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本实用新型公开了一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，包括工艺腔室和下电极；所述下电极与工艺腔室的底板上端面相接；还包括多个下工艺气体通道；所述下工艺气体通道的进气端口位于工艺腔室外部；所述下工艺气体通道的出气端口靠近下电极上端面外缘。本...
该专利属于北京鲁汶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京鲁汶半导体科技有限公司授权不得商用。

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