摄像装置、摄像装置的制造方法和电子设备制造方法及图纸

提供了一种针对电荷保持部具有优异遮光性的摄像装置。该摄像装置具有：Si{111}基板，其沿水平面延伸；光电转换部，其设置在所述Si{111}基板中并且通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷；电荷保持部，其设置在所述Si{111}基板中并且保持从所述光电转换部传输的电荷；遮光部，其在厚度方向上位于所述光电转换部和所述电荷保持部之间，且具有沿着水平面延伸的水平遮光部和垂直于所述水平遮光部的垂直遮光部。这里，所述水平遮光部包括：第一表面，其垂直于所述厚度方向且沿着所述Si{111}基板的第一晶面布置，所述第一晶面由平面指数{111}表示；和第二表面，其相对于所述厚度方向倾斜且沿着所述Si{111}基板的第二晶面布置，所述第二晶面由平面指数{111}表示。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置、摄像装置的制造方法和电子设备
本公开涉及通过执行光电转换拍摄图像的摄像装置、该摄像装置的制造方法和包括该摄像装置的电子设备。
技术介绍
迄今为止，已经提出了在全局快门系统的背侧照射型固态摄像装置中，在保持从光电转换部传输的电荷的电荷保持部附近形成水平遮光部和垂直遮光部(例如，参见专利文献1)。引用列表专利文献专利文献1：国际公开第WO2016/136486号
技术实现思路
在此类固态摄像装置中，例如，当已通过光电转换部但未被光电转换部吸收的光进入电荷保持部时，有可能产生噪声。因此，期望提供具有高遮光性的电荷保持部的摄像装置。根据本公开的实施例的摄像装置包括：光电转换部，所述光电转换部通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷；电荷保持部，所述电荷保持部保持从所述光电转换部传输的电荷；和遮光部，所述遮光部包括水平遮光部和垂直于所述水平遮光部的垂直遮光部，所述水平遮光部在第一方向上位于所述光电转换部和所述电荷保持部之间并且沿水平面延伸。这里，例如通过使用蚀刻溶液在硅基板上执行晶体各向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，其包括：/nSi{111}基板，其将第一方向作为厚度方向，并且包括由平面指数{111}表示的第一晶面，所述第一晶面沿着垂直于所述第一方向的水平面延伸；/n光电转换部，其设置在所述Si{111}基板中，并且通过光电转换产生与接收的光量相对应的电荷；/n电荷保持部，其设置在所述Si{111}基板中，并且保持从所述光电转换部传输的所述电荷；以及/n遮光部，其包括水平遮光部和垂直遮光部，所述水平遮光部在所述第一方向上位于所述光电转换部和所述电荷保持部之间并且沿着所述水平面延伸，所述垂直遮光部垂直于所述水平遮光部，/n所述水平遮光部包括：/n第一平面，其垂直于所述第一方向且沿着所述Si...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180615 JP 2018-114537;20190610 JP 2019-1080721.一种摄像装置，其包括：
Si{111}基板，其将第一方向作为厚度方向，并且包括由平面指数{111}表示的第一晶面，所述第一晶面沿着垂直于所述第一方向的水平面延伸；
光电转换部，其设置在所述Si{111}基板中，并且通过光电转换产生与接收的光量相对应的电荷；
电荷保持部，其设置在所述Si{111}基板中，并且保持从所述光电转换部传输的所述电荷；以及
遮光部，其包括水平遮光部和垂直遮光部，所述水平遮光部在所述第一方向上位于所述光电转换部和所述电荷保持部之间并且沿着所述水平面延伸，所述垂直遮光部垂直于所述水平遮光部，
所述水平遮光部包括：
第一平面，其垂直于所述第一方向且沿着所述Si{111}基板的所述第一晶面，和
第二平面，其沿着相对于所述第一方向倾斜且由平面指数{111}表示的所述Si{111}基板的第二晶面。


2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述水平遮光部进一步包括第三平面，其沿着相对于所述第一方向倾斜且由平面指数{111}表示的所述Si{111}基板的第三晶面。


3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述垂直遮光部在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。


4.根据权利要求1所述的摄像装置，进一步包括蚀刻阻止层，所述蚀刻阻止层对能够在所述Si{111}基板的<110>方向上蚀刻的蚀刻溶液呈现出抗蚀性。


5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述蚀刻阻止层为杂质元素、晶体缺陷结构或绝缘体。


6.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，在垂直于所述第一方向的平面上由所述水平遮光部占据的区域之外的硅保留区是岛状的或带状的。


7.根据权利要求1所述的摄像装置，进一步包括在所述第一方向上延伸的垂直电极，所述垂直电极设置于在垂直于所述第一方向的平面上由所述水平遮光部占据的区域之外的硅保留区中，并且从所述光电转换部传输到所述电荷保持部的电荷通过所述垂直电极。


8.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述遮光部进一步包括附加的水平遮光部，所述附加的水平遮光部设置于在所述第一方向上不同于所述水平遮光部的位置处并且沿着所述水平面延伸。


9.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述附加的水平遮光部设置于在所述第一方向上与硅保留区重叠的区域中，所述硅保留区为在垂直于所述第一方向的平面上由所述水平遮光部占据的区域之外的区域。


10.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述垂直遮光部暴露于所述Si{111}基板的从所述水平遮光部看与所述光电转换部相对的表面。


11.根据权利要求10所述的摄像装置，进一步包括附加的遮光部，所述附加的遮光部包括附加的水平遮光部和附加的垂直遮光部，所述附加的水平遮光部设置于在所述第一方向上不同于所述水平遮光部的位置处并且沿着所述水平面延伸，所述附加的垂直遮光部垂直于所述附加的水平遮光部。


12.根据权利要求11所述的摄像装置，其中，所述附加的水平遮光部设置于在所述第一方向上与硅保留区重叠的区域中，所述硅保留区为在垂直于所述第一方向的平面上由所述水平遮光部占据的区域之外的区域。


13.根据权利要求11所述的摄像装置，其中，所述附加的垂直遮光部暴露于与所述Si{111}的所述表面相对的后表面。


14.根据权利要求1所述的摄像装置，在所述垂直遮光部周围进一步包括：
第一半导体区，在所述第一半导体区中扩散有P型杂质或N型杂质；和
第二半导体区，其位于与所述第一半导体区相对的一侧，所述水平遮光部处于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间，并且，在所述第二半导体区中扩散有所述杂质，其中，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫波勇树，奥山敦，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP