半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术实施例涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制作方法。本发明专利技术中，上述半导体器件的制作方法包括：在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层；其中，所述牺牲层覆盖所述突出结构和/或凹陷结构，形成所述牺牲层的材料为碳涂层材料；在所述牺牲层上形成结构层；释放所述牺牲层，形成所述半导体器件，使得即使在衬底的表面不平整时，也不会影响衬底表面上形成的牺牲层的平整度，牺牲层的平整度较好。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法
本专利技术实施例涉及半导体器件
，特别涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
表面微加工是MEMS(micro-electro-mechanical-system，微机电系统)芯片工艺的基础。表面微加工包括薄膜沉积，功能层图形化，微结构释放、密封等关键步骤。其中微结构释放是指在可动部件的底部形成空腔结构并形成可动结构，微结构释放工艺通过去除在可动结构件和衬底之间的材料来达到释放的目的，该层被去除的材料通常被称为牺牲层。然而，专利技术人发现相关技术中至少存在如下问题：在目前的量产工艺中，在衬底的表面不平整时，衬底表面上形成的牺牲层的平整度也会受到影响，牺牲层不平整会进一步影响到后续的工艺流程。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，使得即使在衬底的表面不平整时，也不会影响衬底表面上形成的牺牲层的平整度，牺牲层的平整度较好。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种半导体器件的制作方法，包括：在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：/n在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层；其中，所述牺牲层覆盖所述突出结构和/或凹陷结构，形成所述牺牲层的材料为碳涂层材料。/n在所述牺牲层上形成结构层；/n释放所述牺牲层，形成所述半导体器件。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层；其中，所述牺牲层覆盖所述突出结构和/或凹陷结构，形成所述牺牲层的材料为碳涂层材料。
在所述牺牲层上形成结构层；
释放所述牺牲层，形成所述半导体器件。


2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述碳涂层材料的组成元素的质量百分比满足以下条件的其中之一或任意组合：
所述碳的质量百分比大于或等于75％且小于或等于85％、所述氢的质量百分比大于或等于1％且小于10％、所述氧的质量百分比大于10％且小于20％。


3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述碳涂层材料的组成元素的质量百分比满足以下条件的其中之一或任意组合：
所述碳的质量百分比为80％、所述氢的质量百分比为5％、所述氧的质量百分比为15％。


4.如权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述碳涂层材料为富勒烯基高分子材料。


5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层，包括：
采用旋涂工艺在所述衬底的表面沉积所述碳涂层材料，形成碳涂层材料层；
对所述碳涂层材料层进行固化；
对固化后的所述碳涂层材料层进行图形化，形成所述牺牲层。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王红超，沈健，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44