一种真空断路器用触头及其制备方法，真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料技术

本发明专利技术涉及一种真空断路器用触头及其制备方法，真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料。该真空断路器用触头包括触头基底以及通过磁控溅射镀覆在触头基底上的表面镀层，所述表面镀层由以下质量百分比的组分组成：Cr 18‑25％，Mo 5‑10％，Ta 20‑30％，余量为Cu。本发明专利技术提供的真空断路器用触头，经磁控溅射镀覆Cu、Cr、Mo、Ta元素分布均匀的合金膜，Cu、Cr、Mo、Ta元素形成多组分稳定相结构，在高温下未发现明显相分离与扩散。经真空击穿实验表明，其可使电弧在触头表面更广泛的区域运动，减少集中侵蚀，具有优异的抗电弧烧蚀性能及耐电压性能。

【技术实现步骤摘要】
一种真空断路器用触头及其制备方法，真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料
本专利技术属于触头材料领域，具体涉及一种真空断路器用触头及其制备方法，真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料。
技术介绍
目前在126kV真空断路器中的触头材料，大多采用整体制造的CuCr合金(如CN105761956A等)，其制造技术经过多年的发展、吸收消化、推广应用等，已经形成熟的制造工艺体系。触头材料的寿命决定真空断路器的寿命，在真空灭弧室中作用至关重要。制备出抗电弧烧蚀性能更强，使用寿命更长的电触头材料成为真空断路器发展急需解决的关键技术和核心问题之一。传统CuCr合金制备工艺往往存在致密性较低，Cr相尺寸较大且分布不均匀，较为严重的成分偏析等问题，采用合金化或者掺杂的方法可以在一定程度上改善组织成分均匀性，细化相的尺寸。申请公布号为CN111074209A的中国专利技术专利申请公开了一种真空灭弧室触头材料表面镀层及处理方法，其是磁控溅射沉积方式制备CuCrMo合金膜，其中Cr含量为25-55％，Mo含量5-9％，其余为Cu。磁控溅射沉积薄膜是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空断路器用触头，其特征在于，包括触头基底以及通过磁控溅射镀覆在触头基底上的表面镀层，所述表面镀层由以下质量百分比的组分组成：Cr 18-25％，Mo 5-10％，Ta20-30％，余量为Cu。/n

【技术特征摘要】
1.一种真空断路器用触头，其特征在于，包括触头基底以及通过磁控溅射镀覆在触头基底上的表面镀层，所述表面镀层由以下质量百分比的组分组成：Cr18-25％，Mo5-10％，Ta20-30％，余量为Cu。


2.如权利要求1所述的真空断路器用触头，其特征在于，所述表面镀层的厚度为1-20μm。


3.如权利要求1或2所述的真空断路器用触头，其特征在于，所述触头基底为铜或铜铬合金，铜铬合金中铜的质量分数为10-50％。


4.一种如权利要求1或2或3所述的真空断路器用触头的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以氩气为工作气体，纯Cu靶、纯Ta靶、纯Cr靶、纯Mo靶为靶材，在触头基底表面进行磁控共溅射沉积。


5.如权利要求4所述的真空断路器用触头的制备方法，其特征在于，所述工作气体的流量为25-35sccm，工作气压为0.3-0.7Pa。


6.如权利要求4或5所述的真...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝留成，苗晓军，李凯，李玉楼，李雁淮，庞亚娟，范艳艳，李小钊，薛从军，王晓琴，徐仲勋，尹婷，段方维，刘苪彤，
申请(专利权)人：平高集团有限公司，国家电网有限公司，国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院，西安交通大学，
类型：发明
国别省市：河南;41