本发明专利技术公开了一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺及其制备的电子元器件，涉及电子元器件绝缘材料技术领域；一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺，包括以下步骤：S1调配：取环氧树脂，干燥，制得脱潮树脂，向脱潮树脂中加入添加料，搅拌均匀，制得调配料；所述添加料包括以下添加原料：固化剂，改性粘性淀粉；所述添加原料还包括改性填充料，所述改性填充料由以下原料制得：沸石粉，含氨基有机硅化合物；S2灌胶：将电子铜器件干燥，放入模具中，抽真空，将调配料倒入模具内，制得电子湿件；S3固化：将电子湿件固化，制得电子元器件。电子元器件绝缘保护层浇注工艺具有可减少产品性能损害的优点。电子元器件具有使用寿命长的优点。
【技术实现步骤摘要】
一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺及其制备的电子元器件
本专利技术涉及电子元器件绝缘材料
，尤其涉及一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺及其制备的电子元器件。
技术介绍
随着电力和通信等行业的快速发展，电缆、电线和电子元器件等用电材料和设备产品得到了迅速的发展。在用电材料和设备生产过程中，为了提高安全性，往往需要在导电材料上浇注绝缘材料。目前常用的绝缘材料浇注工艺是将绝缘的环氧树脂等材料在150℃左右的高温条件下加压热注塑至导电材料表面，再通过110℃高温固化完成浇注。然而，目前常用的技术在高温加压条件下完成绝缘材料的注塑和固化，长时间高温加热处理容易影响精密电子元器件的性能，给精密电子元器件带来一定的损害，在一定程度上缩短了电子元器件的使用寿命。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术的第一个目的在于提供一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺，其具有可减少产品性能损害的优点。本专利技术的第二个目的在于提供一种电子元器件，其具有使用寿命长的优点。为实现上述第一个目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺，包括以下步骤：S1调配：取100-150重量份的环氧树脂，于85-95℃干燥100-150min，制得脱潮树脂，向脱潮树脂中加入添加料，搅拌均匀，制得调配料；所述添加料包括以下重量份添加原料：固化剂20-40份，改性粘性淀粉1-3份；所述添加原料还包括改性填充料，所述改性填充料主要由以下重量份原料制得：沸石粉5-10份，含氨基有机硅化合物0.2-0.7份；S2灌胶：将电子铜器件于50-60℃干燥不少于100min，将电子铜器件放入模具中，将模具抽真空压力至不大于-0.08MPa，将调配料倒入模具内，调配料粘附在电子铜器件表面形成绝缘包覆层，根据所需绝缘包覆层厚度控制调配料加量，制得电子湿件；S3固化：将电子湿件于50-60℃固化12-20h，电子铜器件表面形成绝缘层，制得电子元器件。通过采用上述技术方案，通过环氧树脂与固化剂在电子铜器件表面发生交联反应并固化形成绝缘层，对电子元器件进行保护，提高电子元器件的安全性。在环氧树脂和固化剂反应过程中会释放一定的热量，本申请在调配料中加入含有沸石粉和含氨基有机硅化合物的改性填充料，沸石粉为硅氧四面体和铝氧四面体连接形成的三维网状晶体结构，沸石粉中含有大量的导热系数较高的二氧化硅和氧化铝，加入沸石粉一方面有助于加快散热，缩小绝缘层内部的温差，降低内应力，有助于避免电子元器件受损。与此同时，沸石粉硬度较大，加入沸石粉有助于提高绝缘层强度，更好地保护电子元器件。加入含氨基有机硅化合物，含氨基有机硅化合物吸附在沸石粉表面，随沸石粉均匀分散在调配料中，含氨基有机硅化合物中含有氨基基团，沸石粉表面含有硅羟基基团，氨基基团和硅羟基基团加速环氧树脂与固化剂之间的反应速率，加快固化，使绝缘包覆层在较低温度下完成固化，避免在高温条件下完成固化，固化温度从110℃左右降低至50℃左右，避免电子元器件在高温状态下固化加工，有助于避免电子元器件因高温加工而受损，更好地保护电子元器件。本申请在抽真空和低温状态下进行灌胶，抽真空处理有助于排出空气和水分，有助于提高绝缘层强度，低温灌胶有助于避免电子元器件因高温加工而受损。本申请在调配料中加入改性粘性淀粉，和沸石粉一起作用有助于提高绝缘层与电子铜器件之间的粘附强度，更好地保护电子元器件，延长电子元器件使用寿命。优选的，所述步骤S1中使用的原料按如下重量份配比投料：环氧树脂115-135份，固化剂25-35份，沸石粉6-9份，含氨基有机硅化合物0.3-0.6份，改性粘性淀粉1-3份。通过采用上述技术方案，使用更优的原料配比，有助于提高绝缘层与电子铜器件之间的粘附强度，更好地保护电子元器件，延长电子元器件使用寿命。优选的，所述改性粘性淀粉为淀粉磷酸酯；所述含氨基有机硅化合物为氨丙基三甲基硅烷；所述添加原料还包括0.5-1.2重量份的羟乙基甲基丙烯酸酯磷酸酯和0.3-0.9重量份的羟乙基磺酸钠。通过采用上述技术方案，在调配料中加入少量的羟乙基甲基丙烯酸酯磷酸酯，有助于提高绝缘层在电子铜器件表面的附着力，提高绝缘层与电子铜器件之间的粘附强度，更好地保护电子元器件，延长电子元器件使用寿命。在调配料中加入少量的羟乙基磺酸钠，有助于提高调配料各组分之间的相容性，提高调配料的均匀度，有助于加快散热，缩小绝缘层内部的温差，降低绝缘层内应力，更好地保护电子元器件，延长电子元器件使用寿命。优选的，所述改性填充料的制备方法为：将沸石粉和氨丙基三甲基硅烷混合均匀，加入3-5倍沸石粉重量的乙醇，以50-200转/分钟的转速搅拌，加热至120-140℃反应6-10h，过滤，将滤饼于50-80℃干燥100-180min，粉碎，制得改性填充料。通过采用上述技术方案，将沸石粉与氨丙基三甲基硅烷在高温条件下进行交联反应，在沸石粉表面形成胺基基团，与沸石粉表面的硅羟基基团一起加速环氧树脂与固化剂之间的反应速率，加快固化，使绝缘包覆层在较低温度下完成固化，避免在高温条件下完成固化，有助于避免电子元器件因高温加工而受损，提高绝缘层与电子铜器件之间的粘附强度，更好地保护电子元器件，延长电子元器件使用寿命。优选的，所述沸石粉的粒径不大于30μm，所述改性填充料的粒径不大于25μm。通过采用上述技术方案，使用合适粒径大小的沸石粉和填充料，有助于沸石粉均匀分散调配料中，有助于提高绝缘层与电子铜器件之间的粘附强度，更好地保护电子元器件，延长电子元器件使用寿命。优选的，所述沸石粉的摩尔硅铝比不大于4。通过采用上述技术方案，使用低硅铝比的沸石粉，沸石粉表面的硅羟基含量较多，有助于加快环氧树脂与固化剂之间的交联反应，有助于提高绝缘层与电子铜器件之间的粘附强度，更好地保护电子元器件，延长电子元器件使用寿命。为实现上述第二个目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种电子元器件，由上述的电子元器件绝缘保护层浇注工艺制得。通过采用上述技术方案，使用本申请公开的方法制备电子元器件，在真空和低温状态下进行灌胶和固化，避免电子元器件因高温处理而受损，有助于提高绝缘层与电子铜器件之间的粘附强度，更好地保护电子元器件，有助于延长电子元器件使用寿命。优选的，所述电子元器件为动触头测温终端，所述动触头测温终端包括电子铜器件和绝缘层，所述绝缘层包裹于电子铜器件外；所述电子铜器件包括芯片组、固定芯片组的固定架和设置在芯片组一侧的测温感应面，所述测温感应面与绝缘层的外表面齐平，所述固定架两端均连接有位于绝缘层外侧的塑料端架。通过采用上述技术方案，使用本申请公开的方法制备动触头测温终端，将芯片组用绝缘层包覆，在低温状态下进行灌胶和固化，有助于避免芯片组因高温处理而受损，更好地保护芯片组，有助于延长动触头测温终端使用寿命。优选的，所述电子元器件为堵头测温终端，所述堵头测温终端包括电子铜器件和绝缘层，所述绝缘层包裹于电子铜器件外；所述电子铜器件包括测温本体和金属屏蔽罩，所述测温本体本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1调配：取100-150重量份的环氧树脂，于85-95℃干燥100-150min，制得脱潮树脂，向脱潮树脂中加入添加料，搅拌均匀，制得调配料；所述添加料包括以下重量份添加原料：固化剂20-40份，改性粘性淀粉1-3份；所述添加原料还包括改性填充料，所述改性填充料主要由以下重量份原料制得：沸石粉5-10份，含氨基有机硅化合物0.2-0.7份；/nS2灌胶：将电子铜器件于50-60℃干燥不少于100min，将电子铜器件放入模具中，将模具抽真空压力至不大于-0.08MPa，将调配料倒入模具内，调配料粘附在电子铜器件表面形成绝缘包覆层，根据所需绝缘包覆层厚度控制调配料加量，制得电子湿件；/nS3固化：将电子湿件于50-60℃固化12-20h，电子铜器件表面形成绝缘层，制得电子元器件。/n
【技术特征摘要】
1.一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1调配：取100-150重量份的环氧树脂，于85-95℃干燥100-150min，制得脱潮树脂，向脱潮树脂中加入添加料，搅拌均匀，制得调配料；所述添加料包括以下重量份添加原料：固化剂20-40份，改性粘性淀粉1-3份；所述添加原料还包括改性填充料，所述改性填充料主要由以下重量份原料制得：沸石粉5-10份，含氨基有机硅化合物0.2-0.7份；
S2灌胶：将电子铜器件于50-60℃干燥不少于100min，将电子铜器件放入模具中，将模具抽真空压力至不大于-0.08MPa，将调配料倒入模具内，调配料粘附在电子铜器件表面形成绝缘包覆层，根据所需绝缘包覆层厚度控制调配料加量，制得电子湿件；
S3固化：将电子湿件于50-60℃固化12-20h，电子铜器件表面形成绝缘层，制得电子元器件。
2.根据权利要求1所述的一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺，其特征在于，所述步骤S1中使用的原料按如下重量份配比投料：环氧树脂115-135份，固化剂25-35份，沸石粉6-9份，含氨基有机硅化合物0.3-0.6份，改性粘性淀粉1-3份。
3.根据权利要求1所述的一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺，其特征在于：所述改性粘性淀粉为淀粉磷酸酯；所述含氨基有机硅化合物为氨丙基三甲基硅烷；所述添加原料还包括0.5-1.2重量份的羟乙基甲基丙烯酸酯磷酸酯和0.3-0.9重量份的羟乙基磺酸钠。
4.根据权利要求3所述的一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺，其特征在于，所述改性填充料的制备方法为：将沸石粉和氨丙基三甲基硅烷混合均匀，加入3-5倍沸石粉重量的乙醇，以50-200转/分钟的转速搅拌，加热...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐伟，黄新宇，唐小波，李家建，张应强，
申请(专利权)人：四川瑞霆电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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