【技术实现步骤摘要】
一种耦合共振型声表面波微流控芯片及其制作方法
本专利技术属于微流控芯片
，更具体地说，涉及一种耦合共振型声表面波微流控芯片及其制作方法。
技术介绍
声表面波是一种沿固体表面传播的声波，其能量主要集中在距表面1-2个波长范围内，位移振幅在深度方向迅速衰减。声表面波器件利用压电材料表面的叉指换能器，将射频信号转化为声表面波，可用作滤波器、振荡器和传感器，在医学、军事、工业、通信等领域有许多应用。近年来，声表面波技术被广泛应用于制作声学微流控芯片，可实现粒子排布、细胞分选、生物组织打印等功能。通常情况下，声表面波微流控器件用生物亲和性好的有机高分子材料制作微流腔。但有机高分子材料的声阻抗与微流腔内流体的声阻抗非常接近，且有机高分子材料的声衰减较大，这种器件微流腔内液体中的声能量较小，即能量转化至流体腔内的效率较低。而实现快速的粒子排布或细胞筛选等微流控应用都需要在腔道内的液体中形成能量密度较大的声场，这就要求在叉指换能器上施加较大功率的射频信号。但增加射频信号的功率会导致压电基底发热现象严重，损伤微流腔内的微粒或细胞...
【技术保护点】
1.一种耦合共振型声表面波微流控芯片，其特征在于，包括压电基底和腔体顶盖，所述压电基底的表面设有叉指换能器，且所述压电基底与腔体顶盖之间设有侧壁，压电基底、腔体顶盖和侧壁围合形成流体腔道；其中，腔体顶盖的厚度d<4c
【技术特征摘要】
1.一种耦合共振型声表面波微流控芯片，其特征在于，包括压电基底和腔体顶盖，所述压电基底的表面设有叉指换能器，且所述压电基底与腔体顶盖之间设有侧壁，压电基底、腔体顶盖和侧壁围合形成流体腔道；其中，腔体顶盖的厚度d<4cT/f，cT为腔体顶盖的横波波速，f为腔体顶盖的工作频率；流体腔道的横截面宽度w＝nxcSAW/2f，cSAW为压电基底的表面波波速，流体腔道的横截面高度h＝nzcf/(2fcosθ)，cf为流体腔道内流体的声速，(nx,nz)为流体腔道内的声场简正模态，θ＝sin-1(cf/cSAW)。
2.根据权利要求1所述的一种耦合共振型声表面波微流控芯片，其特征在于，流体腔道的两侧分别设置有一个叉指换能器。
3.根据权利要求1所述的一种耦合共振型声表面波微流控芯片，其特征在于，腔体顶盖的表面波波速cR小于压电基底的表面波波速cSAW。
4.根据权利要求1所述的一种耦合共振型声表面波微流控芯片，其特征在于，腔体顶盖的横波波速cT小于压电基底的表面波波速cSAW。
5.根据权利要求1所述的一种耦合共振型声表面波微流控芯片，其特征在于，侧壁的横波波速cTS>cf/cosθ。
6.根据权利要求1～5任一项所述的一种耦合共振型声表面波微流控芯片，其特征在于，压电基底的纵向截面为矩形。
7.一种耦合共振型声表面波微流控芯片的制作方法，其特征在于，包括：
根据压电基底的表面波波速选取腔体顶盖的材料，再根据腔体顶盖的材料确定腔体顶盖的厚度，根据腔体顶盖的材料和腔体顶盖的厚度制作腔体顶盖；
根据压电...
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