【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用晶片亮度来监测激光退火工艺和激光退火工具
本专利技术涉及半导体晶片的激光退火，更具体地，涉及监测激光退火的晶片的质量。
技术介绍
半导体晶片的退火是晶片制造中的步骤。退火用于激活掺杂剂材料，从而改变晶片的电性能。过去已使用炉退火或快速热退火进行退火。然而，半导体晶片退火的另一方法是通过激光退火。在激光退火中，使用XY扫描仪将激光束引导到晶片表面的各个部分。激光束扫过晶片表面的小部分(被称为块)(在IPGPhotonicsCorporation的IX-6100TM工具的情况下，约25mm×25mm正方形)，暂时停留在表面上的许多点中的每一个点处以便加热该点。在对晶片表面上的每个点进行加热之后，XY扫描仪将激光束引导到下一点以进行退火。然后，将晶片放置在其上的载物台相对于XY扫描仪移动，并且激光束扫过晶片表面的新的部分。工艺相机的焦点固定在激光的相同焦点上，并且允许载物台竖直移动，使得工艺相机的焦点以及因此激光的焦点位于晶片的表面上。激光束在晶片表面的每个点上的瞬时停留使该表面具有退火图案。SiC晶片...
【技术保护点】
1.一种监测半导体晶片的激光退火的方法，包括：/n使用激光对所述晶片进行激光退火；/n确保照明条件处于预定条件；/n测量所述晶片的多个表面亮度，每次测量在所述晶片的不同部分进行；/n确定测量的表面亮度的亮度统计量；以及/n使用所述亮度统计量来确定所述晶片是否表现出期望的电特性。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180316 GB 1804232.51.一种监测半导体晶片的激光退火的方法，包括：
使用激光对所述晶片进行激光退火；
确保照明条件处于预定条件；
测量所述晶片的多个表面亮度，每次测量在所述晶片的不同部分进行；
确定测量的表面亮度的亮度统计量；以及
使用所述亮度统计量来确定所述晶片是否表现出期望的电特性。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述亮度统计量包括：确定整个晶片上的平均表面亮度是否在目标亮度的亮度容差内以及测量的整个晶片的亮度的标准差是否小于阈值，如果是，则确定所述晶片表现出期望的电特性。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
如果所述晶片表现出期望的电特性，则确定所述亮度统计量是否指示已超过控制限值，如果是，则调整用于引导所述激光的振镜、所述激光的功率和所述激光的焦点中的至少一项。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，确定所述亮度统计量是否指示已超过控制限值包括：
针对所述晶片的表面上的多个块中的每一个分别确定亮度统计量；以及
如果没有块的亮度统计量指示所述块表现出期望的电特性，则确定已超过所述控制限值。
5.根据权利要求3所述的方法，包括：确保所述振镜中的镜被对准，以使来自所述激光的光束对称地扫掠。
6.根据权利要求3所述的方法，包括：确保所述激光的功率处于标称值。
7.根据权利要求3所述的方法，包括：
用裸Si晶片来替换所述晶片；
以不同的焦点偏移对所述Si晶片的多个部分中的每一个进行激光退火；
测量每个部分的表面亮度，从而将每个焦点偏移与测量的表面亮度之一相关联；
确定与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的焦点偏移；以及
如果与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的所述焦点偏移不为零，则将所述焦点调整等于该焦点偏移的量。
8.根据权利要求3所述的方法，包括：
确保所述振镜中的镜被对准，以使来自所述激光的光束对称地扫掠；
确保所述激光的功率处于标称值；
用裸Si晶片来替换所述晶片；
以不同的焦点偏移对所述Si晶片的多个部分中的每一个进行激光退火；
测量每个部分的表面亮度，从而将每个焦点偏移与测量的表面亮度之一相关联；
确定与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的焦点偏移；以及
如果与所述表面亮度中的最小表面亮度相关联的所述焦点偏移不为零，则将所述焦点调整等于该焦点偏移的量。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
根据所述晶片的期望的电特性以及表面亮度与电阻之间的相关性来确定所述晶片的期望的表面亮度特性；
以及其中，确定所述晶片是否表现出期望的电特性包括：确定所述晶片是否表现出所述期望的表面亮度特性。
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【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克·祖普利斯，
申请(专利权)人：XFAB德州公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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