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本实用新型提出一种特殊形状的半导体结构。特征在于在两个倒L型的接触结构之间形成多层的电介质层，其中下方的电介质层与上方的电介质层材质不同，且下方电介质层优选由低电介质系数的材料构成。此材料的搭配下可以降低半导体结构的电阻电容延迟(RC de...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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