一种微型芯片电容及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种微型芯片电容及其制造方法。该芯片电容包括：依次层叠的预制焊料锡层、预制焊料金层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层、介质层，电极层。其制造方法包括：S1：提供一铝硅合金衬底并前处理；S2：在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层；在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层；S3：在所述阻挡层上镀金，形成预制焊料金层；在所述黏结层上镀上导电层；S4：在导电层上溅射介质层、电极层；S5：在所述预制焊料金层上通过电沉积锡，形成预制焊料锡层；S6：划片得到独立的微型芯片电容。本发明专利技术以铝硅合金作为衬底，衬底无需抛光、无需溅射打底层、电容面积大、制作周期短，降低了微型芯片电容的装配难度。

【技术实现步骤摘要】
一种微型芯片电容及其制造方法
本专利技术涉及铝硅微波组件封装领域，特别涉及一种微型芯片电容及其制造方法。
技术介绍
随着电子产品向着高频化和小型化不断发展，对元器件的要求越来越高。电容作为电子电路中常见的无源器件，发展出了适应于不同场合的各种器件形式。在微波领域，电容主要用于阻抗匹配、耦合隔直、旁路去耦等方面。与其他形式的电容器件相比，芯片电容具有以下特点：①强度高，耐高温；②MIM电容结构简单，性能稳定可靠；③金作为表面金属电极，适合微组装工艺；④低温度变化率、低损耗和高Q值。因此，芯片电容非常适合于对频率和便携性要求高的应用领域。芯片电容一般采用薄膜电路工艺制造，常规尺寸的芯片电容加工工艺比较成熟，但微小尺寸电容的加工和组装工艺难度较大。
技术实现思路
本专利技术针对上述现有技术中存在的问题，提出了一种微型芯片电容及其制造方法。本专利技术的技术方案如下：一种微型芯片电容制造方法，包括以下步骤：S1：提供一铝硅合金衬底并前处理；S2：在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层；在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型芯片电容制造方法，其特征在于，用于制造一种微型芯片电容，包括以下步骤：/nS1：提供一铝硅合金衬底并前处理；/nS2：在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层；在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层；/nS3：在所述阻挡层上镀金，形成预制焊料金层；在所述黏结层上镀上导电层；/nS4：在所述导电层上溅射介质层、电极层；/nS5：在所述预制焊料金层上通过电沉积锡，形成预制焊料锡层；/nS6：划片得到独立的微型芯片电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型芯片电容制造方法，其特征在于，用于制造一种微型芯片电容，包括以下步骤：
S1：提供一铝硅合金衬底并前处理；
S2：在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层；在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层；
S3：在所述阻挡层上镀金，形成预制焊料金层；在所述黏结层上镀上导电层；
S4：在所述导电层上溅射介质层、电极层；
S5：在所述预制焊料金层上通过电沉积锡，形成预制焊料锡层；
S6：划片得到独立的微型芯片电容。


2.根据权利要求1所述的一种微型芯片电容制造方法，其特征在于，所述芯片电容包括：依次层叠的预制焊料锡层、预制焊料金层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层、介质层，电极层。


3.根据权利要求1所述的一种微型芯片电容制造方法，其特征在于，铝硅合金衬底为厚度0.2～0.5mm的铝硅合金材料；所述芯片电容尺寸小于等于0.5mm×0.5mm。


4.根据权利要求1所述的一种微型芯片电容制造方法，其特征在于，所述芯片电容的下电极包括预制焊料锡层、预制焊料金层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层。


5.根据权利要求1所述的一种微型芯片电容制造方法，其特征在于，所述阻挡层与所述粘结...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，丁蕾，叶雯燚，陈靖，任卫朋，王立春，
申请(专利权)人：上海航天电子通讯设备研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31