磁盘装置以及写数据的调整方法制造方法及图纸

实施方式提供能够提高访问性能的磁盘装置以及写数据的调整方法。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区中提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度。

【技术实现步骤摘要】
磁盘装置以及写数据的调整方法本申请享受以日本专利申请2019－121807号(申请日：2019年6月28日)为基础申请的优选权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及磁盘装置以及写数据的调整方法。
技术介绍
在磁盘装置的磁盘(以下简称为盘)的预定磁道中，位错误率(BER)可能会因成膜不匀等而发生变化。该预定磁道中的BER的变化在盘的半径方向上的各区域中会不同。在盘的配置在半径方向上的各磁道中，希望BER成为一定。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够提高访问性能的磁盘装置以及写数据的调整方法。实施方式涉及的磁盘装置磁盘装置，具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道中，在比基准值低的第1重写的第1扇区中提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录能力，降低在比所述基准值高的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录能力。本实施方式涉及的写数据的调整方法，应用于具备盘和头的磁盘装置，所述头对所述盘写入数据，从所述盘读取数据，所述调整方法包括：在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区中提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，在所述盘的第1磁道中，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度。附图说明图1是表示实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。图2是表示第1实施方式涉及的伺服区域的配置的一个例子的示意图。图3是表示第1实施方式涉及的伺服扇区的构成的一个例子的示意图。图4是表示盘以及头的一个例子的放大剖面图。图5是表示盘的各分区(zone)的各磁道的1周内的BER的一个例子的图。图6是表示第1实施方式涉及的写数据特性值的变化的一个例子的图。图7是表示第1实施方式涉及的写数据特性值的调整处理的一个例子的图。图8是表示向当前的访问区域的写处理对于相邻区域的影响的一个例子的图。图9是表示盘的预定磁道的1周内的On-track(在轨)BER的变化的一个例子的图。图10是表示与图9对应的OW(Overwrite，重写)的变化的一个例子的图。图11是表示与图9对应的Adjacenttrackwrite(相邻磁道写入)BER的变化的一个例子的图。图12是表示与图9对应的AdjacenttrackwriteBER的变化的一个例子的图。图13是表示与图9的On-trackBER的变化对应的磁道中的调整BPI的变化的一个例子的图。图14是表示基于图13的BPI的变化向图9的磁道写入了数据的情况下的On-trackBER的变化的一个例子的图。图15是表示对基于图13的BPI的变化进行了写入的图9的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的AdjacenttrackwriteBER的变化的一个例子的图。图16是表示在与图9的On-trackBER的变化对应的磁道中进行了调整的BPI的变化的一个例子的图。图17是表示基于图16的BPI的变化向图9的磁道写入了数据的情况下的On-trackBER的变化的一个例子的图。图18是表示对基于图16的BPI的变化进行了写入的图9的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的AdjacenttrackwriteBER的变化的一个例子的图。图19是表示第1实施方式涉及的BPI的调整方法的一个例子的流程图。图20是表示第1实施方式涉及的BPI的调整方法的一个例子的流程图。图21是表示变更记录能力的定时的一个例子的图。图22是表示变形例1涉及的Overwrite的变化的一个例子的图。图23是表示在与图22的Overwrite的变化对应的磁道中进行了调整的记录能力的变化的一个例子的图。图24是表示基于图23的Overwrite的变化向图22的磁道写入了数据的情况下的On-trackBER的变化的一个例子的图。图25表示对基于图23的Overwrite的变化进行了写入的图23的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的AdjacenttrackwriteBER的变化的一个例子的图。图26表示对基于图23的Overwrite的变化进行了写入的图23的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的AdjacenttrackwriteBER的变化的一个例子的图。图27是表示变形例1涉及的记录能力的调整方法的一个例子的流程图。图28是表示未突出的头的一个例子的图。图29是突出了的头的一个例子的图。图30是表示第2实施方式涉及的通常伺服以及短伺服的配置的一个例子的示意图。图31是表示第2实施方式涉及的短伺服扇区的构成的一个例子的示意图。图32是表示第2实施方式涉及的写数据特性值的调整处理的一个例子的图。图33是表示第2实施方式涉及的写数据特性值的调整方法的一个例子的流程图。图34是表示变形例3涉及的写数据特性值的调整处理的一个例子的图。图35是表示写数据特性值的变动量相对于时间间隔的变化的一个例子的图。图36是表示变形例3涉及的写数据特性值的调整方法的一个例子的流程图。具体实施方式以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定专利技术的范围。(第1实施方式)图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90以及作为一个芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。HAD具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载了头15的臂13以及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动进行旋转。臂13以及VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10以及头15也可以设置有两个以上的数量。盘10对其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a和写入系统管理所需要的信息的系统区10b。以下，将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置以及圆周位置一并简称为位置。头15将滑块作为主体，具备实际装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R读取记录于盘10的数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁盘装置，具备：/n盘；/n头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及/n控制器，其在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度。/n

【技术特征摘要】
20190628 JP 2019-1218071.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度。


2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述第1重写比基准值高，所述第2重写比所述基准值低。


3.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述第1重写比基准值低，所述第2重写比所述基准值高。


4.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述第1记录密度和在所述第1磁道中在与所述第1扇区相邻的第3扇区写入的数据的第3记录密度不同。


5.根据权利要求4所述的磁盘装置，
所述控制器以所述第1扇区对所述第3扇区设定所述第3记录密度。


6.根据权利要求4所述的磁盘装置，
所述控制器在从与所述第1磁道不同的第2磁道向所述第1磁道的所述第1扇区的寻道期间对所述第1扇区设定所述第1记录密度。


7.根据权利要求4所述的磁盘装置，
所述控制器对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3扇区的第1伺服扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定所述第3记录密度。


8.根据权利要求4所述的磁盘装置，
所述控制器以所述第3扇区对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3扇区的第1伺服扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定与所述第3记录密度不同的第4记录密度。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器以正弦波逼近的方式算出并保持所述第1磁道内的记录密度的变化。


10.根据权利要求9所述的磁盘装置，
所述控制器在执行所述正弦波逼近时对所述记录密度的变化的相位、振幅以及周期个别地进行调整。


11.根据权利要求1～8中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器对比所述第1磁道内的记录密度的变化的第1周期大的、与所述第1磁道相比位于内侧的第3磁道内的记录密度的变化的第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：前东信宏，友田悠介，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP