用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于处理基板的装置和方法。一种用于处理基板的装置包括：壳体，在所述壳体中具有处理空间；支承单元，其在所述壳体中支承所述基板；液体分配单元，其将液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；激光照射单元，其将激光照射到所述基板的边缘区域；以及控制器，其控制所述液体分配单元和所述激光照射单元。所述激光照射单元包括：板，其设置在所述液体上，从而与分配到所述基板上的所述液体的表面接触；以及激光照射构件，其将所述激光穿过所述板照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。

Apparatus and method for processing substrate

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月27日提交的、申请号为10-2019-0077271的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文描述的本专利技术构思的实施方案涉及用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及用于通过将液体分配到基板上并将激光照射到基板来处理基板的装置和方法。
技术介绍
制造诸如半导体元件或平板显示元件的集成电路元件的工艺，包括通过将激光束照射到基板来去除基板上的膜的工艺。然而，在激光束照射工艺中会产生颗粒。由于半导体元件的高密度、高集成度和高性能，迅速进行电路图案的按比例缩小。因此，残留在基板表面上的诸如颗粒的污染物极大地影响半导体元件的特性和产率(yield)。因此，如图1所示，当通过使用激光L处理基板W时，将抽吸灰尘用抽吸设备5用于去除颗粒P。然而，在通过将激光L照射到基板W来去除基板W的表面上的薄膜T的工艺中，基板W上的颗粒P从基板W分离并被抽吸设备5抽吸，但是一些颗粒或小尺寸的细颗粒会再次粘附至基板W，而不会被抽吸设备5抽吸。...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n壳体，在所述壳体中具有处理空间；/n支承单元，其配置为在所述壳体中支承所述基板；/n液体分配单元，其配置为将液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；/n激光照射单元，其配置为将激光照射到所述基板的边缘区域；以及/n控制器，其配置为控制所述液体分配单元和所述激光照射单元，/n其中，所述激光照射单元包括：/n板，其设置在所述液体上，从而与分配到所述基板上的所述液体的表面接触；以及/n激光照射构件，其配置为将所述激光穿过所述板照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。/n

【技术特征摘要】
20190627 KR 10-2019-00772711.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，在所述壳体中具有处理空间；
支承单元，其配置为在所述壳体中支承所述基板；
液体分配单元，其配置为将液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；
激光照射单元，其配置为将激光照射到所述基板的边缘区域；以及
控制器，其配置为控制所述液体分配单元和所述激光照射单元，
其中，所述激光照射单元包括：
板，其设置在所述液体上，从而与分配到所述基板上的所述液体的表面接触；以及
激光照射构件，其配置为将所述激光穿过所述板照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述板的上表面平行于放置在所述支承单元上的所述基板。


3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述板的上表面是圆形的。


4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述板的上表面沿着放置在所述支承单元上的所述基板的径向方向倾斜。


5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述激光照射构件在垂直于放置在所述支承单元上的所述基板的方向上照射激光。


6.根据权利要求5所述的装置，其中，在放置在所述支承单元上的所述基板的侧部上，所述激光照射构件在平行于所述基板的方向上将所述激光照射到所述板。


7.根据权利要求1-6中任一项所述的装置，其中，所述激光照射构件包括：
光源；和
光路改变构件，其包括镜，所述镜配置为改变由所述光源照射的光的路径，并且
其中，所述光路改变构件还包括镜致动器，所述镜致动器配置为移动所述镜，其中，所述控制器控制所述镜致动器以改变所述镜的位置，使得在照射激光的情况下改变激光照射到基板的位置。


8.根据权利要求3所述的装置，其中，所述激光照射构件包括板致动器，所述板致动器配置为移动所述板，并且
其中，所述控制器控制所述板致动器，从而改变所述板的位置以与所述激光的照射位置相对应，使得在改变所述激光的所述照射位置的情况下，将所述激光照射到所述板的特定位置。


9.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其中，所述控...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成洙，安俊建，李廷焕，权五烈，朴修永，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR