层叠型电子部件以及层叠型电子部件的制造方法技术

提供一种层叠型电子部件以及层叠型电子部件的制造方法。层叠型电子部件具备包含层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体，多个电介质层具有包含钙钛矿型化合物的多个晶粒，该钙钛矿型化合物包含Ba、第1以及第2稀土类元素而构成，第1稀土类元素的正3价的离子半径和Ba的正2价的离子半径的差小于第2稀土类元素的正3价的离子半径和Ba的正2价的离子半径的差，多个晶粒的至少一部分具有沿着晶粒的晶界而设的第1区域、和位于晶粒的中央部的第2区域，第1区域中的第1稀土类元素的量和第2稀土类元素的量的和多于第2区域中的第1稀土类元素的量和第2稀土类元素的量的和。

【技术实现步骤摘要】
层叠型电子部件以及层叠型电子部件的制造方法
本公开涉及层叠型电子部件以及层叠型电子部件的制造方法。
技术介绍
近年来，层叠陶瓷电容器等层叠型电子部件向车载设备等要求高可靠性的电子设备的应用不断发展。关于层叠型电子部件的可靠性，例如能够利用在高温负荷试验中绝缘电阻下降到给定值所需要的时间的长度(以下，有时只称为寿命)来进行评价。作为层叠型电子部件的一例，可列举日本特开2013-229551号公报(专利文献1)中记载的层叠陶瓷电容器。专利文献1中记载的层叠陶瓷电容器具备包含BaTiO3和稀土类元素Re的电介质层。为了使具备包含BaTiO3的电介质层的层叠陶瓷电容器的可靠性提高，需要抑制被施加了直流电压的情况下的电介质层中的氧空穴的移动。为了提高可靠性，通过稀土类元素Re的正3价离子即Re3+来置换BaTiO3的晶格中的Ba的正2价离子即Ba2+是有效的(以下，有时离子的表述仿效上述)。若如上述那样由Re3+来置换Ba2+，则正电荷变得过剩。因此，生成被视为相对地带负2价电的Ba空穴，以满足电中性条件。该Ba空穴和能够被视为相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层叠型电子部件，其中，/n所述层叠型电子部件具备：包含层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体，/n所述多个电介质层具有包含钙钛矿型化合物的多个晶粒，该钙钛矿型化合物包含Ba、第1稀土类元素以及第2稀土类元素而构成，/n所述第1稀土类元素的正3价的离子半径和Ba的正2价的离子半径的差小于所述第2稀土类元素的正3价的离子半径和Ba的正2价的离子半径的差，/n所述多个晶粒的至少一部分具有沿着晶粒的晶界而设的第1区域、和位于所述晶粒的中央部的第2区域，/n所述第1区域中的所述第1稀土类元素的量和所述第2稀土类元素的量的和多于所述第2区域中的所述第1稀土类元素的量和所述第2稀土类元素的量的和...

【技术特征摘要】
20190628 JP 2019-121519;20200522 JP 2020-0894821.一种层叠型电子部件，其中，
所述层叠型电子部件具备：包含层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体，
所述多个电介质层具有包含钙钛矿型化合物的多个晶粒，该钙钛矿型化合物包含Ba、第1稀土类元素以及第2稀土类元素而构成，
所述第1稀土类元素的正3价的离子半径和Ba的正2价的离子半径的差小于所述第2稀土类元素的正3价的离子半径和Ba的正2价的离子半径的差，
所述多个晶粒的至少一部分具有沿着晶粒的晶界而设的第1区域、和位于所述晶粒的中央部的第2区域，
所述第1区域中的所述第1稀土类元素的量和所述第2稀土类元素的量的和多于所述第2区域中的所述第1稀土类元素的量和所述第2稀土类元素的量的和。


2.根据权利要求1所述的层叠型电子部件，其中，
所述第1区域包含：所述第1稀土类元素的量多于所述第2稀土类元素的量的第1部分；以及所述第2稀土类元素的量多于所述第1稀...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本英之，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP