智能基板及使用其制作有机发光二极管显示装置的方法制造方法及图纸

本申请提供一种智能基板及使用其制作有机发光二极管显示装置的方法，涉及显示设备领域。智能基板，包括：支撑层，所述支撑层设置有控制电路，所述控制电路延伸出所述支撑层用于与控制芯片连接；支撑体定义层，所述支撑体定义层形成在所述支撑层的一侧面，所述支撑体定义层背离所述支撑层的一侧阵列的设置有多个电控膨胀单元，所述电控膨胀单元均与所述控制电路连接；其中，所述电控膨胀单元能够在所述控制芯片的控制下发生膨胀，用于支撑有机发光二极管显示装置的柔性背板。所述智能基板的使用解决了当前OLED显示装置蒸镀有机发光材料时，因FMM褶皱造成的像素位置精度偏移和阴影的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
智能基板及使用其制作有机发光二极管显示装置的方法
本申请涉及显示设备领域，特别是涉及一种智能基板及使用其制作有机发光二极管显示装置的方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED，OrganicLight-EmittingDiode)，又称为有机电激光显示、有机发光半导体，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，是目前主流的显示屏之一。并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED显示装置有诸多优点，其中包括可实现柔性显示，如以可绕曲的塑料基板等为载体，再配合薄膜封装制程，即可实现可绕曲的OLED面板。但是，在OLED显示装置制造的关键工艺，即蒸镀工艺中，由于采用精细金属掩模板(FMM)遮挡的方式进行有机发光材料蒸镀，如图1所示，由于精细金属掩模板2为很薄的板状结构，在张网工艺中极易产生褶皱(Wrinkle)，尤其是对于高像素密度(PPI)产品，所使用的精细金属掩模板2更容易产生褶皱，在蒸镀时这些褶皱会造成精细金属掩模板2与柔性背板1之间不能良好的贴合，导致像素位置精度偏移和阴影的现象，使屏幕产生混色不良。所以针对上述的技术问题还需进一步解决。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，提供一种智能基板及使用其制作有机发光二极管显示装置的方法，使其能够解决当前OLED显示装置蒸镀有机发光材料时，因FMM褶皱造成的像素位置精度偏移和阴影的技术问题。为解决上述技术问题，本申请实施例提供如下技术方案：一方面本申请提供一种智能基板，包括：支撑层，所述支撑层设置有控制电路，所述控制电路延伸出所述支撑层用于与控制芯片连接；支撑体定义层，所述支撑体定义层形成在所述支撑层的一侧面，所述支撑体定义层背离所述支撑层的一侧阵列的设置有多个电控膨胀单元，所述电控膨胀单元均与所述控制电路连接；其中，所述电控膨胀单元能够在所述控制芯片的控制下发生膨胀，用于支撑有机发光二极管显示装置的柔性背板。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。可选地，前述的智能基板，其中所述电控膨胀单元包括形成在所述支撑体定义层的容置坑、相对设置在所述容置坑的侧壁的第一电极和第二电极、以及填充在所述容置坑中的电活性聚合物材料；其中，所述第一电极和所述第二电极均与所述控制电路连接，在所述控制芯片的控制下，所述第一电极和所述第二电极之间能够形成电场并作用在所述电活性聚合物材料上，使所述电活性聚合物材料发生体积膨胀。可选地，前述的智能基板，其中所述支撑体定义层阵列排布的形成贯穿两侧面的通孔，所述通孔与所述支撑层侧面一起形成所述容置坑。可选地，前述的智能基板，其中所述容置坑的开口呈圆形或者矩形，且所述容置坑从开口至坑底截面逐渐减小。可选地，前述的智能基板，其中所述第一电极一侧延伸至所述容置坑的开口外侧预设距离，延伸出所述容置坑的部分第一电极紧贴在所述支撑体定义层背离所述支撑层的侧面，所述第一电极的另一侧延伸至所述支撑层中与所述控制电路连接；所述第二电极一侧延伸至所述容置坑的开口外侧预设距离，延伸出所述容置坑的部分第二电极紧贴在所述支撑体定义层背离所述支撑层的侧面，所述第二电极的另一侧延伸至所述支撑层中与所述控制电路连接。可选地，前述的智能基板，其中所述支撑体定义层按照同等的面积阵列的分成多个控制区域，每个所述控制区域包含有多个所述电控膨胀单元；其中，每个所述控制区域的所有所述电控膨胀单元的所述第一电极同时连接在所述控制电路中的一条电线上，每个所述控制区域的所有所述电控膨胀单元的所述第二电极同时连接在所述控制电路中的一条电线上。可选地，前述的智能基板，其中每个所述控制区域的长度为100mm-1880mm，宽度为30mm-1500mm；每个所述控制区域中所述电控膨胀单元的数量为30个-750个；每个所述容置坑的开口面积为79mm2-400mm2。可选地，前述的智能基板，其中填充在所述容置坑中的所述电活性聚合物材料至与所述容置坑的开口一平。可选地，前述的智能基板，其中所述支撑层的材质为玻璃、酚醛纸质层压板、环氧纸质层压板、聚酯玻璃毡层压板、环氧玻璃布层压板、树脂中的一种。另一方面，本申请提供一种使用智能基板制作有机发光二极管显示装置的方法，包括：将有机发光二极管显示装置的柔性背板的基板一侧层叠的设置在智能基板的支撑体定义层表面；于所述柔性背板背离所述支撑体定义层的一侧面层叠的设置精细金属掩模板；检测所述精细金属掩模板的褶皱数据；根据所述褶皱数据控制所述智能基板的电控膨胀单元于对应褶皱的位置产生不同程度的膨胀，将所述柔性背板的局部顶起与精细金属掩模板的褶皱相匹配；蒸镀有机发光材料；所述有机发光材料蒸镀完成后将所述柔性背板与所述智能基板分离。借由上述技术方案，本专利技术智能基板及使用其制作有机发光二极管显示装置的方法至少具有下列优点：本专利技术实施例提供的智能基板，其设置有支撑层和支撑体定义层，支撑层设置有控制电路能够将支撑体定义层中的电控膨胀单元与控制芯片连接，通过控制芯片控制电控膨胀单元发生膨胀以及收缩，进而可以在制作有机发光二极管显示装置的有机发光材料层时，即蒸镀有机发光材料时，通过控制电控膨胀单元支撑有机发光二极管显示装置的柔性背板，使柔性背板的局部与精细金属掩模板的褶皱向匹配，使精细金属掩模板与柔性背板能够良好的贴合，有效的增加像素位置精度以及减少阴影的出现，使生产出来的有机发光二极管显示装置混色质量高，满足用户的使用需要。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明通过参考附图阅读下文的详细描述，本申请示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本申请的若干实施方式，相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：图1示意性地示出了现有技术中蒸镀有机发光材料时具有褶皱的精细金属掩模板与柔性背板的结构示意图；图2示意性地示出了一种使用智能基板支撑柔性背板后与精细金属掩模板配合的结构示意图；图3示意性地示出了一种智能基板的电控膨胀单元未膨胀时的结构示意图；图4示意性地示出了一种智能基板的电控膨胀单元膨胀时的结构示意图；图5示意性地示出了一种智能基板的俯视结构示意图；图6示意性地示出了一种使用智能基板制作有机发光二极管显示装置的方法流程示意图。图1-图5中各标号为：柔性背板1、精细金属掩模板2、智能基板3、支撑层31、支撑体定义层32、电控膨胀单元33、容置坑331、第一电极332、第二电极333、电活性聚合物材料334。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种智能基板，其特征在于，包括：/n支撑层，所述支撑层设置有控制电路，所述控制电路延伸出所述支撑层用于与控制芯片连接；/n支撑体定义层，所述支撑体定义层形成在所述支撑层的一侧面，所述支撑体定义层背离所述支撑层的一侧阵列的设置有多个电控膨胀单元，所述电控膨胀单元均与所述控制电路连接；/n其中，所述电控膨胀单元能够在所述控制芯片的控制下发生膨胀，用于支撑有机发光二极管显示装置的柔性背板。/n

【技术特征摘要】
1.一种智能基板，其特征在于，包括：
支撑层，所述支撑层设置有控制电路，所述控制电路延伸出所述支撑层用于与控制芯片连接；
支撑体定义层，所述支撑体定义层形成在所述支撑层的一侧面，所述支撑体定义层背离所述支撑层的一侧阵列的设置有多个电控膨胀单元，所述电控膨胀单元均与所述控制电路连接；
其中，所述电控膨胀单元能够在所述控制芯片的控制下发生膨胀，用于支撑有机发光二极管显示装置的柔性背板。


2.根据权利要求1所述的智能基板，其特征在于，
所述电控膨胀单元包括形成在所述支撑体定义层的容置坑、相对设置在所述容置坑的侧壁的第一电极和第二电极、以及填充在所述容置坑中的电活性聚合物材料；
其中，所述第一电极和所述第二电极均与所述控制电路连接，在所述控制芯片的控制下，所述第一电极和所述第二电极之间能够形成电场并作用在所述电活性聚合物材料上，使所述电活性聚合物材料发生体积膨胀。


3.根据权利要求2所述的智能基板，其特征在于，
所述支撑体定义层阵列排布的形成贯穿两侧面的通孔，所述通孔与所述支撑层侧面一起形成所述容置坑。


4.根据权利要求3所述的智能基板，其特征在于，
所述容置坑的开口呈圆形或者矩形，且所述容置坑从开口至坑底截面逐渐减小。


5.根据权利要求2所述的智能基板，其特征在于，
所述第一电极一侧延伸至所述容置坑的开口外侧预设距离，延伸出所述容置坑的部分第一电极紧贴在所述支撑体定义层背离所述支撑层的侧面，所述第一电极的另一侧延伸至所述支撑层中与所述控制电路连接；
所述第二电极一侧延伸至所述容置坑的开口外侧预设距离，延伸出所述容置坑的部分第二电极紧贴在所述支撑体定义层背离所述支撑层的侧面，所述第二电极的另一侧延伸至所述支撑层中与...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴欢，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11