降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器技术

本发明专利技术提供了一种降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器。所述方法包括如下步骤：在图像传感器表面生长一界面修复层，所述界面修复层采用氧化物材料；在界面修复层表面生长一电荷俘获层，所述电荷俘获层采用高介电常数材料，用以对传感器表面进行电荷捕获；在电荷俘获层表面生长一金属氧化物层，所述金属氧化物层的材料特性是吉布斯自由能高于传感器表面元素氧化物的吉布斯自由能；退火。上述技术方案能够降低图像传感器的表面暗电流，减小图像传感器的噪点，显著提高成像质量。

【技术实现步骤摘要】
降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器。
技术介绍
对于III-V族(InGaAs、InP、InSb等)图像传感器而言，图像传感器的成像质量是重要问题。背面工艺减薄后所裸露出来III-V族材料表面会有缺陷、悬挂键和损伤，这些都会产生表面暗电流，对图像传感器的成像质量产生影响。表面暗电流使图像传感器的噪点急剧增大，成像质量大幅下降，甚至难以有效成像。因此，降低表面暗电流，成为III-V族图像传感器应用的关键。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是传统的III-V族材料表面钝化的方法中修复能力受限的问题，提供一种降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种降低图像传感器表面暗电流的方法，包括如下步骤：在图像传感器表面生长一界面修复层，所述界面修复层采用氧化物材料；在界面修复层表面生长一电荷俘获层，所述电荷俘获层采用高介电常数材料，用以对传感器表面进行电荷捕获；在电荷俘获层表面生长一金属氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低图像传感器表面暗电流的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在图像传感器表面生长一界面修复层，所述界面修复层采用氧化物材料；在界面修复层表面生长一电荷俘获层，所述电荷俘获层采用高介电常数材料，用以对传感器表面进行电荷捕获；/n在电荷俘获层表面生长一金属氧化物层，所述金属氧化物层的材料特性是吉布斯自由能高于传感器表面元素氧化物的吉布斯自由能；/n退火。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低图像传感器表面暗电流的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在图像传感器表面生长一界面修复层，所述界面修复层采用氧化物材料；在界面修复层表面生长一电荷俘获层，所述电荷俘获层采用高介电常数材料，用以对传感器表面进行电荷捕获；
在电荷俘获层表面生长一金属氧化物层，所述金属氧化物层的材料特性是吉布斯自由能高于传感器表面元素氧化物的吉布斯自由能；
退火。


2.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述图像传感器为III-V族图像传感器。


3.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述界面修复层采用SiO2材料，厚度为1nm-5nm。


4.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述电荷俘获层采用高介电常数材料，即介电常数高于SiO2的材料，厚度为5nm-50nm。


5.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所采用的高介电常数材料为HfO2或Al2O3材料。


6.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物层的材料选自于PdO、NiO、CoO、和SnO2中的一种或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文军，陈世杰，唐昭焕，张斌，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50