一种可重构带阻滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可重构带阻滤波器，包括有基板，设置于基板上的多个谐振器和主线；基板包括有衬底、两层分别设置于衬底上下两面上的高温超导YBa2Cu3O7‑Δ薄膜、以及原位溅射于高温超导YBa2Cu3O7‑Δ薄膜外表面上的金膜；多个谐振器在基板上呈两排分布结构，主线位于两排谐振器之间，每个谐振器均包括有蛇形弯折的超导线结构，主线是由多个弯折段和多个直线段组成，主线的每个弯折段与上下两个谐振器相互靠近形成耦合。本实用新型专利技术可实现多个可调中心频率点，具有体积小、抑制度高、调谐范围宽、频点/带宽可重构的特点，可应用于微波通信设备中。

【技术实现步骤摘要】
一种可重构带阻滤波器
本技术涉及电子元器件
，具体是一种可重构带阻滤波器。
技术介绍
目前广泛使用的射频滤波器有着不可调、功能固定的特点，无线通信系统有大量不同指标的射频滤波器，增加了无线通信系统的复杂性和体积。如果射频滤波器有着中心频率、带宽等性能可调谐的特性，使用同一射频滤波器即可灵活满足不同指标，将有助于简化无线通信系统并大大减少体积。为充分利用频谱，各微波通信系统中需要带宽窄、抑制度高的可调带阻滤波器，实现对干扰的灵活抑制。而现有的可调带阻滤波器往往不能同时满足带宽/频点可调，抑制度高，陷波带宽窄，调谐范围宽的要求。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种可重构带阻滤波器，可实现多个可调中心频率点，具有体积小、抑制度高、调谐范围宽、频点/带宽可重构的特点，陷波带宽窄，可应用于微波通信设备中。本技术的技术方案为：一种可重构带阻滤波器，包括有基板，设置于基板上的多个谐振器和主线；所述的多个谐振器在基板上呈两排分布结构，所述的主线位于两排谐振器之间，每个谐振器均包括有蛇形弯折的超导线结构，所述的主线是由多个弯折段和多个直线段组成，主线的两端分别为输入端和输出端，每个弯折段均为蛇形弯折结构且是由多个交叉连接的上部和下部组成，所述的弯折段的上部和下部均为U形弯折结构，弯折段上部的U形槽口朝下，弯折段下部的U形槽口朝上，所述的主线每个弯折段的多个上部均伸入到上排对应的一个谐振器弯折形成的多个向下的开口槽内使得主线的弯折段和对应的谐振器相互靠近形成耦合，所述的主线每个弯折段的多个下部均伸入到下排对应的一个谐振器弯折形成的多个向上的开口槽内使得主线的弯折段和对应的谐振器相互靠近形成耦合；所述的基板包括有衬底、两层分别设置于衬底上下两面上的高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜、以及原位溅射于高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜外表面上的金膜，其中一层高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜的外表面上完全覆盖金膜作为接地面，另一层高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜上仅谐振器元器件的焊接部分、谐振器的电压输入端和接地端、主线的输入端和输出端的焊接部分覆盖金膜。所述的每个谐振器均包括有超导线和元器件，所述的元器件包括有片式电容、第一片式电阻、第二片式电阻、第一变容二极管和第二变容二极管，所述的第一片式电阻的一端作为电压输入端，第二片式电阻的一端作为接地端，片式电容的一端、第一变容二极管和第二变容二极管的阴极均与第一片式电阻的另一端连接，第一变容二极管和第二变容二极管的阳极均与第二片式电阻的另一端连接，片式电容的另一端、第二片式电阻的另一端分别与超导线的两端连接。所述的衬底为铝酸镧衬底。本技术的优点：(1)、本技术利用高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜作为导体材料，可以大大降低可重构带阻滤波器的插损。(2)、本技术主线采用弯折结构与上下分布式的谐振器耦合，有效得减小了可重构带阻滤波器的电路面积。(3)、本技术采用两个变容二极管并联来进行调谐，变容二极管的寄生电阻为单个二极管的一半，可以实现更窄的陷波带宽和更高的陷波抑制，提高滤波器的性能。(4)、本技术多个谐振器可以单独设置电压输入的大小，不同的电压输入组成可以实现不同的陷波中心频点和陷波带宽，调谐灵活、快速、实用。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是本技术主线的结构示意图。图3是本技术谐振器的结构示意图。图4是本技术具有四个窄带陷波频点的传输曲线图,其中，实线为传输系数S21，虚线为反射系数S11。图5是本技术具有三个窄带陷波频点的传输曲线图，其中，实线为传输系数S21，虚线为反射系数S11。图6是本技术具有两个窄带陷波频点的传输曲线图，其中，实线为传输系数S21，虚线为反射系数S11。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。见图1，一种可重构带阻滤波器，包括有基板1，设置于基板1上的十六个谐振器2和主线3；见图1和图2，十六个谐振器2在基板1上呈两排分布结构，主线3位于两排谐振器2之间，每个谐振器2均包括有蛇形弯折的超导线结构，主线3是由八个弯折段31和七个直线段32组成，相邻的弯折段31之间连接有一个直线段32从而形成主线，主线3的两端分别为输入端33和输出端34，每个弯折段31均为蛇形弯折结构且是由多个交叉连接的上部和下部组成，弯折段的上部和下部均为U形弯折结构，弯折段31上部的U形槽口朝下，弯折段31下部的U形槽口朝上，主线每个弯折段31的多个上部均伸入到上排对应的一个谐振器2弯折形成的多个向下的开口槽内使得主线的弯折段31和对应的谐振器相互靠近形成耦合，主线每个弯折段31的多个下部均伸入到下排对应的一个谐振器2弯折形成的多个向上的开口槽内使得主线的弯折段31和对应的谐振器相互靠近形成耦合；主线的弯折段31与上下分布式的谐振器2耦合，可以增加谐振器与主线的耦合，并减小可重构带阻滤波器电路面积；见图1和图3，每个谐振器2均包括有超导线21、片式电容22、第一片式电阻23、第二片式电阻24、第一变容二极管25和第二变容二极管26，第一片式电阻23的一端作为电压输入端27，第二片式电阻24的一端作为接地端28，片式电容22的一端、第一变容二极管25和第二变容二极管26的阴极均与第一片式电阻23的另一端连接，第一变容二极管25和第二变容二极管26的阳极均与第二片式电阻24的另一端连接，片式电容22的另一端、第二片式电阻24的另一端分别与超导线21的两端连接；采用第一变容二极管25和第二变容二极管26并联的结构，可以有效降低电路的寄生电阻和电感，提高整体电路的Q值，实现窄的陷波带宽的同时，陷波深度得到提高；基板1包括有衬底、两层分别设置于衬底上下两面上的高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜、以及原位溅射于高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜外表面上的金膜，其中一层高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜的外表面上完全覆盖金膜作为接地面，另一层高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜上仅谐振器元器件(片式电容22、第一片式电阻23、第二片式电阻24、第一变容二极管25和第二变容二极管26)的焊接部分、谐振器的电压输入端27和接地端28、主线的输入端33和输出端34的焊接部分覆盖金膜。十六个谐振器2与主线3耦合的长度或距离由滤波器所需要达到的抑制度指标决定。要求的抑制度高、带宽宽则耦合长度增加或耦合距离减小。各谐振器间的间距，即主线直线段32部分的长度应足够大，防止相邻谐振器间产生耦合，降低带阻滤波器的陷波深度，此处距离通过仿真确定；各谐振器上有接地端47接地，各电压输入端46分别连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可重构带阻滤波器，其特征在于：包括有基板，设置于基板上的多个谐振器和主线；/n所述的多个谐振器在基板上呈两排分布结构，所述的主线位于两排谐振器之间，每个谐振器均包括有蛇形弯折的超导线结构，所述的主线是由多个弯折段和多个直线段组成，主线的两端分别为输入端和输出端，每个弯折段均为蛇形弯折结构且是由多个交叉连接的上部和下部组成，所述的弯折段的上部和下部均为U形弯折结构，弯折段上部的U形槽口朝下，弯折段下部的U形槽口朝上，所述的主线每个弯折段的多个上部均伸入到上排对应的一个谐振器弯折形成的多个向下的开口槽内使得主线的弯折段和对应的谐振器相互靠近形成耦合，所述的主线每个弯折段的多个下部均伸入到下排对应的一个谐振器弯折形成的多个向上的开口槽内使得主线的弯折段和对应的谐振器相互靠近形成耦合；/n所述的基板包括有衬底、两层分别设置于衬底上下两面上的高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜、以及原位溅射于高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜外表面上的金膜，其中一层高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜的外表面上完全覆盖金膜作为接地面，另一层高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜上仅谐振器元器件的焊接部分、谐振器的电压输入端和接地端、主线的输入端和输出端的焊接部分覆盖金膜。/n...

【技术特征摘要】
1.一种可重构带阻滤波器，其特征在于：包括有基板，设置于基板上的多个谐振器和主线；
所述的多个谐振器在基板上呈两排分布结构，所述的主线位于两排谐振器之间，每个谐振器均包括有蛇形弯折的超导线结构，所述的主线是由多个弯折段和多个直线段组成，主线的两端分别为输入端和输出端，每个弯折段均为蛇形弯折结构且是由多个交叉连接的上部和下部组成，所述的弯折段的上部和下部均为U形弯折结构，弯折段上部的U形槽口朝下，弯折段下部的U形槽口朝上，所述的主线每个弯折段的多个上部均伸入到上排对应的一个谐振器弯折形成的多个向下的开口槽内使得主线的弯折段和对应的谐振器相互靠近形成耦合，所述的主线每个弯折段的多个下部均伸入到下排对应的一个谐振器弯折形成的多个向上的开口槽内使得主线的弯折段和对应的谐振器相互靠近形成耦合；
所述的基板包括有衬底、两层分别设置于衬底上下两面上的高温超导YBa2Cu3O7-Δ薄膜、以及原位溅射于高温超导YBa2Cu3O...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十六研究所，
类型：新型
国别省市：安徽;34