高电子迁移率晶体管和调整二维电子气体电子密度的方法技术

本发明专利技术公开一种高电子迁移率晶体管和调整二维电子气体电子密度的方法，其中高电子迁移率晶体管包含一氮化镓层，一氮化铝镓层设置于氮化镓层上，氮化铝镓层具有一伸张应力，一源极电极以及一漏极电极设置于氮化铝镓层之上，一栅极电极设置于源极电极与漏极电极之间的氮化铝镓层上，至少一个氧化硅层埋入于氮化铝镓层中，其中氧化硅层是利用流动式化学气相沉积所制作，氧化硅层提升氮化铝镓层中的伸张应力。

【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管和调整二维电子气体电子密度的方法
本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管，特别是涉及具有氧化硅层或应力材料层埋入于氮化铝镓层的高电子迁移率晶体管。
技术介绍
III-V族半导体化合物由于其半导体特性而可应用于形成许多种类的集成电路装置，例如高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor，HEMT)。在高电子迁移率晶体管中，两种不同能带隙(band-gap)的半导体材料是结合而于结(junction)形成异质结(heterojunction)而为载流子提供通道。近年来，氮化镓系列的材料由于拥有较宽能隙与饱和速率高的特点而适合应用于高功率与高频率产品。氮化镓系列的高电子迁移率晶体管由材料本身的压电效应产生二维电子气(two-dimensionalelectrongas,2DEG)，相较于传统晶体管，高电子迁移率晶体管的电子速度及密度均较高，故可用以增加切换速度。然而随着电子产品升级，因此需增加高电子迁移率晶体管的电子速度及密度。此外由于高电子迁移率晶体管需要在高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：/n氮化镓层；/n氮化铝镓层，设置于该氮化镓层上，该氮化铝镓层具有一伸张应力；/n源极电极以及漏极电极，设置于该氮化铝镓层之上；/n栅极电极，设置于该源极电极与该漏极电极之间的该氮化铝镓层上；以及/n至少一个氧化硅层埋入于该氮化铝镓层中，其中该氧化硅层是利用流动式化学气相沉积所制作，该氧化硅层提升该氮化铝镓层中的该伸张应力。/n

【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
氮化镓层；
氮化铝镓层，设置于该氮化镓层上，该氮化铝镓层具有一伸张应力；
源极电极以及漏极电极，设置于该氮化铝镓层之上；
栅极电极，设置于该源极电极与该漏极电极之间的该氮化铝镓层上；以及
至少一个氧化硅层埋入于该氮化铝镓层中，其中该氧化硅层是利用流动式化学气相沉积所制作，该氧化硅层提升该氮化铝镓层中的该伸张应力。


2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该氧化硅层的上表面和该氮化铝镓层的上表面切齐。


3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该氧化硅层位于该源极电极正下方的该氮化铝镓层内、该漏极电极正下方的该氮化铝镓层内或该源极电极正下方和该漏极电极正下方之间的该氮化铝镓层内。


4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该高电子迁移率晶体管另包含多个该氧化硅层埋入于该氮化铝镓层中。


5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该氧化硅层具有收缩应力。


6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该氧化硅层的厚度不大于该氮化铝镓层的厚度。


7.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
氮化镓层；
氮化铝镓层，设置于该氮化镓层上，该氮化铝镓层具有一伸张应力；
源极电极以及漏极电极，设置于该氮化铝镓层之上；
栅极电极，设置于该源极电极与该漏极电极之间的该氮化铝镓层上；以及
至少一个应力材料层埋入于该氮化铝镓层中，该应力材料层降低该氮化铝镓层中的该伸张应力。


8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该应力材料层的上表面和该氮化铝镓层的上表面切齐。


9.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该应力材料层位于该栅极电极正下方的该氮化铝镓层内、该漏极电极正下方的该氮化铝镓层内或该栅极电极正下方和该漏极电极正下方之间的该氮化铝镓层内。


10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该应力材料层离该栅极电极较远，离该漏极电极较近。


11.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该高电子迁移率晶体管另包含多个该应力材料层埋入于该氮化铝镓层中。


12.如权利要求7所述的高电子迁移率...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯霖，李志成，陈威任，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71