一种多芯片封装结构制造技术

本发明专利技术涉及照明技术领域，具体涉及一种多芯片封装结构，包括散热底座以及与散热底座连接的封装座；所述封装座内设有多个发光芯片；所述散热底座内设有循环水槽；所述循环水槽内设有冷却液；所述散热底座设有与循环水槽连通的散热水槽；所述散热水槽设于发光芯片的底部；所述散热底座内设有第一通风槽；所述发光芯片设有与第一通风槽连通的第二通风槽；所述封装座设有与第二通风槽连通的第三通风槽。本发明专利技术通过在散热底座设置冷却液以及第一通风槽，能够大大地提高了多芯片封装结构的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片封装结构
本专利技术涉及照明
，具体涉及一种多芯片封装结构。
技术介绍
与传统光源相比LED具有体积小、重量轻、结构坚固、工作电压低、使用寿命长以及节能环保等优点，近年来在许多领域特别是照明领域得到了广泛的应用。然而，LED灯的散热是一个突出性问题，散热不好会导致LED结温上升，进而导致发热量大、发光效率低以及使用寿命降低等问题。LED灯的温升受多方面的影响，除了LED发光元件的自身性能外，LED基板的散热能力是一个的重要因素，其次是LED封装的导热性能和LED灯的对外散热性能，特别对于多芯片的封装，由于工作效率大，发热量大并且难以进行散热。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术中的上述不足，提供了一种多芯片封装结构，保持光效并且散热效果优秀。本专利技术的目的通过以下技术方案实现：一种多芯片封装结构，包括散热底座以及与散热底座连接的封装座；所述封装座内设有多个发光芯片；所述散热底座内设有循环水槽；所述循环水槽内设有冷却液；所述散热底座设有与循环水槽连通的散热水槽；所述散本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片封装结构，其特征在于：包括散热底座(1)以及与散热底座(1)连接的封装座(2)；所述封装座(2)内设有多个发光芯片(3)；/n所述散热底座(1)内设有循环水槽(11)；所述循环水槽(11)内设有冷却液；所述散热底座(1)设有与循环水槽(11)连通的散热水槽(12)；所述散热水槽(12)设于发光芯片(3)的底部；/n所述散热底座(1)内设有第一通风槽(41)；所述发光芯片(3)设有与第一通风槽(41)连通的第二通风槽(42)；所述封装座(2)设有与第二通风槽(42)连通的第三通风槽(43)。/n

【技术特征摘要】
1.一种多芯片封装结构，其特征在于：包括散热底座(1)以及与散热底座(1)连接的封装座(2)；所述封装座(2)内设有多个发光芯片(3)；
所述散热底座(1)内设有循环水槽(11)；所述循环水槽(11)内设有冷却液；所述散热底座(1)设有与循环水槽(11)连通的散热水槽(12)；所述散热水槽(12)设于发光芯片(3)的底部；
所述散热底座(1)内设有第一通风槽(41)；所述发光芯片(3)设有与第一通风槽(41)连通的第二通风槽(42)；所述封装座(2)设有与第二通风槽(42)连通的第三通风槽(43)。


2.根据权利要求1所述的一种多芯片封装结构，其特征在于：所述发光芯片(3)包括金属衬底(31)以及设于金属衬底(31)顶部的缓冲层(32)；所述缓冲层(32)的顶部设有圆柱状的N-GaAs纳米棒层(51)；所述N-GaAs纳米棒层(51)的外周设有中空的圆柱状的多量子阱有源层(52)；所述多量子阱有源层(52)的外周设有中空的圆柱状的P-GaAs纳米棒层(53)；所述N-GaAs纳米棒层(51)延伸有N型电极(54)；所述P-GaAs纳米棒层(53)延伸有P型电极(55)；
所述发光芯片(3)还包括微透镜(6)；所述缓冲层(32)、N-GaAs纳米棒层(51)、多量子阱有源层(52)以及P-GaAs纳米棒层(53)均设于微透镜(6)与金属衬底(31)之间；
所述微透...

【专利技术属性】
技术研发人员：张诺寒，廖勇军，张坤，
申请(专利权)人：东莞市谷麦光学科技有限公司，谷麦光电科技股份有限公司，信阳市谷麦光电子科技有限公司，信阳中部半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44