太阳能电池的制备方法和太阳能电池技术

本发明专利技术涉及太阳能电池制备技术领域，提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，其中太阳能电池的制备方法，包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成第一钼层；在第一钼层上形成钼钠层，其中在形成钼钠层时通入目标流量的氧气以形成钼的氧化物；在钼钠层上形成第二钼层；在第二钼层上形成光吸收层。本发明专利技术提供的太阳能电池的制备方法和太阳能电池，通过在形成钼钠层的同时通入目标流量的氧气，可以使得钼钠层与氧气发生反应生成钼的氧化物，钼的氧化物可以减少钠在第二钼层与光吸收层交界面处的堆积量，进而降低了Na扩散至光吸收层的浓度，提高太阳能电池的性能。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法和太阳能电池
本专利技术涉及太阳能发电
，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。
技术介绍
CIGS薄膜太阳能电池是以CuInSe2(CIS)半导体薄膜材料为吸收层的薄膜太阳能电池，用金属镓(Ga)取代部分铟(In)所以称为CIGS薄膜太阳能电池。CIGS薄膜太阳能电池具有相对效率较高、抗辐射、弱光性好、重量轻便可作为移动能源使用等优点。现有CIGS太阳能电池技术中，通常会在CIGS膜层中掺杂适量的Na，Na的掺入，可以钝化CIGS光吸收层和CdS缓冲层界面的缺陷，从而增加载流子密度，使得开路电压VOC提高，使得电池性能提高30％-50％。目前Na掺杂CIGS方式一般采用Na的预制层，通常将Na掺杂于钼靶材中作为Na源，通过磁控溅射的方法溅射至柔性基底上，随后在钼钠层上溅射一层纯钼层，Na通过纯钼层扩散至CIGS光吸收层，Na扩散至CIGS光吸收层的含量通常通过Na源的浓度及钼层的阻挡来控制。专利技术人发现适量的Na可以促进CIGS晶粒的增长，致密性较好，减少CIGS光吸收层的缺陷，减少了电子空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底基板；/n在所述衬底基板上形成第一钼层；/n在所述第一钼层上形成钼钠层，其中在形成所述钼钠层时通入目标流量的氧气以形成钼的氧化物；/n在所述钼钠层上形成第二钼层；/n在所述第二钼层上形成光吸收层。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成第一钼层；
在所述第一钼层上形成钼钠层，其中在形成所述钼钠层时通入目标流量的氧气以形成钼的氧化物；
在所述钼钠层上形成第二钼层；
在所述第二钼层上形成光吸收层。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钼钠层采用磁控溅射钼钠靶的方式形成，所述目标流量为：通入的所述氧气与氩气的体积比大于等于0.3且小于等于0.6。


3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，通入的所述氧气与氩气的体积比大于等于0.4且小于等于0.55。


4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钼钠靶被溅射的时间大于等于1分钟且小于等于15分钟。


5.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钼钠靶中钠元素的含量与通入的所述氧气的目标流量成正比。


6.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钼钠靶中钠的掺杂浓度为大于等于1wt％且小于等于15wt％。


7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成的所述第二钼层的厚度大...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙红霞，胡超，潘世荣，
申请(专利权)人：贵州米亚索乐装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52