一种薄膜体声波谐振器制造技术

技术编号:26954179 阅读:29 留言:0更新日期:2021-01-05 21:13
一种薄膜体声波谐振器,涉及薄膜体声波谐振器技术领域。薄膜体声波谐振器包括自上而下依次设置的顶电极、压电层、底电极、支撑层、空腔结构和衬底,空腔结构内设有至少两个支撑膜层以及至少两个空气层。其中,支撑膜层的声阻抗大于空气层的声阻抗,每个空气层与每个支撑膜层自上而下交替叠合,任意相邻的空气层与支撑膜层共同组成布拉格声波反射层。其不仅有效增加空腔结构的机械稳固性,同时有效提升薄膜体声波谐振器的Q值。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜体声波谐振器
本申请涉及薄膜体声波谐振器
,具体而言,涉及一种薄膜体声波谐振器。
技术介绍
薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator,FBAR)是一种新型声波谐振器件,主要由上下两层金属电极以及夹在中间的压电薄膜构成,其原理是利用压电材料进行电能与机械能相互转化的特性,通过施加高频电压在电极上,在压电材料中激励体声波从而完成谐振。与传统的声表面波滤波器(SAW)和介质滤波器相比,薄膜体声波谐振器具有体积小、功耗低、插入损耗小、可集成于IC芯片上等优点。目前,FBAR已被广泛应用于无线通信领域。在实际制作FBAR的过程中,需要考虑如何将体声波尽可能限制在压电堆叠结构中,否则声波能量在电极外的泄露或损耗会导致品质因数(Q值)下降,影响整个器件的谐振性能。为了获得高Q值,需要尽可能减少声波的泄露,提高声波的反射率。目前主流方法主要有两种:其一是通过空气形成自由边界条件,使得声波反射率趋近于1,为了制备空气和电极材料组成的界面,通过牺牲层的工艺,自下而上形成压电堆叠结构,器件成型后,再通过刻蚀出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括自上而下依次设置的顶电极、压电层、底电极、支撑层、空腔结构和衬底,所述空腔结构内设有至少两个支撑膜层以及至少两个空气层;/n其中,支撑膜层的声阻抗大于所述空气层的声阻抗,每个所述空气层与每个支撑膜层自上而下交替叠合,任意相邻的所述空气层与所述支撑膜层共同组成布拉格声波反射层。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括自上而下依次设置的顶电极、压电层、底电极、支撑层、空腔结构和衬底,所述空腔结构内设有至少两个支撑膜层以及至少两个空气层;
其中,支撑膜层的声阻抗大于所述空气层的声阻抗,每个所述空气层与每个支撑膜层自上而下交替叠合,任意相邻的所述空气层与所述支撑膜层共同组成布拉格声波反射层。


2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述空气层的厚度为体声波波长的1/4或3/4,所述支撑膜层的厚度为体声波波长的1/4或3/4。


3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述空气层的厚度为30-2000nm,所述支撑膜层的厚度30-2000nm。


4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,
所述空腔结构靠近所述支撑层的一侧为空气层。


5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,
所...

【专利技术属性】
技术研发人员:左朋汪洋刘铮丁国建张宇超冯琦王海玲杨浩军徐文俊王晓晖贾海强陈弘
申请(专利权)人:松山湖材料实验室
类型:新型
国别省市:广东;44

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