一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，包括工艺腔室和下电极；所述下电极与工艺腔室的底板上端面相接；还包括多个下工艺气体通道；所述下工艺气体通道的进气端口位于工艺腔室外部；所述下工艺气体通道的出气端口靠近下电极上端面外缘。本实用新型专利技术通过下工艺气体通道；朝向下电极上端面外缘附近供应工艺气体，增大下电极边缘的工艺气体供气量，加快下电极边缘的刻蚀速度，使下电极边缘区域与下电极中心区域刻蚀速度相近，改善刻蚀均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置
本技术属于半导体加工设备
，尤其涉及一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置。
技术介绍
如图1，一种现有的等离子刻蚀装置，工艺腔室1的下方正中心安装有下电极2，下电极2上面会连接射频电源组件，为等离子刻蚀实现偏压作用。工艺腔室1的上部是腔盖5和放置在腔盖5上部的耦合窗6。耦合窗6的中心安装有进气喷嘴7，在进气喷嘴7中布置多个进气孔，工艺气体从这个进气喷嘴7喷出，进入工艺腔室1内部，形成中部进气流。线圈组件8安装在耦合窗6上部，连接至顶部的上射频电源9，为腔室内的工艺提供激发等离子体的能量。有的等离子刻蚀装置中，腔盖5内部也布置有多个朝向工艺腔室1的通气孔，工艺气体从通气孔中喷出，进入工艺腔室1内部，形成边缘进气流。下电极2越大，则能够刻蚀的晶圆尺寸越大，可放置的晶圆数量也越多，能提高生产效率。但越靠近下电极2的边缘，等离子体越少，因此下电极2越大，刻蚀均匀性也随之变差，通常表现为靠近下电极边缘区域刻蚀速度刻蚀慢，下电极中心区域刻蚀快。一般解决方式有两种：第一种在下电极2分区加热，使下电极2的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，包括工艺腔室（1）和下电极（2）；所述下电极（2）与工艺腔室（1）的底板上端面相接；其特征在于：还包括多个下工艺气体通道（4）；所述下工艺气体通道（4）的进气端口（401）位于工艺腔室（1）外部；所述下工艺气体通道（4）的出气端口（402）靠近下电极（2）上端面外缘。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，包括工艺腔室（1）和下电极（2）；所述下电极（2）与工艺腔室（1）的底板上端面相接；其特征在于：还包括多个下工艺气体通道（4）；所述下工艺气体通道（4）的进气端口（401）位于工艺腔室（1）外部；所述下工艺气体通道（4）的出气端口（402）靠近下电极（2）上端面外缘。


2.根据权利要求1所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下电极（2）的侧壁外周套装有保护环（10）；所述保护环（10）的内壁与下电极（2）的侧壁设置有间隙。


3.根据权利要求1或2所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下工艺气体通道（4）开孔设置在下电极（2）与工艺腔室（1）的底板。


4.根据权利要求3所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下工艺气体通道（4）的出气端口（402）位于下电极（2）的侧壁。


5.根据权利要求4所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下电极（2）与工艺腔室（1）的底板上端面之间设置有绝缘垫（11）；所述下工艺气体通道（4）开孔设置在下电极（2）、绝缘垫（11）及工艺腔室（1）的底板。


6.根据权利要求1所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下工艺气体通道（4）仅开孔设置在工艺腔室（1...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩大健，李娜，冯英雄，车东晨，许开东，
申请(专利权)人：北京鲁汶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11