半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提出一种特殊形状的半导体结构。特征在于在两个倒L型的接触结构之间形成多层的电介质层，其中下方的电介质层与上方的电介质层材质不同，且下方电介质层优选由低电介质系数的材料构成。此材料的搭配下可以降低半导体结构的电阻电容延迟(RC delay)。此外，两个倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在两个倒L型的接触结构之间的第一电介质层与第二电介质层，并且提升半导体结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术有关于半导体领域，尤其是一种具有多层的凹陷电介质层的半导体结构，具有降低导电组件之间电阻电容延迟(RCdelay)的功效。
技术介绍
由于半导体组件朝向高密度化发展，单元面积内的组件尺寸不断减小。半导体组件因其尺寸小，功能多和/或制造成本低而广泛用于电子工业。半导体组件分为储存逻辑数据的半导体组件，操作、处理逻辑数据操作的半导体逻辑组件，或是同时具有半导体储存组件的功能和半导体逻辑组件和/或其他半导体组件功能的混合半导体组件。随着半导体工艺之线宽不断缩小，半导体组件之尺寸不断地朝微型化发展，然而，由于目前半导体工艺之线宽微小化至一定程度后，具金属栅极之半导体结构的整合工艺亦浮现出更多挑战与瓶颈。
技术实现思路
本技术提供一种半导体结构，包含衬底，两倒L型接触结构，位于所述衬底上，第一电介质层与第二电介质层，位于所述两倒L型接触结构之间，其中所述第二电介质层位于所述第一电介质层上。可选的，其中所述每一个倒L型接触结构包含有竖直部以及水平部。可选的，其中所述两倒L型接触结构的两个水平部，位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：/n衬底；/n两倒L型接触结构，位于所述衬底上；/n第一电介质层与第二电介质层，位于所述两倒L型接触结构之间，其中所述第二电介质层位于所述第一电介质层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
衬底；
两倒L型接触结构，位于所述衬底上；
第一电介质层与第二电介质层，位于所述两倒L型接触结构之间，其中所述第二电介质层位于所述第一电介质层上。


2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于，其中每一个所述倒L型接触结构包含有竖直部以及水平部。


3.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于，其中所述两倒L型接触结构的两个水平部，位于所述两倒L型接触结构的两个竖直部之间。


4.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于，其中所述倒L型接触结构的所述水平部位于所述竖直部的顶部。


5.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于，其中所述第二电介质层的侧面与所述水平部的侧面以及所述第一电介质层的侧面切齐。


6.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于，其中所述第二电介质层的顶面低于所述水平部的顶面。


7.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于，其中更包含有一第三电介质层，覆盖于所述第二电介质层与所述水平部上，并且与所述第二电介质层与所述水平部直接接触，其中所述第二电介质层与所述水平部将所述第三电介质层与所述第一电介质层隔开。


8.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于，更包含有一浅沟渠隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：方晓培，黄永泰，游馨，郭东龙，夏勇，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35