铝基复合材料的制备方法技术

本发明专利技术公开一种铝基复合材料的制备方法，将SiO

【技术实现步骤摘要】
铝基复合材料的制备方法
本专利技术涉及电子封装材料
，具体涉及一种铝基复合材料的制备方法。
技术介绍
电子封装是利用膜技术及微细连接技术将半导体元器件及其它构成要素在框架或基板上布置、固定及连接，引出接线端子，并通过可塑性绝缘介质密封固定，构成完整的立体结构的工艺。随着微电子器件向高性能、轻量化和小型化方向发展，微电子对封装材料提出越来越苛刻的要求。电子器件封装及军事工业中低膨胀系数材料向着高密度、薄型化、微型化、高要求力学性能急速发展，导致原有封装材料因膨胀而引起材料失效等技术瓶颈。采用金属铝或铜等材料所制作的散热原件具有较好导热性能，但金属的热膨胀系数远远大于半导体等无机非金属材料。当应用工况从夏季炎热海南岛到冬天得漠河时，由于热失配产生的热应力很容易导致材料翘曲、开裂、脱层、断裂等失效问题。碳化硅颗粒增强体金属基复合材料，具有金属较好的导热性能，同时兼有非金属材料低膨胀系数的特点，现被广泛用于微电子封装、汽车电子、微波封装、功率封装等领域以及环境严苛、对重量敏感的航空航天器件当中。现有的碳化硅颗粒增强铝基复合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铝基复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)将SiO

【技术特征摘要】
1.一种铝基复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将SiO2和碳纤维混合后，加入膨胀石墨粉末和Al2O3，在氩气保护气氛下，1600℃-2200℃烧结10-20小时，得到SiC颗粒和表面包覆有SiC的碳纤维的混合物，记为混合物1；
(2)将混合物1在400℃-1200℃下烧结0.5-10小时，除去混合物1中未被SiC包覆的碳纤维，得到混合物2；
(3)将混合物2与Si片或Si粉混合后进行球磨2-10小时，然后在氩气保护气氛下，1450℃-1500℃烧结2-12小时，得到混合物3；
(4)将混合物3球磨1-12小时，在氩气保护气氛中冷却后，加入铝粉混合均匀后，再加入石蜡，混合均匀后，在20MPa-80MPa压力下压制成板料；
(5)将板料在450℃-550℃下脱脂烧结6-15小时，然后采用液压机对脱脂烧结后的板料进行多温度阶段、多次致密化压制，即得。


2.根据权利要求1所述的铝基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，SiO2和碳纤维的质量比为(3-4):1。


3.根据权利要求1所述的铝基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，膨胀石墨粉末的添加量为SiO2和碳纤维总质量的6％-10％。


4.根据权利要求1所述的铝基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，Al2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春轩，高平平，吴云，张扬，罗任，曹柳絮，张杰，苏新，
申请(专利权)人：湖南金天铝业高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43