。本技术采用的技术方案是：一种容性耦合装置，至少包括相互连接的第一介质谐振器和第二介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调谐孔，所述调谐孔为盲孔，所述本体表面覆盖有导电层，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置的本体表面上设有第一隔断层，所述第一隔断层为设有开口的环形圈，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间设有连接段，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间通过所述第一隔断层和连接段实现负耦合。进一步地，还包括至少一个负耦合盲孔，所述负耦合盲孔位于设置有第一隔断层的本体表面上。进一步地，所述负耦合盲孔位于所述环形圈的环形内侧或外侧。进一步地，所述第一隔断层形状为设有开口的方形、圆形、椭圆形、腰圆形中的任意一种。进一步地，所述第一隔断层由本体表面未设导电层的一圈介质层组成。进一步地，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置两侧的本体表面上均设有第一隔断层。进一步地，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间非连接的位置形成第二隔断层。进一步地，所述第二隔断层为设置于第一介质谐振器与第二介质谐振器之间的通槽或通孔。更进一步地，所述第二隔断层为设置于第一介质谐振器与第二介质谐振器之间衔接面上的屏蔽层。一种滤波器，所述滤波器至少包含一个如上述的任意一项容性耦合装置。本技术的有益效果是：本技术在两个介质谐振器之间的表面上设置开口的环形的隔断层，通过该隔断层及两个介质谐振器之间的连接段实现两个介质谐振器之间的负耦合，结构简单，加工更方便；同时也可以在隔断层内侧或外侧设置负耦合盲孔来配合调节耦合量，设计更合理。该结构用于滤波器中，可以在滤波器的通带低端形成传输零点，增加了滤波器的矩形系数，从而提高滤波器性能，降低滤波器的体积；同时通过调节第一隔断层的面积及宽度、耦合孔导电层面积，可以使得负耦合的耦合量范围更宽，使二次谐波位置会往更远处推移，并降低二次谐波的幅度。附图说明图1为本技术的正面示意图。图2为图1中A-A剖面图。图3为本技术的背面示意图。图4为本技术的立体示意图。图中：1-第一介质谐振器；2-第二介质谐振器；3-调谐孔；4-第一个断层；5-开口；6-连接段；7-负耦合盲孔；8-第二隔断层；9-本体表面。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本技术，但并不构成对本技术的限定。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以互相结合。如图1-4所示，本技术提供一种容性耦合装置，包括相互连接的第一介质谐振器1和第二介质谐振器2，该第一介质谐振器1和第二介质谐振器2包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面9的调谐孔3，所述第一介质谐振器1和第二介质谐振器2的本体表面设有导电层，调谐孔3为盲孔，调谐孔3内壁设有导电层，调谐孔3分布于第一隔断层的外侧。所述第一介质谐振器1与第二介质谐振器2连接位置的本体表面上设有第一隔断层4，所述第一隔断层4为设有开口5的环形圈，所述第一介质谐振器1与第二介质谐振器2之间设有一体化的连接段6，该第一隔断层4围绕的部分及连接段6形成负耦合区域，所述第一介质谐振器1与第二介质谐振器2之间通过所述第一隔断层4和连接段6实现负耦合。当第一介质谐振器1与第二介质谐振器2两侧的本体表面均连接时，可以在两侧均设置第一隔断层4。第一隔断层4设置在第一介质谐振器1与第二介质谐振器2连接位置的本体表面之间即是指第一隔断层4穿过第一介质谐振器1与第二介质谐振器2之间的中轴线10，调整第一隔断层4在两个介质谐振器之间的位置能够调节耦合量的大小。第一介质谐振器1和第二介质谐振器2的表面的导电层可以为金属化层，具体可以通过对本体表面进行电镀金属来形成。金属可以为银，也可以为其他满足实际需要的金属。在制造时，通过一体化成形来获得带有调谐孔和负耦合盲孔的本体，再对本体、调谐孔和负耦合盲孔进行表面金属化，比如表面电镀，来获得上述介质谐振器，表面金属化时避开第一隔断层所在位置从而形成介质谐振器，或者全部电镀金属层后再去除部分金属层形成第一隔断层。这样，该介质谐振器所包括的介质谐振器的本体是连续的。采用一体化成形的方式来获得介质谐振器，可以使得其加工工艺更简单。上述方案中，在第一隔断层4的内侧设置了两个负耦合盲孔7，所述两个负耦合盲孔7内壁设有导电层，两个负耦合盲孔7分别设置在第一介质谐振器1和第二介质谐振器2上，一个负耦合盲孔位于环形圈内侧非开口端，另一负耦合盲孔位于环形圈内侧的开口位置。本实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种容性耦合装置，至少包括相互连接的第一介质谐振器和第二介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调谐孔，所述调谐孔为盲孔，所述本体表面覆盖有导电层，其特征在于：所述第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置的本体表面上设有第一隔断层，所述第一隔断层为设有开口的环形圈，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间设有连接段，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间通过所述第一隔断层和连接段实现负耦合。/n

【技术特征摘要】
1.一种容性耦合装置，至少包括相互连接的第一介质谐振器和第二介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调谐孔，所述调谐孔为盲孔，所述本体表面覆盖有导电层，其特征在于：所述第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置的本体表面上设有第一隔断层，所述第一隔断层为设有开口的环形圈，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间设有连接段，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间通过所述第一隔断层和连接段实现负耦合。


2.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：还包括至少一个负耦合盲孔，所述负耦合盲孔位于设置有第一隔断层的本体表面上。


3.根据权利要求2所述的容性耦合装置，其特征在于：所述负耦合盲孔位于所述环形圈的环形内侧或外侧。


4.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：所述第一隔断层形状为设有开口的方形、圆形、椭圆形、腰圆形中的任意一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文，钟伟刚，朱晖，
申请(专利权)人：武汉凡谷陶瓷材料有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42