适用高压电池的系统供电电路技术方案

技术编号:26915085 阅读:49 留言:0更新日期:2021-01-01 18:15
本实用新型专利技术公开了一种适用高压电池的系统供电电路,包括降压芯片、P沟道MOS管、第一集成双二极管、第一电感线圈和第二集成双二极管,降压芯片的第一插脚与第五电容一端连接,降压芯片的第三插脚同时与第四电阻一端和第九电容一端连接,第一集成双二极管的第一阳极经第六电阻与系统供电输出端连接,第二集成双二极管的第一阳极与USB供电端连接,P沟道MOS管的栅极同时与开关按钮端、第三电容一端和第三十二电阻一端连接,P沟道MOS管的源极同时与第三电容另一端、第三十二电阻另一端和电池电压第二输入端连接。本实用新型专利技术,保护系统端不会出现高电压烧坏系统,同时输出电压比较稳定,又具有关机漏电低优点。

【技术实现步骤摘要】
适用高压电池的系统供电电路
本技术属于电池供电
,尤其涉及一种适用高压电池的系统供电电路。
技术介绍
目前,大部分Tablet基本上都是低压电池(3.7V/3.8V)产品,当电池电压较高(7.2V-8.4V)时,不能直接给系统供电时,就需要将电池电压降至IC的标准输入电压,才能给系统供电,机器才能正常工作。因此,急缺一种适用高压电池的系统供电电路。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提出一种适用高压电池的系统供电电路,旨在解决
技术介绍
中所提及的技术问题,保护系统端不会出现高电压烧坏系统芯片,同时输出电压比较稳定,又具有关机漏电低优点。本技术的一种适用高压电池的系统供电电路,包括降压芯片、P沟道MOS管、第一集成双二极管、第一电感线圈和第二集成双二极管,降压芯片的第一插脚与第五电容一端连接,降压芯片的第六插脚同时与第五电容另一端和第一电感线圈一端连接,降压芯片的第三插脚同时与第四电阻一端、第三电阻一端和第九电容一端连接,第一电感线圈另一端同时与第六电容一端、第七电容一端、第八电容一端、第九电容另一端、第三电阻一端和系本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用高压电池的系统供电电路,其特征在于,包括降压芯片、P沟道MOS管、第一集成双二极管、第一电感线圈和第二集成双二极管,降压芯片的第一插脚与第五电容一端连接,降压芯片的第六插脚同时与第五电容另一端和第一电感线圈一端连接,降压芯片的第三插脚同时与第四电阻一端、第三电阻一端和第九电容一端连接,第一电感线圈另一端同时与第六电容一端、第七电容一端、第八电容一端、第九电容另一端、第三电阻一端和系统供电输入端连接,降压芯片的第五插脚与电池电压第一输入端连接,降压芯片的第四插脚同时与第四电容一端、P沟道MOS管的漏极、第二电阻一端和第一集成双二极管的负极连接,第一集成双二极管的第一阳极经第六电阻与系...

【技术特征摘要】
1.一种适用高压电池的系统供电电路,其特征在于,包括降压芯片、P沟道MOS管、第一集成双二极管、第一电感线圈和第二集成双二极管,降压芯片的第一插脚与第五电容一端连接,降压芯片的第六插脚同时与第五电容另一端和第一电感线圈一端连接,降压芯片的第三插脚同时与第四电阻一端、第三电阻一端和第九电容一端连接,第一电感线圈另一端同时与第六电容一端、第七电容一端、第八电容一端、第九电容另一端、第三电阻一端和系统供电输入端连接,降压芯片的第五插脚与电池电压第一输入端连接,降压芯片的第四插脚同时与第四电容一端、P沟道MOS管的漏极、第二电阻一端和第一集成双二极管的负极连接,第一集成双二极管的第一阳极经第六电阻与系统供电输出端连接,第一集成双二极管的第二阳极经第五电阻与第二集成双二极管的负极连接,第二集成双二极管的第一阳极与USB供电端连接,...

【专利技术属性】
技术研发人员:马保军王习坪范德业张龙程文辉
申请(专利权)人:深圳市亿道数码技术有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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