介电组合物和包括其的多层电子组件制造技术

本公开提供了一种介电组合物和包括其的多层电子组件。所述介电组合物包括主成分和第一副成分，所述主成分具有由ABO

【技术实现步骤摘要】
介电组合物和包括其的多层电子组件本申请要求于2019年6月28日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0077574号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种介电组合物和一种包括该介电组合物的多层电子组件。
技术介绍
多层陶瓷电容器(MLCC，一种多层电子组件)是片式电容器，多层陶瓷电容器安装在包括图像显示装置(诸如液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP))、计算机、智能电话、移动电话等的各种类型的电子产品的印刷电路板上，并用于充电或放电。多层陶瓷电容器可由于其诸如小型化、高容量和易于安装的优点而用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机和移动装置的电子装置被小型化并以高输出实现，对多层陶瓷电容器的小型化和实现高容量的需求正在增加。为了实现多层陶瓷电容器的小型化和高容量，可能需要减小介电层和内电极的厚度，使得多层陶瓷电容器的堆叠层的数量可增加。通常，介电层的厚度为约0.6μm，并且持续进行薄化。然而，随着介电层的厚度减小，可靠性可能降低，并且诸如绝缘电阻、击本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介电组合物，所述介电组合物包括：/n主成分和第一副成分，所述主成分具有由ABO

【技术特征摘要】
20190628 KR 10-2019-00775741.一种介电组合物，所述介电组合物包括：
主成分和第一副成分，所述主成分具有由ABO3表示的钙钛矿结构，其中，A是选自于由钡、锶和钙组成的组中的至少一种，并且B是选自于由钛、锆和铪组成的组中的至少一种，
其中，基于100摩尔的所述主成分，所述第一副成分包括0.1摩尔或更多的稀土元素、0.02摩尔或更多的铌以及大于或等于0.25摩尔且小于或等于0.9摩尔的镁，
其中，基于100摩尔的所述主成分，所述稀土元素和铌的含量之和为1.5摩尔或更少。


2.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述稀土元素是镝或具有比镝的离子半径小的离子半径的稀土元素。


3.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，基于100摩尔的所述主成分，所述第一副成分包括大于或等于0.25摩尔且小于或等于0.7摩尔的镁。


4.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，基于100摩尔的所述主成分，所述介电组合物还包括0.1摩尔至2.0摩尔的氧化物或碳酸盐作为第二副成分，所述氧化物或所述碳酸盐包括选自于由锰、钒、铬、铁、镍、钴、铜和锌组成的组中的至少一种。


5.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，基于100摩尔的所述主成分，所述介电组合物还包括0.001摩尔至0.5摩尔的包含硅和铝中的至少一种的氧化物或者包含硅的玻璃化合物作为第三副成分。


6.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述主成分是BaTiO3，并且所述稀土元素是镝。


7.一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：
主体，包括介电层和内电极；以及
外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极，
其中，所述介电层包括介电组合物，
其中，所述介电组合物包括主成分和第一副成分，所述主成分具有由ABO...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸泰瑛，赵志弘，白承仁，权亨纯，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR