低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构制造技术

技术编号:26915092 阅读:62 留言:0更新日期:2021-01-01 18:15
本实用新型专利技术实施方式提供一种低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构,属于大功率电器技术领域。所述叠层母排结构包括:交流输出导体层,用于连接至交流电端;正母线导体层,与交流输出导体层间隔设置;负母线导体层,与正母线导体层间隔设置;地导体层,设置于母排结构的底层,用于接地;上桥臂开关器件,贯穿设置于交流输出导体层、正母线导体层以及负母线导体层,交流输出导体层通过上桥臂开关器件与正母线导体层连接;以及下桥臂开关器件,贯穿设置于交流输出导体层、正母线导体层以及负母线导体层,交流输出导体层通过下桥臂开关器件与负母线导体层连接;其中,交流输出导体层、正母线导体层、负母线导体层之间均设置有绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构
本技术涉及大功率电器
,具体地涉及一种低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构。
技术介绍
大功率电力电子装置中,半导体开关器件通过母排与母线电容和交流输出端连接。传统母排结构寄生电感大,在开关器件关断瞬间产生电压过冲,对开关器件的安全运行构成威胁,或需要对开关器件耐压进行降额使用,降低了其耐压的有效利用率。为了提高大功率电力电子装置的功率输出能力,通常需要多个半导体开关器件并联使用,并联的开关器件通过母排进行连接,传统的母排结构由于没有对各支路的寄生电感进行控制,导致并联的开关器件动态电流分配不均,为了防止并联器件中载荷较大的器件过热损坏,需要对开关器件的电流能力降额使用,降低了其电流能力的有效利用率。
技术实现思路
本技术实施方式的目的是提供一种低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构,该叠层母排结构能够防止降低母排结构中各个支路的寄生电感,从而提高电流的有效利用率。为了实现上述目的,本技术实施方式提供一种低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构,所述叠层母排结构包括:交流输出导体层,用于连接至交流电端;正母线导体层,与所述交流输出导体层间隔设置;负母线导体层,与所述正母线导体层间隔设置;地导体层,设置于所述母排结构的底层,用于接地;上桥臂开关器件,贯穿设置于所述交流输出导体层、所述正母线导体层以及所述负母线导体层,所述交流输出导体层通过所述上桥臂开关器件与所述正母线导体层连接;以及下桥臂开关器件,贯穿设置于所述交流输出导体层、所述正母线导体层以及所述负母线导体层,所述交流输出导体层通过所述下桥臂开关器件与所述负母线导体层连接;其中,所述交流输出导体层、所述正母线导体层、所述负母线导体层之间均设置有绝缘层。可选地,所述交流输出导体层包括第一交流输出导体层、第二交流输出导体层以及第三交流输出导体层;所述正母线导体层包括第一正母线导体层和第二正母线导体层;所述负母线导体层包括第一负母线导体层和所述第二负母线导体层;所述第一交流输出导体层位于所述叠层母排结构的顶层;所述第一正母线导体层设置于所述第一交流输出导体层下且与所述第一交流输出导体层通过所述换流回路连接;所述第一负母线导体层设置于所述第一正母线导体层下;所述第二交流输出导体层设置于所述第一负母线导体层下;所述第三交流输出导体层设置于所述第二交流输出导体层下;所述第二正母线导体层设置于所述第三交流输出导体层下;所述第二负母线导体层设置于所述第二正母线导体层下;所述地导体层设置于所述第二负母线导体层下;所述上桥臂开关器件的漏极与所述第一正母线导体层、所述第二正母线导体层连接,所述上桥臂开关器件的源极与所述第一交流输出导体层、所述第二交流输出导体层、所述第三交流输出导体层连接;所述下桥臂开关器件的漏极与所述第一交流输出导体层、所述第二交流输出导体层、所述第三交流输出导体层连接,所述下桥臂开关器件的源极与所述第一负母线导体层、所述第二负母线导体层连接;其中,所述第一交流输出导体层、所述第一正母线导体层、所述第一负母线导体层、所述第二交流输出导体层、所述第三交流输出导体层、所述第二正母线导体层、所述第二负母线导体层以及所述地导体层之间均设置所述绝缘层。可选地,所述交流输出导体层、所述正母线导体层、所述负母线导体层、所述地导体层以及所述绝缘层的厚度为0.07mm。可选地,所述上桥臂开关器件与所述第一负母线导体层、所述第二负母线导体层通过绝缘材料绝缘。可选地,所述下桥臂开关器件与所述第一正母线导体层、所述第二正母线导体层通过绝缘材料绝缘。可选地,所述上桥臂开关器件包括至少六个功率管,所述第一交流输出导体层、所述第二交流输出导体层和所述第三交流输出导体层分别通过至少两个功率管与所述第一正母线导体层、第二正母线导体层连接。可选地,所述下桥臂开关器件包括至少六个功率管,所述第一交流输出导体层、所述第二交流输出导体层和所述第三交流输出导体层分别通过至少两个功率管与所述第一负母线导体层、所述第二负母线导体层连接。可选地,所述第一交流输出导体层与交流电端的第一相连接,所述第二交流输出导体层与所述交流电端的第二相连接,所述第三交流输出导体层与所述交流电端的第三相连接。通过上述技术方案,本技术提供的低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构通过采用交流输出导体层、正母线导体层以及负母线导体层间隔设置的方式,降低了器件并联时支路的寄生电感,提高了电路对电流的利用率。本技术实施方式的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本技术实施方式的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本技术实施方式,但并不构成对本技术实施方式的限制。在附图中:图1是根据本技术的一个实施方式的低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构的截面图;图2是根据本技术的一个实施方式的低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构的三维图;图3是根据本技术的一个实施方式的低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构的设计示意图;以及图4是根据本技术的一个实施方式的低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构的电路图。具体实施方式以下结合附图对本技术实施方式的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术实施方式,并不用于限制本技术实施方式。在本技术实施方式中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上、下、顶、底”通常是针对附图所示的方向而言的或者是针对竖直、垂直或重力方向上而言的各部件相互位置关系描述用词。另外,若本技术实施方式中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施方式之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本技术要求的保护范围之内。本技术提供一种低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构。该叠层母排结构可以包括交流输出导体层、正母线导体层、负母线导体层、地导体层、上桥臂开关器件、下桥臂开关器件以及绝缘层。其中,交流输出导电层用于连接至交流电端。交流输出导体层与正母线导体层间隔设置。负母线导体层与正母线导体层间隔设置。地导体层设置于该母排结构的底层,用于接地。交流输出导体层、正母线导体层、负母线导体层之间均可以设置有绝缘层。上桥臂开关器件和下桥臂开关器件可以贯穿设置于交流输出导体层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构,其特征在于,所述叠层母排结构包括:/n交流输出导体层,用于连接至交流电端;/n正母线导体层,与所述交流输出导体层间隔设置;/n负母线导体层,与所述正母线导体层间隔设置;/n地导体层,设置于所述母排结构的底层,用于接地;/n上桥臂开关器件,贯穿设置于所述交流输出导体层、所述正母线导体层以及所述负母线导体层,所述交流输出导体层通过所述上桥臂开关器件与所述正母线导体层连接;以及/n下桥臂开关器件,贯穿设置于所述交流输出导体层、所述正母线导体层以及所述负母线导体层,所述交流输出导体层通过所述下桥臂开关器件与所述负母线导体层连接;/n其中,所述交流输出导体层、所述正母线导体层、所述负母线导体层之间均设置有绝缘层。/n

【技术特征摘要】
1.一种低寄生电感且适用于器件并联的叠层母排结构,其特征在于,所述叠层母排结构包括:
交流输出导体层,用于连接至交流电端;
正母线导体层,与所述交流输出导体层间隔设置;
负母线导体层,与所述正母线导体层间隔设置;
地导体层,设置于所述母排结构的底层,用于接地;
上桥臂开关器件,贯穿设置于所述交流输出导体层、所述正母线导体层以及所述负母线导体层,所述交流输出导体层通过所述上桥臂开关器件与所述正母线导体层连接;以及
下桥臂开关器件,贯穿设置于所述交流输出导体层、所述正母线导体层以及所述负母线导体层,所述交流输出导体层通过所述下桥臂开关器件与所述负母线导体层连接;
其中,所述交流输出导体层、所述正母线导体层、所述负母线导体层之间均设置有绝缘层。


2.根据权利要求1所述的叠层母排结构,其特征在于,所述交流输出导体层包括第一交流输出导体层、第二交流输出导体层以及第三交流输出导体层;
所述正母线导体层包括第一正母线导体层和第二正母线导体层;
所述负母线导体层包括第一负母线导体层和第二负母线导体层;
所述第一交流输出导体层位于所述叠层母排结构的顶层;
所述第一正母线导体层设置于所述第一交流输出导体层下且与所述第一交流输出导体层通过换流回路连接;
所述第一负母线导体层设置于所述第一正母线导体层下;
所述第二交流输出导体层设置于所述第一负母线导体层下;
所述第三交流输出导体层设置于所述第二交流输出导体层下;
所述第二正母线导体层设置于所述第三交流输出导体层下;
所述第二负母线导体层设置于所述第二正母线导体层下;
所述地导体层设置于所述第二负母线导体层下;
所述上桥臂开关器件的漏极与所述第一正母线导体层、所述第二正母线导体层连接,所述上桥臂开关器件的源极与所述第一交流输出导体层、所述第二交流输出导体...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱楠向礼
申请(专利权)人:致瞻科技上海有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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