一种铝靶材与铝背板的钎焊方法技术

本发明专利技术涉及一种铝靶材与铝背板的钎焊方法，所述铝背板的焊接面设置有第一凹槽，所述第一凹槽内设置有第二凹槽；所述第一凹槽的直径等于所述铝靶材的直径；所述铝靶材焊接面设置有与所述铝背板焊接面第二凹槽相配合的凸起；所述钎焊方法包括如下步骤：(1)对铝靶材的焊接面进行喷砂处理至粗糙度为2‑3μm，对铝背板的焊接面进行阳极氧化处理；(2)向铝背板的第一凹槽和第二凹槽内添加焊料后进行钎焊接，得到铝靶材组件。本发明专利技术提供的焊接方法，通过设定特殊的焊接结构并且对焊接面进行特定的处理，实现了铝靶材和铝背板良好的焊接，焊接结合率≥97％，焊接面应力分布均匀，靶材组件使用寿命显著延长。

【技术实现步骤摘要】
一种铝靶材与铝背板的钎焊方法
本专利技术涉及靶材焊接领域，具体涉及一种铝靶材与铝背板的钎焊方法。
技术介绍
目前，在半导体工业中，靶材组件是由符合溅射性能的靶材、与靶材结合的背板构成。背板在靶材组件中起支撑作用，并具有传导热量的功效。高纯铝靶材(≥3N)是半导体芯片制造常用的导线制造材料，而其在使用是通常需要与背板进行焊接。CN104588810A公开了一种铝靶材组件的焊接方法，包括：提供铝靶材、铝背板；在铝靶材的待焊接面上形成钎料浸润层或者在铝背板的待焊接面上形成钎料浸润层；将铝背板、形成有钎料浸润层的铝靶材置于真空包套内，铝背板的待焊接面与钎料浸润层接触，或者，将铝靶材、形成有钎料浸润层的铝背板置于真空包套内，铝靶材的待焊接面与钎料浸润层接触；利用热等静压工艺将铝靶材、钎料浸润层、铝背板焊接在一起以形成铝靶材组件；焊接完成后，对真空包套进行冷却，去除真空包套以获得铝靶材组件。实现了铝靶材与铝背板之间的焊接，并且焊接效率较高，形成的铝靶材组件的焊接强度较高、变形量小，能够满足长期稳定生产和使用靶材的需要。CN103567583本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铝靶材与铝背板的钎焊方法，其特征在于，所述铝背板的焊接面设置有第一凹槽，所述第一凹槽内设置有第二凹槽；/n所述第一凹槽的直径等于所述铝靶材的直径；/n所述铝靶材焊接面设置有与所述铝背板焊接面第二凹槽相配合的凸起；/n所述钎焊方法包括如下步骤：/n(1)对铝靶材的焊接面进行喷砂处理至粗糙度为2-3μm，对铝背板的焊接面进行阳极氧化处理；/n(2)向铝背板的第一凹槽和第二凹槽内添加焊料后进行钎焊接，得到铝靶材组件。/n

【技术特征摘要】
1.一种铝靶材与铝背板的钎焊方法，其特征在于，所述铝背板的焊接面设置有第一凹槽，所述第一凹槽内设置有第二凹槽；
所述第一凹槽的直径等于所述铝靶材的直径；
所述铝靶材焊接面设置有与所述铝背板焊接面第二凹槽相配合的凸起；
所述钎焊方法包括如下步骤：
(1)对铝靶材的焊接面进行喷砂处理至粗糙度为2-3μm，对铝背板的焊接面进行阳极氧化处理；
(2)向铝背板的第一凹槽和第二凹槽内添加焊料后进行钎焊接，得到铝靶材组件。


2.如权利要求1所述的钎焊方法，其特征在于，所述第一凹槽与所述第二凹槽直径的差值为0.4-1.5mm。


3.如权利要求1或2所述的钎焊方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为3.5-4mm。


4.如权利要求1-3任一项所述的钎焊方法，其特征在于，所述第二凹槽的深度为3-3.5mm；
优选地，所述第二凹槽的深度和所述铝靶材焊接面凸起高度的差值为0.05-0.25mm。


5.如权利要求1-4任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(1)所述阳极氧化处理中的电解液为浓度为50-90g/L的硫酸。


6.如权利要求1-5任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(1)所述阳极氧化处理中的电流密度为2.5-4A/dm2...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，章丽娜，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33