一种用于介质滤波器的电容耦合结构制造技术

本发明专利技术提供一种用于介质滤波器的电容耦合结构，该介质滤波器包括陶瓷介质块和谐振腔组，陶瓷介质块上设置所述谐振腔组，本发明专利技术通过在陶瓷介质块的内部且任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的嵌设有用于产生电容性耦合的金属块，再辅以多个谐振腔的设计，既能实现相邻腔耦合结构，又能实现非相邻腔交叉耦合结构，即实现交叉谐振腔之间的交叉耦合，从而可在金属块两侧的谐振腔之间耦合产生一个容性的传输零点，避免了无法实现耦合更强的传输零点的问题，整体稳定可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种用于介质滤波器的电容耦合结构
本专利技术属于滤波器
，具体涉及一种用于介质滤波器的电容耦合结构。
技术介绍
随着5G时代的到来，受限于MassiveMIMO（大规模天线技术）对大规模天线集成化的要求，滤波器需更加小型化和集成化，在限定腔体尺寸的情况下，由于自身材料的损耗，金属同轴腔体滤波器和金属腔介质滤波器无法取得很高的Q值，导致各项性能指标都受到了限制。为了满足5G基站滤波器对小型化的要求，更易小型化的陶瓷介质滤波器就成为主流解决方案。陶瓷介质滤波器中的电磁波谐振发生在介质材料内部，传统的金属腔体被金属镀层替代，因此体积会更小，重量更轻，此外，陶瓷介质滤波器具有Q值高、选频特性好、工作频率稳定性好、插入损耗小、高低温漂特性小等优点。然而，现有陶瓷介质滤波器的耦合结构左右传输零点是对称的，只能适应于带外近端抑制要求较低，且带外抑制较为对称的滤波器；而且，由于结构限制，现有方案无法实现交叉谐振腔之间的交叉耦合，导致无法实现耦合更强的传输零点。
技术实现思路
有鉴于此，为了解决现有技术中的问题，本专利技术的目的是提供一种用于介质滤波器的电容耦合结构。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种用于介质滤波器的电容耦合结构，该介质滤波器包括陶瓷介质块和谐振腔组，陶瓷介质块上设置所述谐振腔组，所述谐振腔组包括平行设置且分散排布的多个谐振腔，单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽，所述陶瓷介质块的内部在任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的嵌设有用于产生电容性耦合的金属块。进一步的，所述的多个谐振腔上可选择性的安装有至少一个滤波器端口。进一步的，所述沟槽包括但不仅限于T型沟槽、十字型沟槽和一字型沟槽。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术在陶瓷介质块的内部任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的嵌设有用于产生电容性耦合的金属块，再辅以多个谐振腔的设计，既能实现相邻腔耦合结构，又能实现非相邻腔交叉耦合结构，即实现交叉谐振腔之间的交叉耦合，从而可在金属块两侧的谐振腔之间耦合产生一个容性的传输零点，避免了无法实现耦合更强的传输零点的问题，整体稳定可靠。附图说明图1是本专利技术一种用于介质滤波器的电容耦合结构的结构示意图；图2是图1沿A-A向的剖视图；图3是图1沿B-B向的剖视图；图4是本专利技术在另一个角度下的结构示意图；图5是本专利技术实施例中在添加金属块后的仿真频率响应曲线；图中标记：1、第一谐振腔，2、第二谐振腔，3、第三谐振腔，4、第四谐振腔，5、第五谐振腔，6、第六谐振腔，7、第一端口，8、第二端口，9、陶瓷介质块，10、金属块。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。一种用于介质滤波器的电容耦合结构，该介质滤波器包括陶瓷介质块和谐振腔组，陶瓷介质块上设置所述谐振腔组，所述谐振腔组包括平行设置且分散排布的多个谐振腔，单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽，所述陶瓷介质块的内部在任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的嵌设有用于产生电容性耦合的金属块。进一步的，所述的多个谐振腔上可选择性的安装有至少一个滤波器端口。进一步的，所述沟槽包括但不仅限于T型沟槽、十字型沟槽和一字型沟槽。以下结合附图对本专利技术进行详细说明：一种用于介质滤波器的电容耦合结构，如图4所示，该介质滤波器包括陶瓷介质块9和谐振腔组，陶瓷介质块上设置所述谐振腔组，所述谐振腔组包括平行设置且分散排布的多个谐振腔，多个谐振腔依次为：第一谐振腔1、第二谐振腔2、第三谐振腔3、第四谐振腔4、第五谐振腔5以及第六谐振腔6，通过调节谐振腔处的孔的大小和深度来调整频率，多个谐振腔上可选择性的安装有至少一个滤波器端口，如图2所示，本实施例中，滤波器端口包括第一滤波器端口7和第二滤波器端口8。如图1所示，单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽（未在图中标出），所述沟槽包括但不仅限于T型沟槽、十字型沟槽和一字型沟槽，该沟槽结构灵活多变，便于对邻腔之间耦合量的调节。如图3所示，所述陶瓷介质块的内部在任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的嵌设有用于产生电容性耦合的金属块10，此处需要说明的是，金属块10的形状不局限于圆柱体，其可以是任意形状，通过改变金属块10的体积以及在陶瓷介质块9内部的位置来产生电容耦合，从而可在金属块10两侧的谐振腔之间耦合产生一个容性的传输零点，避免了无法实现耦合更强的传输零点的问题，整体稳定可靠，本实施例中，金属块10设置在第三谐振腔3和第四谐振腔4之间，用于产生容性耦合，再通过第二谐振腔2和第五谐振腔5之间的耦合产生一个容性传输零点，对本专利技术进行仿真实验，仿真后得到的仿真频率响应曲线如图5所示，图中包含两条曲线S11和S21，曲线S11是反射特性曲线，曲线S21是传输特曲线，由图5可知，本专利技术所述的电容耦合结构能够产生相应的容性传输零点，能够避免无法实现耦合更强的传输零点的问题，整体稳定可靠。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于介质滤波器的电容耦合结构，该介质滤波器包括陶瓷介质块和谐振腔组，陶瓷介质块上设置所述谐振腔组，所述谐振腔组包括平行设置且分散排布的多个谐振腔，单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽，其特征在于：所述陶瓷介质块的内部在任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的嵌设有用于产生电容性耦合的金属块。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于介质滤波器的电容耦合结构，该介质滤波器包括陶瓷介质块和谐振腔组，陶瓷介质块上设置所述谐振腔组，所述谐振腔组包括平行设置且分散排布的多个谐振腔，单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽，其特征在于：所述陶瓷介质块的内部在任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的嵌设有用于产生电容性耦合的...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪宇，黄娅，
申请(专利权)人：通宇中山无线技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44