晶圆处理装置制造方法及图纸

该实用新型专利技术涉及一种晶圆处理装置，包括：壳体；背板，设置于所述壳体下表面，表面设置有多个通孔；薄膜，包裹所述背板，用于与待处理的晶圆相接触，且所述薄膜可根据通入所述壳体内的第一气体的变化而发生形变；薄膜夹，设置于所述薄膜内，用于将所述薄膜安装至所述壳体内，且所述薄膜夹与所述背板相接触，所述薄膜夹在背板上的投影面积至少大于预设值；气囊，设置于所述壳体内，并位于所述薄膜外部，位于所述薄膜夹上方，用于产生形变以控制所述薄膜夹给所述背板施力。

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理装置
本技术涉及半导体生产制造领域，具体涉及一种晶圆处理装置。
技术介绍
在半导体制备的过程中，经常需要进行对形成的半导体器件表面的不平整区域进行研磨，使所述半导体器件表面平整。现有技术中，通常是采用CMP(Chemicalmechanicalpolishing，化学机械研磨)技术来对半导体器件表面进行平坦化。采用CMP技术对半导体器件表面进行平坦化时，很容易生产出一些表面不够平整，尤其是边缘翘起的半导体器件，这会导致该半导体器件的良率下降，并导致后续的流程无法继续，无法连续作业，有效产出被降低，并且还有可能导致耗材的更换频率增加。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆处理装置，能够提高晶圆生产时的良率，提高有效产出。为了解决上述问题，以下提出了一种晶圆处理装置，包括：壳体；背板，设置于所述壳体下表面，表面设置有多个通孔；薄膜，包裹所述背板，用于与待处理的晶圆相接触，且所述薄膜可根据通入所述壳体内的第一气体的变化而发生形变；薄膜夹，设置于所述薄膜内，用于将所述薄膜安装至所述壳体内，且所述薄膜夹与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：/n壳体，下表面设置有凹槽；/n背板，设置于所述凹槽内，表面设置有多个通孔；/n薄膜，包裹所述背板，设置于所述凹槽内，用于与待处理的晶圆相接触，且所述薄膜可根据通入所述壳体内的第一气体的变化而发生形变；/n薄膜夹，设置于所述薄膜内，用于将所述薄膜安装至所述凹槽内，且所述薄膜夹与所述背板相接触，在背板上的投影面积至少大于预设值；/n气囊，设置于所述壳体内，并位于所述薄膜外部，位于所述薄膜夹上方，用于产生形变以控制所述薄膜夹给所述背板施力。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：
壳体，下表面设置有凹槽；
背板，设置于所述凹槽内，表面设置有多个通孔；
薄膜，包裹所述背板，设置于所述凹槽内，用于与待处理的晶圆相接触，且所述薄膜可根据通入所述壳体内的第一气体的变化而发生形变；
薄膜夹，设置于所述薄膜内，用于将所述薄膜安装至所述凹槽内，且所述薄膜夹与所述背板相接触，在背板上的投影面积至少大于预设值；
气囊，设置于所述壳体内，并位于所述薄膜外部，位于所述薄膜夹上方，用于产生形变以控制所述薄膜夹给所述背板施力。


2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述薄膜被设置为吸附晶圆时被抽真空，使所述通孔处的薄膜内陷于所述通孔内，所述通孔均匀的分布于所述背板表面。


3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气囊、薄膜夹均呈环形，所述背板呈圆形，所述气囊、薄膜夹所在的平面均平行于所述背板，且所述气囊、薄膜夹在所述背板上的投影与所述背板的中心重合。

【专利技术属性】
技术研发人员：施荣荣，汪海亮，刘路，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31