微型发光二极管芯片的键合方法技术

本发明专利技术提供一种微型发光二极管芯片的键合方法，该微型发光二极管芯片的键合方法包括在每个芯片键合区的电极上形成有两个焊料管，在焊料管内填充低熔点焊料；在芯片的正极上形成正极焊料柱，在芯片的负极上形成负极焊料柱，正极焊料柱和负极焊料柱分别伸入焊料管中，并至少部分浸入低熔点焊料内；低熔点焊料凝固后使正极焊料柱和负极焊料柱分别与两个焊料管焊接在一起；移走转移头后再二次焊接相连接的正极焊料柱与焊料管、负极焊料柱与焊料管。本发明专利技术实施例提供的微型发光二极管芯片的键合方法解决了现有技术中芯片的正极和负极与背板bonding时芯片与背板容易产生热失配、翘曲以及影响转移头的使用寿命的问题。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管芯片的键合方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种微型发光二极管芯片的键合方法。
技术介绍
微型发光二极管显示技术由于具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，逐渐成为研究热点。在制造大、中尺寸的微型发光二极管显示器过程中，需要进行芯片的巨量转移和键合工艺，键合工艺是指将芯片与背板对齐后，用焊料将芯片的正极和负极与背板上的电极金属电连接。焊料通常包括高熔点焊料和低熔点焊料，当使用高熔点焊料进行焊接时，一般需要进行加热到100℃以上熔解焊料以使芯片与背板连接，但是由于加热温度较高，容易造成热失配导致的错位、连接效果差的问题，而且会降低转移头的寿命；当使用低熔点焊料进行焊接后，由于芯片在使用过程中会发热，容易造成低熔点焊料发生重熔，导致电性连接失效的问题。因此现有的微型发光二极管芯片的键合方法存在芯片的正极和负极与背板邦定(bonding)时芯片与背板容易产生热失配、翘曲以及影响转移头的使用寿命的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种微型发光二极管芯片的键合方法，用以解决现有的键合方法中芯片的正极和负极与背板bonding时芯片与背板容易产生热失配、翘曲以及影响转移头的使用寿命的问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：本专利技术实施例提供了一种微型发光二极管芯片的键合方法，包括：提供背板，所述背板包括多个芯片键合区，每个所述芯片键合区的电极上形成有两个焊料管，所述焊料管采用高熔点焊料制成；在两个所述焊料管内填充低熔点焊料；在芯片的正极上形成正极焊料柱，在芯片的负极上形成负极焊料柱，所述正极焊料柱和所述负极焊料柱采用高熔点焊料制成；利用转移头拾取并移动所述芯片，使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管对准；加热所述背板，使所述低熔点焊料熔化；下压所述转移头，使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱伸入所述焊料管中，并至少部分浸入熔化的所述低熔点焊料内；使所述低熔点焊料冷却凝固，所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管焊接在一起；移走所述转移头；二次焊接相连接的所述正极焊料柱与所述焊料管、以及二次焊接相连接的所述负极焊料柱与所述焊料管。本专利技术实施例提供的微型发光二极管芯片的键合方法具有如下优点：在背板的芯片键合区内形成焊料管，在焊料管内填充低熔点焊料，通过低熔点焊料能够在较低温度下将芯片的正极与焊料柱、负极与焊料柱先焊接在一起，从而保证了正极、负极与焊料柱之间相对固定，避免产生错位，保证了芯片与背板键合时的定位准确，且焊接后能够将拾取芯片的转移头移走，移走转移头后再加热背板，对正极与焊料柱、负极与焊料柱进行连接，避免了高温对转移头的影响。因此本实施例提供的微型发光二极管芯片的键合方法解决了现有技术中芯片的正极和负极与背板bonding时芯片与背板容易产生热失配、翘曲以及影响转移头的使用寿命的问题。如上所述的微型发光二极管芯片的键合方法，所述焊料管的内径大于或等于所述正极焊料柱和所述负极焊料柱的直径。如上所述的微型发光二极管芯片的键合方法，所述焊料管的长度大于所述正极焊料柱的长度，所述焊料管的长度大于所述负极焊料柱的长度。如上所述的微型发光二极管芯片的键合方法，在所述芯片键合区的电极上形成两个焊料管采用如下方法形成：通过金属热蒸镀工艺在所述芯片键合区的电极上形成两个所述焊料管。如上所述的微型发光二极管芯片的键合方法，所述焊料管的材料为铟或锡。如上所述的微型发光二极管芯片的键合方法，在两个所述焊料管内填充低熔点焊料包括：在所述焊料管内热蒸镀低熔点焊料。如上所述的微型发光二极管芯片的键合方法，所述低熔点焊料为铟锡合金、铋锡合金或铟铋合金。如上所述的微型发光二极管芯片的键合方法，在芯片的正极上形成正极焊料柱，在芯片的负极上形成负极焊料柱包括：通过金属热蒸镀工艺在所述正极上形成所述正极焊料柱；通过金属热蒸镀工艺在所述负极上形成所述负极焊料柱。如上所述的微型发光二极管芯片的键合方法，所述正极焊料柱为铟焊料柱或锡焊料柱，所述负极焊料柱为铟焊料柱或锡焊料柱。如上所述的微型发光二极管芯片的键合方法，二次焊接相连接的所述正极焊料柱与所述焊料管、所述负极焊料柱与所述焊料管包括：利用回流焊使所述正极焊料柱与所述焊料管、所述负极焊料柱与所述焊料管二次焊接。除了上面所描述的本专利技术解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本专利技术实施例提供的微型发光二极管芯片的键合方法所能够解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本专利技术实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一部分实施例，这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开的概念，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例中芯片与背板键合的结构示意图一；图2为本专利技术实施例中芯片与背板键合的结构示意图二；图3为本专利技术实施例中芯片与背板键合的结构示意图三；图4为本专利技术实施例中芯片与背板键合的结构示意图四。附图标记说明：10-芯片；11-正极；12-负极；13-正极焊料柱；14-负极焊料柱；20-背板；21-焊料管；22-低熔点焊料；30-转移头。具体实施方式现有的微型发光二极管芯片的键合方法存在芯片的正极和负极与背板bonding时芯片与背板容易产生热失配、翘曲以及影响转移头的使用寿命的问题。针对上述缺陷，本专利技术实施例提供了一种改进的技术方案，在该技术方案中，微型发光二极管芯片的键合方法包括在每个芯片键合区的电极上形成有两个焊料管，在焊料管内填充低熔点焊料；在芯片的正极上形成正极焊料柱，在芯片的负极上形成负极焊料柱，正极焊料柱和负极焊料柱分别伸入焊料管中，并至少部分浸入低熔点焊料内；低熔点焊料凝固后使正极焊料柱和负极焊料柱分别与两个焊料管焊接在一起；移走转移头后再二次焊接相连接的正极焊料柱与焊料管、负极焊料柱与焊料管。本专利技术实施例提供的微型发光二极管芯片的键合方法解决了现有技术中芯片的正极和负极与背板bonding时芯片与背板容易产生热失配、翘曲以及影响转移头的使用寿命的问题。为了使本专利技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，包括：/n提供背板，所述背板包括多个芯片键合区，每个所述芯片键合区的电极上形成有两个焊料管，所述焊料管采用高熔点焊料制成；/n在两个所述焊料管内填充低熔点焊料；/n在芯片的正极上形成正极焊料柱，在芯片的负极上形成负极焊料柱，所述正极焊料柱和所述负极焊料柱采用高熔点焊料制成；/n利用转移头拾取并移动所述芯片，使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管对准；/n加热所述背板，使所述低熔点焊料熔化；/n下压所述转移头，使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱伸入所述焊料管中，并至少部分浸入熔化的所述低熔点焊料内；/n使所述低熔点焊料冷却凝固，所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管焊接在一起；/n移走所述转移头；/n二次焊接相连接的所述正极焊料柱与所述焊料管，以及二次焊接相连接的所述负极焊料柱与所述焊料管。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，包括：
提供背板，所述背板包括多个芯片键合区，每个所述芯片键合区的电极上形成有两个焊料管，所述焊料管采用高熔点焊料制成；
在两个所述焊料管内填充低熔点焊料；
在芯片的正极上形成正极焊料柱，在芯片的负极上形成负极焊料柱，所述正极焊料柱和所述负极焊料柱采用高熔点焊料制成；
利用转移头拾取并移动所述芯片，使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管对准；
加热所述背板，使所述低熔点焊料熔化；
下压所述转移头，使所述正极焊料柱和所述负极焊料柱伸入所述焊料管中，并至少部分浸入熔化的所述低熔点焊料内；
使所述低熔点焊料冷却凝固，所述正极焊料柱和所述负极焊料柱分别与两个所述焊料管焊接在一起；
移走所述转移头；
二次焊接相连接的所述正极焊料柱与所述焊料管，以及二次焊接相连接的所述负极焊料柱与所述焊料管。


2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，所述焊料管的内径大于或等于所述正极焊料柱和所述负极焊料柱的直径。


3.根据权利要求1或2所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在于，所述焊料管的长度大于所述正极焊料柱的长度，所述焊料管的长度大于所述负极焊料柱的长度。


4.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的键合方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：董小彪，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51