一种具有多个凹口的防回撤预弯电极及其植入方法技术

本发明专利技术涉及涉及预弯电极技术领域，具体涉及一种具有多个凹口的防回撤预弯电极及其植入方法，包括：包括电极阵列、预弯电极内部信号传输线、导丝和硅胶，硅胶体包括前段和后段，导丝通道设置在所述后段，前段和后段均为圆弧形，前段的曲率小于相邻后段的曲率，前段的每两电极触点之间设置一个凹口，后段靠近末端处设置防移位装置，本发明专利技术可以减少前段的体积及刚度，以减少预弯电极植入时对基底膜及耳蜗内组织的损伤，并避免电极触点对螺旋神经节细胞的交叉刺激，减少前段的刚度，增加预弯电极的灵活性，有效保护患者的残余听力及电极的完整，有效防止术耳蜗内淋巴液外泄及术后移位，提高人工耳蜗植入手术的成功率。

【技术实现步骤摘要】
一种具有多个凹口的防回撤预弯电极及其植入方法
本专利技术涉及预弯电极
，具体涉及一种具有多个凹口的防回撤预弯电极及其植入方法。
技术介绍
听力损失一般有两种类型：传导性听力损失和感音神经性听力损失。其中，传导性听力损失是指外界声波传入内耳的途径因耳部传音系统的病理因素而发生障碍，耳部传音系统有外耳道、鼓膜、听骨、蜗窗等，因此无论何种原因引起上述部位的损害均可导致听力损失。传导性听力损失通常可以借助传统的助听器将声音放大，使声音信息能够到达耳蜗和毛细胞。但对于感音神经性听力损失，由于耳蜗毛细胞的损失或破坏，无法将听觉信号转换为听觉神经冲动，因此无论传统助听器的声音刺激有多大，患者都无法从助听器获得任何好处，因为他们将声音能量转换成听觉神经冲动的机制已经被破坏。因此，在没有正常运作的毛细胞的情况下，听觉神经冲动是不可能直接从声音中产生的。为了克服感音神经性耳聋，人工耳蜗系统在临床中被广泛使用，包括植入耳蜗的电极阵列。电极阵列主要有两种类型，一种是直电极阵列，另一种预弯电极阵列；对于正常耳蜗而言，直电极不能与耳蜗的螺旋形状良好贴合，且由于自身弹性原因，整个电极不能紧抱蜗轴，易造成刺激电流扩散、功耗大，且容易挤压耳蜗内组织，对耳蜗造成损伤。而预弯电极是将电极阵列制成螺旋状，通过插入中间的导丝将其约束成伸直状态，在植入过程中逐渐导出导丝使其逐步恢复螺旋状态。由于预弯电极的原始状态是螺旋状，因而它更接近耳蜗的螺旋神经节细胞，具有刺激集中、功耗小的优点。但现有技术存在缺点：1、传统的预弯电极导丝通道一直延伸到电极前段，这使得预弯电极在植入耳蜗时前段刚度过大，易造成基底膜及耳蜗内其他组织的损伤。2、直电极紧贴外侧壁会对外侧壁组织造成压力，且无法做到精准刺激。而传统的预弯电极会紧抱蜗轴，但紧抱蜗轴会对骨壁产生压力，对螺旋神经节造成潜在损伤；且随着植入深度的增加，电极前段会存在多个电极交叉刺激同一螺旋神经节细胞的可能性，影响预弯电极的刺激效果。3、传统的预弯电极由于没有防止耳蜗淋巴液外泄及移位的装置，手术中易造成耳蜗内淋巴液外泄，术后易出现预弯电极阵列移位。因此，需要对现有技术进行改进。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种能有效提高人工耳蜗植入手术的成功率和功能效果的具有多个凹口的防回撤预弯电极及其植入方法。本专利技术的技术方案为：包括电极阵列、预弯电极内部信号传输线、导丝和硅胶体，所述硅胶体预弯成耳蜗形状；所述电极阵列设置在硅胶体的弯曲内侧的表面，所述电极阵列包括沿着其长度方向等距排列的若干个电极触点，若干根预弯电极内部信号传输线设置在所述硅胶体内的靠近电极阵列一侧并分别与电极阵列的一个电极触点相连，信号传输线与电极触点一一对应，所述硅胶体内另一侧设置导丝通道，所述导丝导入导丝通道中，所述导丝用于保持对应位置的电极阵列为直线状态。作为优选：所述硅胶体包括前段和后段，所述硅胶体包括从硅胶体的首端到尾端依次设置的前段和后段，所述前段的尾端与后段的首端固定连接，所述导丝通道设置在所述后段，所述电极阵列设置在所述前段和所述后段，所述预弯电极内部信号传输线设置在所述前段和所述后段。作为优选：所述前段从尾端到首端其截面尺寸逐渐减小。作为优选：导丝未导入导丝通道中时，或植入手术后，导丝从导丝通道中完全导出时，所述前段和后段均为弯曲；在植入手术前，导丝导入导丝通道中时，后段为直的状态，前段弯曲；在植入手术中，导丝从导丝通道中导出一部分时，导出部分恢复弯曲，未导出部分为直的状态；前段的曲率小于相邻后段的曲率。作为优选：所述前段的曲率等于相邻后段的曲率的二分之一。作为优选：所述前段的每两电极触点之间设置一个凹口。作为优选：所述凹口为弧形或锯齿形。作为优选：所述后段的靠近尾端设置防移位装置。作为优选：所述防移位装置为向尾端方向斜置的楔形，材料为硅胶。作为优选：具有多个凹口的防回撤预弯电极的植入方法包括以下步骤：步骤1：植入手术前，导丝导入导丝通道，后段为直的状态，前段弯曲；步骤2：植入手术开始，前段开始进入耳蜗螺旋；步骤3：在植入手术中，前段弯曲，随着植入深度的增加，后段逐步进入耳蜗螺旋，导丝逐步从导丝通道中导出，后段的已导出部分恢复弯曲，未导出部分为直线状态；步骤4：植入深度进一步增加，导丝从导丝通道中导出的部分随之增加，直至防移位装置进入到鼓阶内部，预弯电极立即停止继续植入，所述位于前段的电极阵列与耳蜗蜗轴保持设定空隙，略微远离耳蜗蜗轴，更加靠近耳蜗外侧壁，施加的压力朝向耳蜗外侧壁；硅胶体和防移位装置堵住耳蜗的手术造口；导丝从导丝通道中完全导出，所述前段和后段均弯曲。本专利技术一种具有多个凹口的防回撤预弯电极及其植入方法的技术优势为：1.预弯电极导丝通道不延伸至防回撤预弯电极的前段，从而减少前段的体积及刚度，以减少预弯电极植入时对基底膜及耳蜗内组织的损伤。2.本专利技术的防回撤预弯电极的前段曲率相对较小，避免电极阵列对螺旋神经节细胞的潜在损伤，并避免电极触点对螺旋神经节细胞的交叉刺激。3.本专利技术的预弯电极的前段，在相邻电极触点间设置有凹口，从而预弯电极减少前段的刚度，增加预弯电极的灵活性，有效保护患者的残余听力及电极的完整。4.本专利技术的防回撤预弯电极末端设置有防止术中耳蜗淋巴液外泄及术后电极阵列移位的装置，以提高人工耳蜗植入手术的成功率。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细说明。图1是本专利技术预弯电极的导丝部分导出状态的部分剖面图；图2是本专利技术预弯电极后段带有防移位装置的剖面图；图3是本专利技术预弯电极后段带有防移位装置的仰视图；图4是本专利技术预弯电极从后段看向前段的剖面图；图5是本专利技术预弯电极带有防移位装置植入耳蜗后的效果图。图中：1、电极触点；2、导丝通道；3、预弯电极内部信号传输线；4、凹口；5、防移位装置；6、硅胶体；7、导丝；8，电极阵列；9、耳蜗剖面图；10、耳蜗外侧壁；11、耳蜗内侧壁；12、耳蜗手术造口；13、前段；14、后段。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进行进一步描述，但本专利技术的保护范围并不仅限于此。如图1至图3所示，本专利技术提供的具有多个凹口的防回撤预弯电极，包括：电极阵列8、预弯电极内部信号传输线3、导丝7和硅胶体6，所述硅胶体6预弯成耳蜗形状，所述电极阵列8设置在截面为圆柱形的硅胶体6的弯曲内侧的表面，所述电极阵列8包括沿着其长度方向等距排列的若干个电极触点1，预弯电极内部信号传输线3设置在所述硅胶体6内的靠近电极阵列8一侧并分别与每一个电极触点1相连，信号传输线3与电极触点1一一对应，硅胶体6内另一侧设置椭圆孔形的导丝通道2，为了方便而准确的进行具有多个凹口的防回撤预弯电极植入，植入前，直的导丝7导入导丝通道2中，所述导丝7用于保持后段14的电极阵列8为直线状态。植入进行时，电极阵列8进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有多个凹口的防回撤预弯电极，其特征在于：包括电极阵列(8)、预弯电极内部信号传输线(3)、导丝(7)和硅胶体(6)；/n所述硅胶体(6)预弯成耳蜗形状，所述电极阵列(8)设置在硅胶体(6)的弯曲内侧的表面，所述电极阵列(8)包括沿着其长度方向等距排列的若干个电极触点(1)，若干根预弯电极内部信号传输线(3)设置在所述硅胶体(6)内的靠近电极阵列(8)一侧并分别与电极阵列(8)的每个电极触点(1)相连，预弯电极内部信号传输线(3)与电极触点(1)一一对应，所述硅胶体(6)内另一侧设置导丝通道(2)，所述导丝(7)导入导丝通道(2)中，所述导丝(7)用于保持对应位置的电极阵列(8)为直线状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有多个凹口的防回撤预弯电极，其特征在于：包括电极阵列(8)、预弯电极内部信号传输线(3)、导丝(7)和硅胶体(6)；
所述硅胶体(6)预弯成耳蜗形状，所述电极阵列(8)设置在硅胶体(6)的弯曲内侧的表面，所述电极阵列(8)包括沿着其长度方向等距排列的若干个电极触点(1)，若干根预弯电极内部信号传输线(3)设置在所述硅胶体(6)内的靠近电极阵列(8)一侧并分别与电极阵列(8)的每个电极触点(1)相连，预弯电极内部信号传输线(3)与电极触点(1)一一对应，所述硅胶体(6)内另一侧设置导丝通道(2)，所述导丝(7)导入导丝通道(2)中，所述导丝(7)用于保持对应位置的电极阵列(8)为直线状态。


2.如权利要求1所述的一种具有多个凹口的防回撤预弯电极，其特征在于：所述硅胶体(6)包括从硅胶体(6)的首端到尾端依次设置的前段(13)和后段(14)，所述前段(13)的尾端与后段(14)的首端固定连接，所述导丝通道(2)设置在所述后段(14)，所述电极阵列(8)设置在所述前段(13)和所述后段(14)，所述预弯电极内部信号传输线(3)设置在所述前段(13)和所述后段(14)。


3.如权利要求2所述的一种具有多个凹口的防回撤预弯电极，其特征在于：所述前段(13)从尾端到首端其截面尺寸逐渐减小。


4.如权利要求3所述的一种具有多个凹口的防回撤预弯电极，其特征在于：所述前段(13)和后段(14)均弯曲，所述前段(13)的曲率小于相邻后段(14)的曲率。


5.如权利要求4所述的一种具有多个凹口的防回撤预弯电极，其特征在于：所述前段(13)的曲率等于相邻后段(14)的曲率的二分子一。


6.如权利要求6所述的一种具有多个凹口的防回...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎建军，武岳，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33