【技术实现步骤摘要】
运用于细胞分割下的CMOS全息显微成像装置及方法
本专利技术属于显微镜成像
,尤其是涉及运用于细胞分割下的CMOS全息显微成像装置及方法。
技术介绍
无透镜全息显微成像是一种不需要借助透镜进行成像的数字显微技术。它基于Gabor同轴全息原理,利用面阵探测器采集原始全息图,随后通过数字图像处理技术重建样本,从而实现数字显微成像。传统无透镜技术再现结果分辨率受限于光电探测器像素大小,其分辨率于像素大小接近,同样的,受制于传感器制造工艺水平,传感器的像元尺寸不能无限小,所以无透镜显微镜的成像分辨率往往低于相机像元尺寸所决定的奈奎斯特采样分辨率。如今无透镜显微术已经有很多报道的工作,关注的焦点无外乎如何更快得到分辨率更高图像:在分辨率提高方面,是以亚像素位移为代表的像素超分辨法;在快速处理图像数据方面,当下主要依靠神经网络与机器学习如今对于细胞的研究,使用显微镜一般取得图像是400倍10X40,600倍10X60以及1000倍10X1000。但是对于细胞密集的图像,这样的分辨率还是不够的,这对于使用图像进行细胞 ...
【技术保护点】
1.运用于细胞分割下的CMOS全息显微成像装置,其特征在于所述成像装置包括:/n光源,用于发出照明光、且设于成像装置的光轴上,所述照明光为相干光源、或部分相干光源;/n样品台,用于放置成像样品;/nCMOS图像传感芯片,该芯片电性连接有计算机;/n所述光源、样品台和CMOS图像传感芯片自上而下依次设置以形成成像装置,所述光源与样品台之间的轴向距离Z
【技术特征摘要】
1.运用于细胞分割下的CMOS全息显微成像装置,其特征在于所述成像装置包括:
光源,用于发出照明光、且设于成像装置的光轴上,所述照明光为相干光源、或部分相干光源;
样品台,用于放置成像样品;
CMOS图像传感芯片,该芯片电性连接有计算机;
所述光源、样品台和CMOS图像传感芯片自上而下依次设置以形成成像装置,所述光源与样品台之间的轴向距离Z1为15~20mm,所述样品台与CMOS图像传感芯片之间的轴向距离Z2为5μm~2mm。
2.根据权利要求1所述的运用于细胞分割下的CMOS全息显微成像装置,其特征在于所述光源为LED光源,所述光源向下照射、且光源的下方还依次设有滤光片和透镜,所述样品台包括载物台、和设于载物台上的载玻片,所述CMOS图像传感芯片包括主体、设于主体底部的硅衬底、设于主体顶部的顶层金属和氧化硅覆盖层。
3.根据权利要求1所述的运用于细胞分割下的CMOS全息显微成像装置,其特征在于所述成像装置的尺寸为高≤15cm,长≤4cm,宽≤4cm。
4.运用于细胞分割下的CMOS全息显微成像方法,其特征在于采用如权利要求1或2所述的成像装置,包括以下步骤:
S1、将成像样品放置于样品台上,并打开光源;
S2、调整样品台与C...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴健,杜邦,
申请(专利权)人:浙江大学山东工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:山东;37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。