一种高频感应焊接快速制备Cu制造技术

本发明专利技术涉及一种快速制备Cu/Cu

【技术实现步骤摘要】
一种高频感应焊接快速制备Cu3Sn-Cu微焊点方法
本专利技术涉及第三代半导体功率器件封装互连，是一种Cu/Cu3Sn-Cu/Cu微焊点的制备方法。
技术介绍
随着功率器件向着体积减小、功率增大、性能提升的方向发展，其服役温度与电压也在逐渐提高。以SiC为代表的第三代半导体拥有击穿电场强度更高、热导率更大、电子饱和速率更高等优点，可以在更加恶劣的服役环境下展现出更加优良的性能，因此被广泛地应用在航空航天、汽车电子、核能电子、新型能源等领域。而面对恶劣的服役环境，第三代半导体也对配套的封装连接材料提出了更高的要求。目前的电子封装互连材料中，作为封装连接材料主要有三种方式：Au-Sn钎料，纳米Ag烧结和瞬时液相连接。Au-Sn钎料可作为高温连接材料，其导热导电性能良好，润湿性好，但其价格昂贵，脆性大；烧结纳米Ag的设备昂贵，工艺复杂，抗电迁移性能差，易导致电路发生短路，严重影响微电子产品的可靠性。由于Au和Ag的价格昂贵，因此，瞬时液相连接连接技术是一种较好的解决耐高温封装连接问题的方法。目前用于三代半导体封装的TLP技术以研究Cu本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高温封装用Cu/Cu

【技术特征摘要】
1.一种高温封装用Cu/Cu3Sn-Cu/Cu微焊点的制备方法，其特征在于：
采用高频感应焊接方法制备Cu/Cu3Sn-Cu/Cu微焊点；
采用高频感应焊接方法制备Cu/Cu3Sn-Cu/Cu...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙凤莲，刘昊宇，潘振，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23