一种快速上电的浪涌电流限制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种快速上电的浪涌电流限制电路，包括MOS管，MOS管的源极与输入电源的正极连接，MOS管的漏极与输出电源的正极连接，输入电源的负极和输出电源的负极均接地，所述MOS管的源极和漏极之间并联有第一电阻，且漏极还连接有第二电容，第二电容与输出电源的负极连接；所述MOS管的栅极连接有驱动门电路。本实用新型专利技术的电路在上电瞬间，电流经过第一电阻对第二电容进行充电，防止浪涌电流冲击，具体实施时可根据合理设计第一电阻的阻值，实现限制最大电流的需求，同时还能对第二电容快速充电，使后级电路快速上电工作。

【技术实现步骤摘要】
一种快速上电的浪涌电流限制电路
本技术涉及一种浪涌保护电路，具体涉及一种快速上电的浪涌电流限制电路。
技术介绍
在电子电路中，电源的输入端通常都会接有滤波电容，在输入电源的瞬间，因电容的初始电压为零，电容在充电瞬间会产生很大的浪涌电流，特别是大功率开关电源，由于选择较大容量的电容，使得浪涌电流高达100A以上。不仅使外接电源的瞬时负载急剧变大和增加瞬时电磁辐射外，甚至会导致电源输入端熔断器烧断或者限流保护电路动作（断开），从而造成电路不能正常工作。因此，在开关电源前级加入上电浪涌电流抑制电路，限制电路上电瞬时电流有一定的实用意义。目前，防止浪涌电流抑制电路一般使用MOS管作为电源开关，控制MOS管栅极（G极）电压，使MOS管逐渐导通，MOS管相当于一个可变电阻串入电源回路来限制输入电容的充电电流从而限制浪涌电流。电源刚打开时，MOS管不导通，电路处于断开状态，没有电流，随着MOS管栅极(G极)电压变化，MOS管导通电阻逐渐减少。电路稳定工作时，MOS管栅极（G极）电压达到稳态，MOS管完全导通，此时MOS管电阻一般只有毫欧级，其压降很小本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快速上电的浪涌电流限制电路，包括MOS管，MOS管的源极与输入电源的正极连接，MOS管的漏极与输出电源的正极连接，输入电源的负极和输出电源的负极均接地，其特征在于：所述MOS管的源极和漏极之间并联有第一电阻，且漏极还连接有第二电容，第二电容与输出电源的负极连接；所述MOS管的栅极连接有驱动门电路，所述驱动门电路包括缓冲器、稳压二极管、第一电容和第二电阻，第一电容和稳压二极管均与输入电源的正极连接，第一电容与第二电阻均与缓冲器的输入端连接，缓冲器的Vs端与第二电阻连接后再与稳压二极管连接，稳压二极管连接有第三电阻，第三电阻与输入电源的负极连接，缓冲器的输出端与MOS管的栅极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种快速上电的浪涌电流限制电路，包括MOS管，MOS管的源极与输入电源的正极连接，MOS管的漏极与输出电源的正极连接，输入电源的负极和输出电源的负极均接地，其特征在于：所述MOS管的源极和漏极之间并联有第一电阻，且漏极还连接有第二电容，第二电容与输出电源的负极连接；所述MOS管的栅极连接有驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟，唐天浪，邓辉，
申请(专利权)人：成都正扬博创电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51