摄像元件和电子设备制造技术

本技术涉及能够减小FD电容的摄像元件和电子设备。本技术包括：基板；第一像素，其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域；第二像素，其包括与所述第一光电转换区域相邻且设置在所述基板中的第二光电转换区域；沟槽，其在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间被设置于所述基板中；第一区域，其包含于所述第一像素中；第二区域，其包含于所述第二像素中；和第三区域，其与所述第一区域、所述第二区域及所述沟槽接触。例如，本技术能够适用于CMOS图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像元件和电子设备
本技术涉及摄像元件和电子设备，例如，涉及在多个像素共用预定晶体管的情况下适用的摄像元件和电子设备。
技术介绍
在现有技术中，设置在摄像装置中的CMOS(互补金属氧化物半导体：complementarymetaloxidesemiconductor)图像传感器包括每个像素中的诸如光电二极管和晶体管等元件。此外，作为CMOS图像传感器，已经提出了包括有在各像素之间将相邻像素彼此电气隔离的深沟槽隔离(DTI：deeptrenchisolation)的构造。当设置有DTI并且多个像素共用预定晶体管时，必须在每个像素中设置浮动扩散部(FD：floatingdiffusion)区域，并且通过配线将多个FD区域电气连接。由于使用配线来连接FD区域而导致配线长度变长，因此FD电容很可能增大。当FD电容增大时，转换效率就降低，输出信号就变小，并且S/N比(信噪比)很可能劣化。专利文献1提出，形成了与相邻像素的FD区域双方都电气连接的触头(contact)，因而使得FD区域电气导通，并且抑制了FD电容的增大。引用文献列表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像元件，其包括：/n基板；/n第一像素，其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域；/n第二像素，其包括与所述第一光电转换区域相邻且设置在所述基板中的第二光电转换区域；/n沟槽，其在所述第一光电转换区域和第二光电转换区域之间被设置于所述基板中；/n第一区域，其包含于所述第一像素中；/n第二区域，其包含于所述第二像素中；和/n第三区域，其与所述第一区域、所述第二区域及所述沟槽接触。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180518 JP 2018-0959041.一种摄像元件，其包括：
基板；
第一像素，其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域；
第二像素，其包括与所述第一光电转换区域相邻且设置在所述基板中的第二光电转换区域；
沟槽，其在所述第一光电转换区域和第二光电转换区域之间被设置于所述基板中；
第一区域，其包含于所述第一像素中；
第二区域，其包含于所述第二像素中；和
第三区域，其与所述第一区域、所述第二区域及所述沟槽接触。


2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域是N型杂质区域或P型杂质区域。


3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域是具有同一电位的区域。


4.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一区域和所述第二区域是浮动扩散部(FD)。


5.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一区域和所述第二区域是接地区域。


6.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第三区域由相对于所述基板含有N型或P型杂质的多晶硅形成。


7.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第三区域的侧面中的两个表面及所述第三区域的底面与形成在所述沟槽中的预定膜接触。
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【专利技术属性】
技术研发人员：内田哲弥，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP