【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器及其制作方法
本申请涉及电容器领域，并且更具体地，涉及电容器及其制作方法。
技术介绍
电容器在电路中可以起到旁路、滤波、去耦等作用，是保证电路正常运转的不可或缺的一部分。随着现代电子系统不断向多功能、高集成、低功耗、微型化发展，传统的多层陶瓷电容(Multi-layerCeramicCapacitors，MLCC)已经难以满足应用端日益严苛的小体积、高容量的需求。如何制备小体积、高容量的电容器，成为一个亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本申请提供一种电容器及其制作方法，能够制备小体积、高容值密度的电容器。第一方面，提供了一种电容器，该电容器包括：至少一个多翼结构，该多翼结构包括N个轴和M个翼，其中，该N个轴沿着第一方向延伸，该M个翼为从该N个轴的侧壁向垂直于该第一方向的方向延伸形成的凸起结构，该M个翼中的第一翼和该N个轴由第一导电材料形成，该M个翼中除该第一翼之外的翼由第二导电材料形成，M为大于或者等于2的整数，N为正整数；导电结构，该导电结构包覆该多翼结构；电介质层，设置于该多翼...
【技术保护点】
一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：/n至少一个多翼结构，所述多翼结构包括N个轴和M个翼，其中，所述N个轴延着第一方向延伸，所述M个翼为从所述N个轴的侧壁向垂直于所述第一方向的方向延伸形成的凸起结构，所述M个翼中的第一翼和所述N个轴由第一导电材料形成，所述M个翼中除所述第一翼之外的翼由第二导电材料形成，M为大于或者等于2的整数，N为正整数；/n导电结构，所述导电结构包覆所述多翼结构；/n电介质层，设置于所述多翼结构和所述导电结构之间，以将所述多翼结构与所述导电结构隔离；/n至少一个第一外接电极，且所述至少一个第一外接电极中的每个第一外接电极电连接至所述至少一个多翼结构中...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：
至少一个多翼结构，所述多翼结构包括N个轴和M个翼，其中，所述N个轴延着第一方向延伸，所述M个翼为从所述N个轴的侧壁向垂直于所述第一方向的方向延伸形成的凸起结构，所述M个翼中的第一翼和所述N个轴由第一导电材料形成，所述M个翼中除所述第一翼之外的翼由第二导电材料形成，M为大于或者等于2的整数，N为正整数；
导电结构，所述导电结构包覆所述多翼结构；
电介质层，设置于所述多翼结构和所述导电结构之间，以将所述多翼结构与所述导电结构隔离；
至少一个第一外接电极，且所述至少一个第一外接电极中的每个第一外接电极电连接至所述至少一个多翼结构中的部分或者全部多翼结构；
至少一个第二外接电极，且所述第二外接电极电连接至所述导电结构。
根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述导电结构在外形上与所述多翼结构互补。
根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述电介质层与所述多翼结构共形。
根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：衬底，设置于所述多翼结构的下方，且所述电介质层设置于所述导电结构和所述衬底之间，以将所述导电结构与所述衬底隔离。
根据权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：
隔离环，位于所述至少一个多翼结构的外侧，且所述隔离环设置于所述导电结构中，并自所述导电结构的上表面沿着所述第一方向延伸进入所述导电结构，以将所述导电结构隔离为第一区域和第二区域，且所述第二外接电极仅与位于所述第一区域的所述导电结构电连接。
根据权利要求4或5所述的电容器，其特征在于，所述多翼结构中的所述N个轴自所述衬底的上表面沿着所述第一方向延伸进入所述衬底。
根据权利要求4至6中任一项所述的电容器，其特征在于，所述导电结构自所述衬底的上表面沿着所述第一方向延伸进入所述衬底。
根据权利要求4或5所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层设置于所述衬底和所述多翼结构之间，以将所述衬底与所述多翼结构隔离，以及所述第一绝缘层设置于所述导电结构和所述衬底之间，以将所述导电结构与所述衬底隔离。
根据权利要求8所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：第一导电层，设置于所述第一绝缘层与所述衬底之间，其中，所述多翼结构中的所述N个轴自所述第一绝缘层的上表面沿着所述第一方向贯穿所述第一绝缘层且与所述第一导电层电连接。
根据权利要求1至9中任一项所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：电极层，设置于所述导电结构的上方，且所述电极层包括相互分离的至少一个第一导电区域和第二导电区域，所述第一导电区域形成所述第一外接电极，所述第二导电区域形成所述第二外接电极。
根据权利要求4、5、6、7或9所述的电容器，其特征在于，所述衬底为低电阻率衬底，且所述第一外接电极设置于所述衬底的下方，所述第二外接电极设置于所述导电结构的上方。
根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：第二绝缘层，设置于所述多翼结构的下方，其中，所述多翼结构中的所述N个轴自所述第二绝缘层的上表面沿着所述第一方向贯穿所述第二绝缘层，所述第一外接电极设置于所述第二绝缘层的下方，所述第二外接电极设置于所述导电结构的上方。
根据权利要求1至12中任一项所述的电容器，其特征在于，所述M个翼中不同的翼之间靠近所述轴的区域设置有牺牲材料。
根据权利要求13所述的电容器，其特征在于，所述牺牲材料包括以下中的至少一种：
硅、氧化硅、氮化硅、含硅玻璃、碳、有机聚合物。
根据权利要求1至14中任一项所述的电容器，其特征在于，所述第一翼位于所述M个翼中其余翼的上方。
根据权利要求1至15中任一项所述的电容器，其特征在于，所述第一外接电极通过至少一个第一通孔结构电连接至所述至少一个多翼结构中的部分或者全部多翼结构。
根据权利要求1至16中任一项所述的电容器，其特征在于，所述第二外接电极通过至少一个第二通孔结构电连接至所述导电结构。
根据权利要求1至15中任一项所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：互联结构，用于将所述第一外接电极电连接至所述至少一个多翼结构中的部分或者全部多翼结构。
根据权利要求1至18中任一项所述的电容器，其特征在于，所述第一导电材料和/或所述第二导电材料包括以下中的至少一种：
重掺杂多晶硅，金属硅化物，碳，导电聚合物，铝，铜，镍，氮化钽、氮化钛、氮化铝钛、氮化硅钽、氮化碳钽。
根据权利要求1至19中任一项所述的电容器，其特征在于，所述多翼结构中的每个翼包括以下中的至少一层：
重掺杂多晶硅层，金属硅化物层，碳层，导电聚合物层，铝层，铜层，镍层，氮化钽层、氮化钛层、氮化铝钛层、氮化硅钽层、氮化碳钽层。
根据权利要求1至20中任一项所述的电容器，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆斌，沈健，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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