一种半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构，包括：设有空腔的基底；所述基底内填充有填充层，所述填充层表面设有阻挡层，并且所述填充层的至少部分表面裸露在外；其中，所述阻挡层为硼掺杂氧化硅或非掺杂氧化硅；所述填充层为磷掺杂氧化硅或非掺杂氧化硅；所述阻挡层与所述填充层中的至少一个为掺杂氧化硅。本发明专利技术利用填充层和阻挡层中掺杂硼/磷比例的不同，使阻挡层与填充层的被腐蚀速率的差异扩大，从而提高腐蚀液对空腔中填充层的腐蚀选择性，使空腔图形更加规则，同时减少对其余功能层尤其是阻挡层的腐蚀缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体生产领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
氧化硅是硅基集成电路制造技术的基础材料之一，在集成电路中发挥着非常重要的作用。氧化硅在硅基集成电路中可以用来作为栅氧化层、场氧化层、屏蔽层、绝缘层以及垫氧化层、掺杂阻挡层、牺牲层等。在滤波器芯片中，空腔很常见，其是实现谐振功能的重要结构之一。在滤波器的工艺中，为了保护前期形成的空腔不被后期沉积或生长的各种功能层材料污染，预先在空腔图形中填充氧化硅作为牺牲层(或填充层)进行保护，该填充层在最后的流程中会被湿法腐蚀去除。现有技术在湿法腐蚀氧化硅填充层存在以下技术难题：腐蚀液对滤波器芯片结构表面的阻挡层和氧化硅填充层的腐蚀选择性低，这样一方面容易对阻挡层保护的结构造成腐蚀性缺陷，另一方面对填充层腐蚀不彻底，导致空腔图形不达标。为此，特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体结构，其利用填充层和阻挡层中掺杂硼/磷比例的不同，使阻挡层与填充层的被腐蚀速率的差异扩大，从而提高腐蚀液对空腔中填充层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n设有空腔的基底；/n所述基底内填充有填充层，所述填充层表面设有阻挡层，并且所述填充层的至少部分表面裸露在外；/n其中，所述阻挡层为硼掺杂氧化硅或非掺杂氧化硅；所述填充层为磷掺杂氧化硅或非掺杂氧化硅，并且所述阻挡层与所述填充层中的至少一个为掺杂氧化硅。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
设有空腔的基底；
所述基底内填充有填充层，所述填充层表面设有阻挡层，并且所述填充层的至少部分表面裸露在外；
其中，所述阻挡层为硼掺杂氧化硅或非掺杂氧化硅；所述填充层为磷掺杂氧化硅或非掺杂氧化硅，并且所述阻挡层与所述填充层中的至少一个为掺杂氧化硅。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层经过退火处理。


3.权利要求1-2任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为制备滤波器的中间结构。


4.权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
基底设有空腔；
在所述空腔中填充硼掺杂氧化硅或非掺杂氧化硅，然后选择性地进行退火处理，形成填充层；
在所述填充层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亭亭，贺晓彬，张青竹，项金娟，王晓磊，殷华湘，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11