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本发明提供了一种降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器。所述方法包括如下步骤：在图像传感器表面生长一界面修复层，所述界面修复层采用氧化物材料；在界面修复层表面生长一电荷俘获层，所述电荷俘获层采用高介电常数材料，用以对传感器表面进行电荷捕...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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