【技术实现步骤摘要】
干燥装置、干燥方法、清洗干燥系统及清洗干燥方法
本专利技术涉及半导体制造
，更具体地，涉及晶圆的干燥装置、干燥方法、清洗干燥系统及清洗干燥方法。
技术介绍
在半导体工艺过程中，为了满足晶圆表面的洁净度要求，通常会对晶圆进行清洗和干燥。因此，晶圆清洗技术是影响半导体器件的良率、器件品质及可靠性的重要因素之一。晶圆清洗的目的是去除附着在晶圆表面上的颗粒、有机物、金属和氧化物等污染物，以避免污染物对后续的工艺产生不良影响。现有的半导体工艺中，对晶圆的湿法清洗工艺主要有槽式批处理清洗和腔室单片旋转清洗这两种。槽式批处理清洗中，将晶圆分批次(BatchRun)浸入清洗槽进行清洗。腔室单片旋转清洗中，将单片晶圆一边旋转，一边加入清洗溶液进行清洗。两种湿法清洗工艺完成以后都是进行自然晾干。存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸(CD，CriticalDimension)日益缩小，存储器件的存储密度越来越高，深宽比也在日益增大。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存...
【技术保护点】
1.一种干燥装置，用于对通过刻蚀形成有深孔的晶圆进行干燥，其特征在于，包括：/n腔室，所述腔室设置于对所述晶圆进行刻蚀的刻蚀腔体内；/n旋转吸盘，该旋转吸盘以吸附面朝下的方式倒置于所述腔室内，设置成能绕转轴旋转；/n电源，该电源连接至所述旋转吸盘，向所述旋转吸盘供电；及/n底座，该底座以能与所述旋转吸盘一起旋转的方式设置于所述旋转吸盘的吸附面，用于固定所述晶圆。/n
【技术特征摘要】
1.一种干燥装置，用于对通过刻蚀形成有深孔的晶圆进行干燥，其特征在于，包括：
腔室，所述腔室设置于对所述晶圆进行刻蚀的刻蚀腔体内；
旋转吸盘，该旋转吸盘以吸附面朝下的方式倒置于所述腔室内，设置成能绕转轴旋转；
电源，该电源连接至所述旋转吸盘，向所述旋转吸盘供电；及
底座，该底座以能与所述旋转吸盘一起旋转的方式设置于所述旋转吸盘的吸附面，用于固定所述晶圆。
2.如权利要求1所述的干燥装置，其特征在于，
所述底座以静电吸附的方式固定所述晶圆。
3.如权利要求1所述的干燥装置，其特征在于，
所述腔室具有进气口和出气口，
所述干燥装置还包括真空泵，该真空泵连接至所述腔室的所述出气口，
从所述进气口向所述腔室内导入干燥气体，利用所述真空泵经由所述出气口将所述干燥气体导出至外部。
4.如权利要求3所述的干燥装置，其特征在于，
所述干燥气体是N2气体、IPA气体、CO2气体中的任意一种或多种。
5.如权利要求1至4中任一项所述的干燥装置，其特征在于，
还包括加热器，该加热器用于对所述腔室的内部进行加热。
6.如权利要求5所述的干燥装置，其特征在于，
所述加热器设置于所述旋转吸盘内。
7.如权利要求5所述的干燥装置，其特征在于，
所述加热器与所述旋转吸盘隔开设置。
8.一种干燥方法，用于对通过刻蚀形成有深孔的晶圆进行干燥，其特征在于，包括如下步骤：
将所述晶圆固定于底座的步骤，所述底座以能与旋转吸盘一起旋转的方式设置于所述旋转吸盘的吸附面，所述旋转吸盘以所述吸附面朝下的方式倒置于腔室内，设置成能绕转轴旋转，所述腔室设置于对所述晶圆进行刻蚀的刻蚀腔体内；及
接通电源，使所述旋转吸盘绕转轴旋转，利用重力和离心力使所述晶圆的所述深孔中的水分脱离的步骤。
9.如权利要求8所述的干燥方法，其特征在于，
所述晶圆以静电吸附的方式固定于所述底座。
10.如权利要求8所述的干燥方法，其特征在于，
还包括经由所述腔室的进气口向所述腔室内导入干燥气体，并利用真空泵经由所述腔室的出气口将所述干燥气体导出至外部的步骤。
11.如权利要求10所述的干燥方法，其特征在于，
所述干燥气体是N2气体、IPA气体、CO2气体中的任意一种或多种。
12.如权利要求8至11中任一项所述的干燥方法，其特征在于，
还包括利用加热器对所述腔室的内部进行加热，以加快所述晶圆的所述深孔中的水分蒸发的步骤。
13.一种清洗干燥系统，用于对通过刻蚀形成有深孔的晶圆进行清洗和干燥，其特征在于，包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。