摄像装置制造方法及图纸

本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备光电转换层、第1像素电极、第2像素电极、屏蔽电极和第1屏蔽过孔。光电转换层将入射光转换为电荷。第1像素电极收集由光电转换层生成的电荷。第2像素电极收集由光电转换层生成的电荷。第2像素电极在第1方向上与第1像素电极相邻。屏蔽电极与第1像素电极及第2像素电极电分离。第1屏蔽过孔从屏蔽电极延伸。在平面视中，第1屏蔽过孔位于第1像素电极与第2像素电极之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置
本公开涉及摄像装置。
技术介绍
已知层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，构成了包含半导体基板及光电转换层的层叠构造。层叠型的摄像装置的一例记载于专利文献1及2。在专利文献1及2的摄像装置中，光电转换层被配置在对置电极与像素电极之间。在先技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2013/001809号专利文献2:日本特开2016－127264号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题需要得到分辨率更高的图像的技术。用于解决课题的手段本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备：光电转换层，将入射光转换为电荷；第1像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷；第2像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在第1方向上与所述第1像素电极相邻；屏蔽电极，与所述第1像素电极及所述第2像素电极电分离；以及第1屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在平面视中位于所述第1像素电极与所述第2像素电极之间。专利技术效果本公开提供得到分辨率高的图像的技术。附图说明图1是表示实施方式所涉及的摄像装置的截面构造的图。图2是表示实施方式所涉及的摄像装置的截面构造的图。图3是表示实施方式所涉及的摄像装置的平面构造的图。图4A是表示实施方式所涉及的摄像装置的截面构造的图。图4B是图4A的部分扩大图。图4C是表示与图4B的例子不同的例子所涉及的绝缘部的图。<br>图4D是表示绝缘层及光电转换层的制造方法的示意图。图4E是表示绝缘层及光电转换层的制造方法的示意图。图5A是表示实施方式所涉及的摄像装置的截面构造的图。图5B是图5A的部分扩大图。图6是表示光电转换层的突出部的图。图7是表示实施方式所涉及的摄像装置的截面构造的图。图8是表示实施方式所涉及的摄像装置的平面构造的图。图9A是表示实施方式所涉及的摄像装置的平面构造的图。图9B是图9A的部分扩大图。图9C是与图9B的例子不同的例子所涉及的部分扩大图。图9D是图9A的部分扩大图。图9E是图9A的部分扩大图。图10是相机系统的框图。具体实施方式(本公开所涉及的一个方式的概要)本公开的第1方式所涉及的摄像装置具备：光电转换层，将入射光转换为电荷；第1像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷；第2像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在第1方向上与所述第1像素电极相邻；屏蔽电极，与所述第1像素电极及所述第2像素电极电分离；以及第1屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在平面视中位于所述第1像素电极与所述第2像素电极之间。第1方式适于得到分辨率高的图像。在本公开的第2方式中，例如，第1方式所涉及的摄像装置也可以还具备：第3像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在与所述第1方向不同的第2方向上与所述第1像素电极相邻；以及第2屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在所述平面视中位于所述第1像素电极与所述第3像素电极之间。第2方式适于得到分辨率高的图像。在本公开的第3方式中，例如，第1方式所涉及的摄像装置也可以还具备：第3像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在与所述第1方向不同的第2方向上与所述第1像素电极相邻；第4像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在所述第2方向上与所述第2像素电极相邻，在所述第1方向上与所述第3像素电极相邻；以及第3屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在所述平面视中位于所述第1像素电极与所述第4像素电极之间。第3方式适于得到分辨率高的图像。在本公开的第4方式中，例如，第2方式所涉及的摄像装置也可以还具备：第4像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在所述第2方向上与所述第2像素电极相邻，在所述第1方向上与所述第3像素电极相邻；以及第3屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在所述平面视中位于所述第1像素电极与所述第4像素电极之间。第4方式适于得到分辨率高的图像。在本公开的第5方式中，例如，第1至第4方式中任1个所涉及的摄像装置也可以还具备：第1像素过孔，从所述第1像素电极延伸；以及第2像素过孔，从所述第2像素电极延伸。第5方式的第1像素过孔能够将第1像素电极与其他要素电连接。第2像素过孔能够将第2像素电极与其他要素电连接。在本公开的第6方式中，例如，在第5方式所涉及的摄像装置中，在所述平面视中，所述第1屏蔽过孔也可以位于所述第1像素过孔与所述第2像素过孔之间。第6方式适于得到分辨率高的图像。在本公开的第7方式中，例如，第1至第6方式中任1个所涉及的摄像装置也可以还具备：第1布线层，所述第1屏蔽过孔也可以从所述屏蔽电极延伸到所述第1布线层。第7方式适于得到分辨率高的图像。在本公开的第8方式中，例如，第1至第7方式中任1个所涉及的摄像装置也可以还具备：绝缘部，位于所述屏蔽电极与所述光电转换层之间。第8方式适于抑制由于屏蔽电极引起的摄像装置的灵敏度的降低，并且通过屏蔽电极得到分辨率高的图像。在本公开的第9方式中，例如，在第8方式所涉及的摄像装置中，在所述平面视中，所述绝缘部也可以包含与所述屏蔽电极不重合的部分。第9方式适于得到分辨率高的图像。本公开的第10方式所涉及的摄像装置具备：光电转换层，将入射光转换为电荷；第1像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷；屏蔽电极，与所述第1像素电极电分离；以及绝缘部，位于所述屏蔽电极与所述光电转换层之间，在平面视中，所述绝缘部包含与所述屏蔽电极不重合的部分。第10方式适于抑制由于屏蔽电极引起的摄像装置的灵敏度的降低，并且通过屏蔽电极得到分辨率高的图像。在本公开的第11方式中，例如，在第9方式或者第10方式所涉及的摄像装置中，在所述平面视中，所述绝缘部也可以与所述第1像素电极相离。第11方式适于通过第1像素电极捕获信号电荷，得到分辨率高的图像。在本公开的第12方式中，例如，在第8至第11方式中任1个所涉及的摄像装置中，所述绝缘部也可以具有膜形状，所述膜形状的厚度也可以是10nm以上。第12方式适于抑制由于屏蔽电极引起的摄像装置的灵敏度的降低。在本公开的第13方式中，例如，在第1至第12方式中任1个所涉及的摄像装置中，所述第1像素电极所具有的面与所述屏蔽电极所具有的面也可以处于同一平面上。第13方式的摄像装置易于制造。在本公开的第14方式中，例如，第1至第13方式中任1个所涉及的摄像装置也可以是彩色的图像传感器。在彩色的图像传感器中，第1方式的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，具备：/n光电转换层，将入射光转换为电荷；/n第1像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷；/n第2像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在第1方向上与所述第1像素电极相邻；/n屏蔽电极，与所述第1像素电极及所述第2像素电极电分离；以及/n第1屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在平面视中位于所述第1像素电极与所述第2像素电极之间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181107 JP 2018-210096;20190910 JP 2019-1643281.一种摄像装置，具备：
光电转换层，将入射光转换为电荷；
第1像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷；
第2像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在第1方向上与所述第1像素电极相邻；
屏蔽电极，与所述第1像素电极及所述第2像素电极电分离；以及
第1屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在平面视中位于所述第1像素电极与所述第2像素电极之间。


2.如权利要求1所述的摄像装置，还具备：
第3像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在与所述第1方向不同的第2方向上与所述第1像素电极相邻；以及
第2屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在所述平面视中位于所述第1像素电极与所述第3像素电极之间。


3.如权利要求1所述的摄像装置，还具备：
第3像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在与所述第1方向不同的第2方向上与所述第1像素电极相邻；
第4像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在所述第2方向上与所述第2像素电极相邻，在所述第1方向上与所述第3像素电极相邻；以及
第3屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在所述平面视中位于所述第1像素电极与所述第4像素电极之间。


4.如权利要求2所述的摄像装置，还具备：
第4像素电极，收集由所述光电转换层生成的电荷，且在所述第2方向上与所述第2像素电极相邻，在所述第1方向上与所述第3像素电极相邻；以及
第3屏蔽过孔，从所述屏蔽电极延伸，且在所述平面视中位于所述第1像素电极与所述第4像素电极之间。


5.如权利要求1所述的摄像装置，还具备：
第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶野俊介，百濑龙典，境田良太，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP