一种用于像增强器的EMI滤波器及其装配方法组成比例

本发明专利技术属于像增强器技术领域，具体提供一种用于像增强器的EMI滤波器及其装配方法，所述EMI滤波器为两级组合滤波结构，集成了电容、电感和磁珠元器件，采用柔性印制板单独设计版图，然后将设计好的柔性印制板叠层焊接在高压电源PCB上，对正面焊盘进行加固，对反面进行绝缘，和高压电源PCB一起弯折放入金属外壳，使用硅橡胶灌封，完成整体定型，最后将屏蔽线与金属外壳360°焊接。实现了EMI滤波器的合理放置，解决了小型像增强器不能直接使用EMI滤波器或放置位置、版图设计不理想问题，同时能够可靠装配到像增强器上，有效提高像增强器的电磁兼容性能，确保像增强器能够满足电磁兼容试验要求。

【技术实现步骤摘要】
一种用于像增强器的EMI滤波器及其装配方法
本专利技术属于像增强器
，具体涉及一种用于像增强器的EMI滤波器及其装配方法。
技术介绍
像增强器是将目标物体反射的极弱光线通过阴极光电转换、微通道板电子倍增和荧光屏电光转换实现图像增强的真空电子成像器件，主要由真空像管和高压电源构成。高压电源将直流低压转换为高压给像管供电，并采样荧光屏电流以对供电电压的幅值、脉宽进行自动调整，保证像管的亮度在弱光和强光条件下都能保持稳定，实现亮度自动控制。真空像管通常为T字形圆柱体结构，高压电源为环形壳体结构，真空像管和高压电源套装灌封。由于高压电源的环形壳体结构，导致现有高压电源只能采用长条形柔性PCB作为载体，同时由于PCB上元器件集成密度大，PCB外形尺寸长，需多处弯曲甚至来回折叠后才能入壳。因此，目前很难在16mm、18mm等小型像增强器的高压电源PCB上直接放置EMI滤波器，或者很难将EMI滤波器版图设计到合理的位置以及布局成理想的形状，导致滤波效果不理想。EMI滤波是实现电磁兼容的主要手段之一，如果缺少EMI滤波器，高压电源自身产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于像增强器的EMI滤波器，其特征在于所述EMI滤波器由设置于柔性印制板正面的低频陶瓷电容C1、高频陶电容C2、高频共模电感L1、高频磁珠L2、高频磁珠L3和低频陶瓷电容C3组成，所述低频陶瓷电容C1的一端连接输入正引线和高频共模电感L1的1号引脚，所述低频陶瓷电容C1的另一端连接输入地引线和高频共模电感L1的4号引脚；所述高频共模电感L1的2号引脚连接高频陶电容C2的一端和高频磁珠L2的一端，所述高频磁珠L2的另一端连接输出正和低频陶瓷电容C3的一端；所述高频共模电感L1的3号引脚连接高频陶电容C2的另一端和高频磁珠L3的一端，所述高频磁珠L3的另一端连接输出地和低频陶瓷电容C3的另...

【技术特征摘要】
1.一种用于像增强器的EMI滤波器，其特征在于所述EMI滤波器由设置于柔性印制板正面的低频陶瓷电容C1、高频陶电容C2、高频共模电感L1、高频磁珠L2、高频磁珠L3和低频陶瓷电容C3组成，所述低频陶瓷电容C1的一端连接输入正引线和高频共模电感L1的1号引脚，所述低频陶瓷电容C1的另一端连接输入地引线和高频共模电感L1的4号引脚；所述高频共模电感L1的2号引脚连接高频陶电容C2的一端和高频磁珠L2的一端，所述高频磁珠L2的另一端连接输出正和低频陶瓷电容C3的一端；所述高频共模电感L1的3号引脚连接高频陶电容C2的另一端和高频磁珠L3的一端，所述高频磁珠L3的另一端连接输出地和低频陶瓷电容C3的另一端。


2.根据权利要求1所述的一种用于像增强器的EMI滤波器，其特征在于：所述输入正引线和输入地引线采用具有防波套的屏蔽线，所述屏蔽线形成屏蔽层，所述屏蔽层末端接至高频共模电感L1的4号引脚，屏蔽层前端悬空。


3.一种用于实现权利要求1至2任一所述的EMI滤波器装配的装配方法，其特征在于，包括版图设计和叠层装配；
其中版图设计包括如下步骤：
S1、沿着输入至输出方向依次将完成电连接的低频陶瓷电容C1、高频共模电感L1、高频陶电容C2、高频磁珠L2、高频磁珠L3和低频陶瓷电容C3设置于柔性印制板正面；
S...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜培德，周盛涛，朱文锦，李亚情，徐传平，曾进能，李晓露，
申请(专利权)人：北方夜视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：云南;53