可调反射腔的射频压电谐振器及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种可调反射腔的射频压电谐振器及制备方法，包括：谐振器衬底1、牺牲层2、磨平防刻蚀材料5、谐振器平板底电极6、谐振器压电材料7、谐振器交叉上电极8、压电层刻蚀窗口9及空气反射腔10；所述谐振器衬底1能够支撑可调反射腔的射频压电谐振器；所述牺牲层2形成于谐振器衬底1之上；所述磨平防刻蚀材料5形成于牺牲层2之中；所述谐振器底电极6采用平板结构；所述谐振器上电极8采用交叉结构；所述谐振器底电极6能够交叉谐振器上电极8形成电场；所述谐振器压电材料7采用压电薄膜材料；所述压电层刻蚀窗口9包括：牺牲层入口单元；本发明专利技术具有单片集成多频率优点，克服了传统体声波薄膜谐振器的单片单频率的不足。

【技术实现步骤摘要】
可调反射腔的射频压电谐振器及制备方法
本专利技术涉及无线通信领域，具体地，涉及一种可调反射腔的射频压电谐振器及制备方法，尤其涉及一种具有可调频、可调反射腔性能的射频压电谐振器结构。
技术介绍
随着5G通信的快速发展，各种通信系统(如手机、平板、自动驾驶、微型基站等)对射频压电滤波器的性能要求越来越高，尤其是对高频率、高品质因数、单片集成多频率滤波器的需求。而压电谐振器作为构成压电滤波器的核心单元，它的性能将会直接影响滤波器的性能。现有技术中亟需一种具有可调频、可调反射腔性能的射频压电谐振器结构。现有技术的不足之处是：对比专利中的谐振器不能灵活放置压电刻蚀窗口，会导致最终形成的器件结构不稳定。专利文献CN110572135A公开了一种基于极低声阻部件的高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤：1、制备极低声阻部件；2、于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜；3、于所述压电膜的上表面形成图案化上电极。该专利在结构的稳定性上仍然有待提升的空间。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，包括：谐振器衬底(1)、牺牲层(2)、磨平防刻蚀材料(5)、谐振器平板底电极(6)、谐振器压电材料(7)、谐振器交叉上电极(8)、压电层刻蚀窗口(9)及空气反射腔(10)；/n所述谐振器衬底(1)能够支撑可调反射腔的射频压电谐振器；/n所述牺牲层(2)形成于谐振器衬底(1)之上；所述磨平防刻蚀材料(5)形成于牺牲层(2)之中；/n所述谐振器底电极(6)采用平板结构；/n所述谐振器上电极(8)采用交叉结构；/n所述谐振器底电极(6)能够交叉谐振器上电极(8)形成电场；/n所述谐振器压电材料(7)采用压电薄膜材料；/n所述压电层刻蚀窗口(9)包括：牺...

【技术特征摘要】
1.一种可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，包括：谐振器衬底(1)、牺牲层(2)、磨平防刻蚀材料(5)、谐振器平板底电极(6)、谐振器压电材料(7)、谐振器交叉上电极(8)、压电层刻蚀窗口(9)及空气反射腔(10)；
所述谐振器衬底(1)能够支撑可调反射腔的射频压电谐振器；
所述牺牲层(2)形成于谐振器衬底(1)之上；所述磨平防刻蚀材料(5)形成于牺牲层(2)之中；
所述谐振器底电极(6)采用平板结构；
所述谐振器上电极(8)采用交叉结构；
所述谐振器底电极(6)能够交叉谐振器上电极(8)形成电场；
所述谐振器压电材料(7)采用压电薄膜材料；
所述压电层刻蚀窗口(9)包括：牺牲层入口单元；
所述牺牲层入口单元能够为湿法刻蚀所需的刻蚀气体或液体提供进入牺牲层的入口；
所述空气反射腔(10)能够将声波反射回谐振器平板底电极(6)、谐振器压电材料(7)之中。


2.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述谐振器衬底(1)能够阻挡垂直方向上的湿法刻蚀；
所述谐振器衬底(1)的电阻高于设定阈值；
所述谐振器衬底(1)采用任一种或者任多种材料的组合：
-高阻硅；
-单晶硅。


3.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述牺牲层(2)包括：牺牲层材料构件；
所述牺牲层材料构件能够被湿法刻蚀除去。


4.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述谐振器平板底电极(6)采用以下任一种材料：
-钼薄膜材料；
-钌薄膜材料；
-铂金薄膜材料。


5.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述谐振器交叉上电极(8)采用以下任一种材料：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：高安明，刘伟，姜伟，
申请(专利权)人：合肥先微企业管理咨询合伙企业有限合伙，合肥尔微企业管理咨询合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：安徽;34