微型发光二极管芯片的键合方法技术

技术编号:26974330 阅读:27 留言:0更新日期:2021-01-06 00:08
本发明专利技术提供一种微型发光二极管芯片的键合方法,该微型发光二极管芯片的键合方法包括在每个芯片键合区的电极上形成有两个焊料管,在焊料管内填充低熔点焊料;在芯片的正极上形成正极焊料柱,在芯片的负极上形成负极焊料柱,正极焊料柱和负极焊料柱分别伸入焊料管中,并至少部分浸入低熔点焊料内;低熔点焊料凝固后使正极焊料柱和负极焊料柱分别与两个焊料管焊接在一起;移走转移头后再二次焊接相连接的正极焊料柱与焊料管、负极焊料柱与焊料管。本发明专利技术实施例提供的微型发光二极管芯片的键合方法解决了现有技术中芯片的正极和负极与背板bonding时芯片与背板容易产生热失配、翘曲以及影响转移头的使用寿命的问题。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管芯片的键合方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种微型发光二极管芯片的键合方法。
技术介绍
微型发光二极管显示技术由于具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点,逐渐成为研究热点。在制造大、中尺寸的微型发光二极管显示器过程中,需要进行芯片的巨量转移和键合工艺,键合工艺是指将芯片与背板对齐后,用焊料将芯片的正极和负极与背板上的电极金属电连接。焊料通常包括高熔点焊料和低熔点焊料,当使用高熔点焊料进行焊接时,一般需要进行加热到100℃以上熔解焊料以使芯片与背板连接,但是由于加热温度较高,容易造成热失配导致的错位、连接效果差的问题,而且会降低转移头的寿命;当使用低熔点焊料进行焊接后,由于芯片在使用过程中会发热,容易造成低熔点焊料发生重熔,导致电性连接失效的问题。因此现有的微型发光二极管芯片的键合方法存在芯片的正极和负极与背板邦定(bonding)时芯片与背板容易产生热失配、翘曲以及影响转移头的使用寿命的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种微型发光二极管芯片的键合方法,用以解决现有的键合方法中芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管芯片的键合方法,其特征在于,包括:/n提供背板,所述背板包括多个芯片键合区,每个所述芯片键合区的电极上形成有两个焊料管,所述焊料管采用高熔点焊料制成;/n在两个所述焊料管内填充低熔点焊料;/n在芯片的正极上形成正极焊料柱,在芯片的负极上形成负极焊料柱,所述正极焊料柱和所述负极焊料柱采用高熔点焊料制成;/n利用转移头拾取并移动所述芯片,使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管对准;/n加热所述背板,使所述低熔点焊料熔化;/n下压所述转移头,使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱伸入所述焊料管中,并至少部分浸入熔化的所述低熔点焊料内;/n使所述低熔点焊料冷却凝固,所述正...

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管芯片的键合方法,其特征在于,包括:
提供背板,所述背板包括多个芯片键合区,每个所述芯片键合区的电极上形成有两个焊料管,所述焊料管采用高熔点焊料制成;
在两个所述焊料管内填充低熔点焊料;
在芯片的正极上形成正极焊料柱,在芯片的负极上形成负极焊料柱,所述正极焊料柱和所述负极焊料柱采用高熔点焊料制成;
利用转移头拾取并移动所述芯片,使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管对准;
加热所述背板,使所述低熔点焊料熔化;
下压所述转移头,使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱伸入所述焊料管中,并至少部分浸入熔化的所述低熔点焊料内;
使所述低熔点焊料冷却凝固,所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管焊接在一起;
移走所述转移头;
二次焊接相连接的所述正极焊料柱与所述焊料管,以及二次焊接相连接的所述负极焊料柱与所述焊料管。


2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的键合方法,其特征在于,所述焊料管的内径大于或等于所述正极焊料柱和所述负极焊料柱的直径。


3.根据权利要求1或2所述的微型发光二极管芯片的键合方法,其特征在于,所述焊料管的长度大于所述正极焊料柱的长度,所述焊料管的长度大于所述负极焊料柱的长度。


4.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的键合方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:董小彪
申请(专利权)人:成都辰显光电有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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